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Journal of Experimental and Theoretical Physics - The surface current density of charge carriers in two-dimensional doubly periodic n-type semiconductor superlattices in an external magnetic field...  相似文献   
52.
Russian Journal of Applied Chemistry - A method for the disposal of hydrolysis lignin waste based on its modification with ZnCl2 and FeCl3 and subsequent carbonization at 800°C was proposed....  相似文献   
53.
Journal of Applied Spectroscopy - Three simple, sensitive, precise, and rapid spectrophotometric methods are developed and optimized for the assay of vardenafil in pharmaceutical formulations. The...  相似文献   
54.
Russian Journal of Applied Chemistry - In September 1975, the head of Russian electrochemists, Academician A.N. Frumkin (1895–1976), in his report at the XI Mendeleev Congress on General and...  相似文献   
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Theoretical and Mathematical Physics - We study a phenomenological model in which dark matter in the cosmological constant form is identified with the mean energy–momentum tensor of a...  相似文献   
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Russian Journal of General Chemistry - Tungstophosphatozincates with the Keggin anion structure Kt5[PW11O39Zn(H2O)]?nH2O, Kt = Rb+, Cs+, (CH3)4N+; (C2H5)4N+ were synthesized. Their...  相似文献   
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Russian Journal of General Chemistry - The review article traces the main trends of the synthetic approach to the solution of the problem of overcoming the resistance of pathogenic bacterial...  相似文献   
59.
60.
Noncentrosymmetric (NCS) tetrel pnictides have recently generated interest as nonlinear optical (NLO) materials due to their second harmonic generation (SHG) activity and large laser damage threshold (LDT). Herein nonmetal-rich silicon phosphides RuSi4P4 and IrSi3P3 are synthesized and characterized. Their crystal structures are reinvestigated using single crystal X-ray diffraction and 29Si and 31P magic angle spinning NMR. In agreement with previous report RuSi4P4 crystallizes in NCS space group P1, while IrSi3P3 is found to crystallize in NCS space group Cm, in contrast with the previously reported space group C2. A combination of DFT calculations and diffuse reflectance measurements reveals RuSi4P4 and IrSi3P3 to be wide bandgap (Eg) semiconductors, Eg = 1.9 and 1.8 eV, respectively. RuSi4P4 and IrSi3P3 outperform the current state-of-the-art infrared SHG material, AgGaS2, both in SHG activity and laser inducer damage threshold. Due to the combination of high thermal stabilities (up to 1373 K), wide bandgaps (≈2 eV), NCS crystal structures, strong SHG responses, and large LDT values, RuSi4P4 and IrSi3P3 are promising candidates for longer wavelength NLO materials.  相似文献   
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