Theoretical Studies on the Si（001）-SiO2 Interface Structure

1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…     

利用C++Builder 5.0开发原理框图绘图软件

介绍了原理框图各种图形的数据存储方法，利用C^ Builder5.0开发了原理框图的绘图软件，实现了原理框图绘制的基本功能。     

BEPCⅡ直线加速器重大改造和束流调试进展

BEPCⅡ直线加速器的重大改造旨在获得高流强、小发射度和小能散的正负电子束, 以满足对撞机亮度提高两个两级的要求. 这对直线加速器各系统和束流物理是一个挑战. 文章介绍了直接决定束流性能的新电子源、新正电子源、新微波功率源、相位控制系统和束流测量系统等的改造情况; 叙述了束流物理研究; 介绍了束流调试进展情况和进一步改进计划.     

聚变等离子体中的快离子压强

本文运用Fokker-Planck方程的慢化近似,考虑存在多种离子成份(包括杂质),假定它们具有共同的温度,我们得到了聚变产生的快离子压强的简单封闭形式表示式。表明在典型的工作温度下(～60keV),D-~3He等离子体中聚变产生的快离子压强约为本底热压强的20％,这与D-T等离子体工作在20keV时的比值几乎相同。因此,D-~3He和D-T在它们相应的预期工作温度下,它们各自的快离子压强对总压强的影响是类似的,然而在更高的温度下,这个比值将变得更大。     

Crystal-Orientation Dependent Evolution of Edge Dislocations from a Void in Single Crystal Cu

The micro-void growth by dislocation emission under tensile loading is explored with focus on the influence of crystal orientations. Based on the elastic theory, a dislocation emission criterion is formulated. It is predicted that the preferential location of dislocation nucleation and its threshold stress are dependent on the crystal orientation. Large-scale molecular dynamics （MD） simulations are also performed for single crystal copper to illustrate the dislocation evolution pattern associated with a nano-void growth. The results are in line with those given by the theoretical prediction. As revealed by MD simulations, the characteristics of void growth at micro-scale depend greatly on the crystal-orientation.     

纳米累托石-TiO2光催化剂的制备及表征

以TiCl4和累托石为主要原料，制备出纳米累托石-TiO2粉末，并用X-衍射、透射电镜等对其进行表征．结果表明：纳米累托石-TiO2粉末平均直径为17．5nm当焙烧温度从500℃升至800℃时，累托石-TiO2粉末的比表面积从65．7m^2／g下降至3．3m^2／g，单位质量吸附剂的孔体积从0．1430cm。／u降到0．0213cm^3／g；当焙烧温度从300℃上升至500℃时，孔径变化不大，属中孔范围；当焙烧温度升至800℃时，一些孔道出现坍塌，不利于纳米累托石-TiO2粉末的光催化活性．     

高速并行调制解调器中差错控制方法

本文简单介绍了适合高速并行调制解调器中差错控制的Reed-Solomon编码，提出了适合DSP软件实现的一整套的RS码的编码、译码实用方法，并对该编、译码法采用数字信号处理器TMS320C5410b进行仿真，对其性能与传统方法进行了对比。     

XML在机械CAD系统中的应用

分析了Internet上最新的XML技术的特点，通过实例用XML技术对机械CAD产生的各种文档信息进行了描述，并且构造了基于XML文档交换的分布式支持环境的体系结构。     

带有块间串扰MC-CDMA的时域信道估计和多用户检测

本文把带有IBI的MC-CDMA系统等效解释为特殊的直接序列码分多址（DS-CDMA）系统，并给出了相应的时域信道估计方法和时域线性最小均方误差（MMSE）多用户检测方法。仿真实验表明了本文方法的性能。     

静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究

由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。