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951.
952.
sSi/Si0.5Ge0.5/sSOI quantum-well (QW) p-MOSFETs with HfO2/TiN gate stack were fabricated and characterized. According to the low temperature experimental results, carrier mobility of the strained Si0.5Ge0.5 QW p-MOSFET was mainly governed by phonon scattering from 300 to 150 K and Coulomb scattering below 150 K, respectively. Coulomb scattering was intensified by the accumulated inversion charges in the Si cap layer of this Si/SiGe heterostructure, which led to a degradation of carrier mobility in the SiGe channel, especially at low temperature. 相似文献
953.
激光超高温度梯度快速定向凝固研究 总被引:16,自引:0,他引:16
研究了激光重熔工艺参数对三种不同成分的Cu Mn合金重熔区微观组织生长方向的影响。结果表明 ,熔池中微观组织的生长方向强烈地受激光工艺参数 (激光输出功率和扫描速度 )和合金成分的影响。通过选择合适的工艺参数 ,实现了与Bridgman法类似的超高温度梯度快速定向凝固 ,其温度梯度可高达 10 6 K m ,速度可高达 2 4mm s。利用激光表面熔凝技术实现超高温度梯度快速定向凝固的关键在于 :1)在激光熔池内获得与激光扫描速度方向一致的温度梯度 ;2 )根据合金凝固特性选择适当的激光工艺参数以获得胞晶组织。 相似文献
954.
在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上的缺陷所导致.并通过元素成分分析确定接触孔底部钨(W)的缺失,接触孔底部外围粘结阻挡层的氮化钛(TiN)填充完整.结合SRAM写操作的原理从电阻分压的机理上解释了较高压下双比特失效,1.05 V常压下单比特不稳定失效,0.84 V低电压下失效比特却通过测试的原因.1.26 V电压下容易发生的双比特失效是一种很特殊的SRAM失效,其分析过程及结论在集成电路制造行业尤其是对先进工艺制程研发过程具有较好的参考价值. 相似文献
955.
宽角合成孔径雷达二维缺失数据自适应幅相估计成像方法 总被引:1,自引:0,他引:1
宽角合成孔径雷达(WASAR)由于数据获取时间长,强电磁体、无线频段及方位扰动等因素会造成接收数据出现缺失,采用常规FFT处理方法会造成图像混叠,模糊及高旁瓣等问题。该文首先将自适应幅相估计(ATAPES)方法扩展至2维,其次,将tuning因子引入缺失数据外推过程,提出一种2维缺失数据自适应幅相估计(ATMAPES)方法,算法将最优外推估计结果填补回原始数据得到完整2维频域数据,通过循环迭代得到目标位置及幅度的准确估计结果。仿真实验验证了算法的有效性。 相似文献
956.
957.
设计了一种全固态六角晶格卤化银光子晶体光纤,光纤由 AgBr 基底和 AgCl 低折射率介质柱构成。运用全矢量有限元法研究了光子晶体光纤包层层数、占空比和晶格常数等结构参数对光纤有效折射率、损耗以及色散等传输特性的影响。经过参数优化,当包层层数为6,占空比为0.455,晶格常数为110μm 时,卤化银光子晶体光纤在10.6μm 处的泄露损耗仅为0.0195 dB /km,同时在4~14.5μm 中红外波段,色散值在0.3~0.7 ps/(nm·km)之间波动,展示出了极为优良的近零超平坦色散特性和低损耗特性。 相似文献
958.
959.
分布式光纤温度监测与报警系统的研究 总被引:7,自引:2,他引:7
分布式光纤温度传感器系统实质上是分布光纤喇曼光子传感系统(DOFTSS),它是近年来发展起来的一种用于实时测量空间温度场的光纤传感系统,具有自标定,自校准和自检测功能。对光纤测温系统的基本结构和基本原理进行了说明,介绍了分布光纤喇曼光子传感系统基准值,定标和直线拟合算法的实现,通过RS332和光纤测温系统串行通讯实现了系统状态的设置和显示,并组成了火灾预测和报警系统,对硬件结构的实现和软件流程进行了说明。 相似文献
960.