146Ce核的八级形变带和准γ带

通过测量²⁵²Cf自发裂变所产生的瞬发γ射线, 对¹⁴⁶Ce核的高自旋结构进行了重新研究, 结果更新了以前报道的能级纲图, 把八级形变集体带扩展到更高的自旋, 并且重新构建了可能的准γ带结构. 此外, 用反射不对称壳模型(RASM)对¹⁴⁶Ce核的八级形变带进行了计算, 低自旋处的计算结果与实验数据符合得很好.     

静压下ZnS：Te中Te等电子陷阱的发光

研究了4块ZnS：Te薄膜样品(Te组分从0．5％到3．1％)的光致发光谱在常压下的温度特性．对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰，分别来自Te1和Te2等电子陷阱；而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光．我们还研究了这些发光峰在低温1．5K下的流体静压压力行为．观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多，而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小．根据Koster-Slater模型，价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因，而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的．     

多束速调管的增益带宽

 研究了M个束、N个共振腔的多束速调管(MBK)的增益和带宽，得到了描述小信号增益和带宽与器件结构参数和电子束参数关系的公式，给出了在不同参数下增益随频率的变化曲线。分析了多腔对增益，多束对带宽的影响。计算结果表明：多腔可以提高增益；多束可以降低Q值，从而可以增中带宽，带宽增加工了3.6%，还可以提高增益；对于MBK，频率交叉调谐对增加带宽不如频率调谐好；空间电荷波只对增益有影响，对带宽没有影响。最后，预估一种L带多束速调管的增益带宽为8.1%。     

邻域并与泛圈图

本文中 ,我们用邻域并对泛圈图进行深入的研究 ,主要取得了“2连通 n( n≥ 3 )阶图 G,满足下列条件之一 ,则 G是泛圈图 : :δ≤ ( n-7) /3 ,N C≥ ( 2 n-3 ) /3 ; :( n-6) /3≤ δ≤ ( n+2 ) /3 ,N C≥ 2 n/3 ; :δ≥ ( n+3 ) /3 ,N C≥ ( 2 n-3 ) /3 .当 3≤ n≤ 14时 ,N C≥ 2 n/3”     

风冷热泵冷热水机组动态过程仿真

本文给出了风冷热泵冷热水机组动态过程模型。系统的高、低压段被分成制冷剂侧、管壁、以及水或空气侧三个控制容积。针对每个控制容积建立了质量和能量平衡的微分方程。由于压缩机、热力膨胀阀阀体、以及四通换向阀具有较小的热惯性,因而采用稳态模型描述压缩过程、膨胀过程、以及内泄露过程。膨胀阀感温包中的制冷剂温度对于蒸发器出口温度的延迟用一阶惯性环节来描述。通过“预测-校正”和“自适应步长”方法实现系统仿真。仿真结果与测试数据吻合良好。     

原子的吸收光谱和发射光谱的演示

介绍了利用光学多道分析仪和投影仪在课堂上实时演示原子的吸收光谱和发射光谱的实验方法。     

高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜

在超高真空分子束外延（MBE）生长技术中，反射式高能电子衍射仪（RHEED）能实时显示半导体和金属外延生长过程，给出薄膜表面结构和平整度的信息，成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导（YBa₂Cu₃O₇） 、铁电薄膜（Sr_1-xBa_x TiO₃）及它们的同质和异质外延结构的生长机理，获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构，在常规的制备氧化 关键词： 高温超导薄膜 RHEED     

支持下一代无线宽带应用自适应QoS模型的研究

作为真正完整的下一代网络 ( NGN,Next Generation Network)解决方案 ,NGN需要在固定通信领域和移动通信领域都能够支持综合多媒体特性。NGN中的新一代移动通信网承载在开放式、层次化结构的分组交换网络之上 ,能够为用户提供端到端的 Qo S解决方案。本文分析了下一代移动通信系统中多媒体宽带应用的 Qo S问题 ,从无线通信系统的多层次结构出发 ,建立了业务流的 Qo S指标评判体系 ,为下一代网络中的无线宽带应用提供了一种自适应Qo S控制模型     

L-带掺铒光纤放大器的研究与进展

通过理论计算，比较了C－带掺铒光纤放大器和L－带掺铒光纤放大器的增益特性，并较为全面地阐述了近几年来国内外对L－带掺铒光纤放大器的研究情况。通过对L－带掺铒光纤放大器工作原理的分析，总结出新的设计思路与方案，提出了一些新的研究点。