基于SIP的Internet电话

文章先给出了基于ＳＩＰ（会话初始化协议）的Ｉｎｔｅｒｎｅｔ电话的协议结构,随后对其中传输数据的ＲＴＰ（实时传输协议）和ＲＴＣＰ（实时传输控制协议）进行了介绍和分析,并对会话初始化协议的组成实体、命名、寻址、操作进行了详细的论述。     

分子束外延碲镉汞探测器的变结面积I-V测试研究

碲镉汞红外探测器的表面钝化处理对器件暗电流有较大影响,决定了器件的探测性能。为了研究表面钝化层不同生长方式对暗电流的抑制效果,使用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)系统在Si基衬底上生长碲镉汞材料,分别通过磁控溅射和原位钝化方法生长CdTe/ZnS钝化膜层。采用半导体工艺在碲镉汞材料上制备了变面积光伏探测器。通过测试不同钝化膜层器件的暗电流,分析零偏电阻和面积乘积(R₀A)与周长面积之比(p/A)的关系。结果表明,磁控溅射生长钝化层的Si基碲镉汞器件存在较大的隧穿电流,而原位钝化生长钝化层的Si基碲镉汞器件能更有效地抑制表面漏电流。拟合器件R₀A因子随PN结面积的变化,得出原位生长钝化层的器件具有更好的钝化效果。变面积器件的制备和测试能够有效且直观地反映器件性能。     

暗原色先验图像去雾算法研究

为了减小有雾天气对户外成像系统尤其是航拍视觉系统成像的影响,提出了一种新颖快速的基于暗原色先验和雾天图像退化模型的图像去雾方法.结合航拍图像特点,对原暗原色先验去雾箅法做了优化和改进.选取一系列户外带雾图像进行大量实验,结果表明,该方法能从物理特性上快速明显的去除雾的干扰,提高图像的清晰度,增强图像色彩和细节,复原得到...     

大功率LED封装的温度场和热应力分布的分析

针对典型的大功率发光二极管(LED)塑封器件,建立了3D模型,对器件内部从初始到正常工作状态过程中的温度分布和热应力分布进行了有限元分析模拟,并测试了实际器件表面特征点的温度变化.瞬态热分析的结果与实际的器件表面温度实测数据吻合较好.考虑到不同散热条件的影响,给出了该大功率LED塑封器件中热应力集中区域和该类器件适当的工作范围.     

全光网中的光信噪比估算与系统设计

指出了WDM光传送网中 ,级联光上下路节点或光交叉连接节点后 ,系统构成上与传统级联线路放大器情况下的差异以及常用光信噪比评估公式的近似性。对WDM光传送网中线路给出了一个等效模型 ,并详细推导了光信噪比的计算公式 ,同时计入了光放大器的自发辐射噪声引起的饱和效应。最后针对不同系统配置情况进行了光信噪比的估算 ,分析了估算结果及其对线路设计的指导意义     

超短脉冲激光对无机硅材料的损伤

通过控制作用于材料表面的激光能量和脉冲数量,实验研究了800nm,50fs,1kHz激光作用下融石英玻璃和硅片的破坏机制和损伤规律,计算了材料的损伤阈值与脉冲能量以及脉冲数量的依赖关系,并采用简化的理论模型计算了熔石英玻璃材料的损伤阈值与激光脉宽以及光子能量之间的依赖关系。对这两种无机硅材料在飞秒脉冲作用后的微区结构改变进行了扫描电子显微镜(SEM)测试,研究了其形貌特征。结果表明,硅片是由缺陷中的导带电子作为种子电子引发雪崩电离导致材料损伤,而熔石英玻璃是由多光子电离激发出导带电子引发雪崩电离导致材料损伤。     

甘肃马衔山和田玉化学成分分析和产地判别研究

甘肃马衔山和田玉具有重要的宝玉石价值和考古文化价值,其中产地区分为甘肃马衔山和田玉的研究重点.通过测试分析马衔山和田玉的化学成分,对比其与国内主要产地和田玉的化学成分差异,建立微量元素产地判别模型,对甘肃马衔山和田玉的产地鉴别进行探究,为甘肃齐家文化中古玉器溯源提供数据支撑.以电子探针分析甘肃马衔山和田玉的主量元素,结...     

光纤臂长差对马赫-曾德尔型光纤陀螺的影响

介绍了基于马赫-曾德尔干涉原理和萨格奈克(Sagnac)效应的马赫-曾德尔型光纤陀螺(MZ型光纤陀螺)的工作原理.在此基础上,分析了两光纤臂长差对光纤陀螺零位漂移和温度稳定性的影响,指出臂长差的存在是影响MZ型光纤陀螺系统稳定性和灵敏度的最主要因素.     

基于SURE无偏估计的自适应小波阈值去噪

本文在D.L.Dohono提出的小波阈值去噪的基础上,提出了一种新的阈值函数,与原来的分段阈值函数相比,此函数具有明显优点,表达式简单易于计算,连续可微,易于求导.此函数的这些优点为实现信号的自适应去噪提供了可能.本文应用此阈值函数,基于SURE无偏估计,给出了一种自适应去噪方法.并用受污染的blocks、bumps、heavy sine、doppler等典型信号做实验,实验结果显示此方法能在最小均方误差(MSE)意义上收敛,而且其最小均方误差优于其他文献中的阈值去噪的方法.     

管道超声内检测发射电路设计

在深入分析超声检测发射电路的基础上,设计了基于RLC串联谐振的发射电路,电路以场效应管为开关元件,电感储能形成高频、高压脉冲,建立了发射电路理论模型,分析了电路参数对高压窄脉冲的影响,理论计算产生的宽频高压脉冲激励信号与实验测量结果一致。该电路不需要提供直流高电压,只需要5V单电源供电,就可稳定获得宽度小于1μs,幅度大于400V,且无余振的高压窄脉冲。电路具有结构简单、体积小、不需要直流高压、功耗低、易于集成等特点,满足管道超声内检测的要求。