Ni的掺入对复合氧化物LaFeO3的结构及性质的影响

合成子Ｎｉ替代铁酸稀土复合氧化物ＬａＦ３１－ｘＮｉｘＯ３（ｘ＝０．１－０．６），对样品进行了ＸＲＤ、ＩＲ及Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱测试，结果表明：ｘ＝０＼１，０＼２，０＼３的样品为正交相，ｘ＝０．５，０．６的样品为菱方相；伴随相结构从正交向菱方结构的转变，ＩＲ谱上Ｆｅ（Ｎｉ）－Ｏ键伸振动谱带向高频移动近２０ｃｍ＾－１，Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱测试表明Ｆｅ均处于＋３自旋态，Ｎｉ离子以＋３价进入晶格。     

Relationship between Structure and SHG Effect of Substituted Thienyl Chalcone

1INTRODUCTIONRecentlyorganicnonlinearoptical(NLO)materialsarebeingdevelopedforfre-quencyconversionoflaserinopto-electrics-Especiallybluelightisrequiredforopti-calmemoryofhighdensityrecording.Becauseadiodelaserisusedasalightsource,thenonlinearmaterialswhichhaveextremelyhighvalueofNLOcoefficientsandthetransmissionofblueregionarenecessary.Sincethesecond-orderNLOpropertyoforganiccompoundisderivedfromconjugateddelocalizedrrelectrons,thecompoundswhichhavebeenreportedhavefocusedonthenitroanil…     

An Efficient Method for the Synthesis of Acyl-diazenes Using NaNO_2/NaHSO_4·H_2O

Azo compounds are widely utilized as analytic reagents and dyes1, they can also be used in material of non-linear optics, material of optics information storing in laser disks, and dyes with oil solubility in photochromy in modern technology2. Recently, many noteworthy studies have shown that some azo compounds possess excellent optical memory and photoelectric properties3,4. For example, polymer scaffolds bearing azobenzene-potential are useful for optical information storage, azo-dye doped…     

Molecular Recognition of Bridged Bis(β-cyclodextrin)s Linked by Phenylenediseleno Tether on the Primary or Secondary Side with Fluorescent Dyes

A Novel β-cyclodextrin dimer,2,2′-o-phenylenediseleno-bridgedbis(β-cyclodextrin)(2),has been synthesized by reaction ofmono-[2-O-(p-tolylsulfonyl)]-β-cyclodextrin and poly(o-phenylenediselenide).The complexation stability constants(K_s)and Gibbs free energy changes(-ΔG°)of dimer 2 with fourfluorescence dyes,that is,ammonium 8-anilino-1-naphthalene-sulfonate(ANS),sodium 6-(p-toluidino)-2-naphthalenesul-fonate(TNS),Acridine Red(AR)and Rhodamine B(RhB)have been determined in aqueous phosphate buffer solution(pH=7.2,0.1 mol·L~(-1)at 25℃ by means of fluorescence spec-     

P3实验室通风空调系统自动控制的设计与探讨

重点对P3实验室通风系统自动控制的设计以及在编程中应注意的一些问题进行探讨.     

能动抛光磨盘的变形实验研究

 能动抛光磨盘实时产生不同的表面变形，在对大口径非球面光学元件进行精磨和抛光时实现与工件表面良好的大尺寸吻合，可以消除传统光学加工采用小尺寸磨头时带来的高频残余误差并提高加工效率。以加工直径1.3m左右，F/2的抛物面光学元件为例，对能动磨盘在不同离轴度时能够产生的变形进行了计算和实验。结果表明，能动磨盘能够以较高精度产生旋转对称或非对称的抛物面形状。对能动磨盘产生变形后的残余误差进行了分析。     

高能闪光照相中影响光程确定的几个因素

 利用闪光照相基本原理和成像原理，在直接记录法和转换屏记录法的情况下，研究了闪光照相中影响X射线在材料中光程确定的主要因素。结果表明，影响光程确定的几个因素是：散射效应、光源角分布效应、立体角效应和能谱效应。对于高能闪光照相，散射效应是影响光程确定的最主要因素，散射的存在使光程的测量值比实际值降低20%～40%。因此必须在做CT之前，对散射的影响进行修正。     

基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器

本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）工艺,研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路,能够提供宽带射频接地,减小了级间串扰,利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示,最大增益在108 GHz处达到20.4 dB,在66~112.5 GHz范围内,小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处,实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。     

基于X-LiNbO3/SiO2/Si低温漂、大机电耦合SH-SAW谐振器的设计

铌酸锂(LN)单晶薄膜具有较高的机电耦合系数(k² eff＞30%),其水平剪切(SH)声学模式常被应用于开发具有大机电耦合系数的薄膜声学谐振器和超宽带滤波器。但LN 的频率温度系数较大(TCF ＞ -50×10^-6/℃),这不仅会降低滤波器的可用有效带宽,同时也会限制器件的功率处理能力。采用3D周期有限元模型对基于X 切LN/SiO₂/Si结构SH 声表面波(SH-SAW)谐振器进行了优化研究。研究结果表明,当SH-SAW 传播角ψ=-10°~-20°、LN和SiO₂ 膜厚分别为hLN=0.1λ 和h_SiO2 =0.2λ(λ 为叉指换能器周期)、铝电极金属化率η=0.4、电极相对厚度h_Al/λ=5%~10%时,SH-SAW 谐振器的 k² eff 约为30%,且其TCF＜-20×10^-6/℃,有望用于开发新一代的低温漂、超宽带5G SAW 滤波器。     

一种改进的基于110GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法

提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点 （V_gs > V_th, V_ds = 0 V）的等效电路模型, 推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1 ~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明该方法是有效的。