双MCU架构航标监控终端的研制

针对航标监控终端对低功耗、高可靠性的要求,采用双MCU架构设计.在软件系统中建立多任务消息机制,引入时限服务策略对任务的运行时间进行约束,只需定时器和少量资源,提高了软件的可靠性.实际应用表明,该终端的性能指标完全满足设计要求.     

一种新型双簇头分簇算法的性能研究

提出了一种新的双簇头分簇算法,该算法在单簇头分簇算法的基础上增加了一个备用簇头节点,在簇头节点能量耗尽或出现故障时,备用簇头节点能够实时升成簇头节点以维持簇稳定工作,从而减少网络重建的次数,提後高网络稳定性,仿真实验表明,双簇头分簇算法比单簇头分簇算法有更好的稳定性和公平性.     

Mo/Al/Mo结构电极的坡度角和关键尺寸差研究

Mo/Al/Mo结构金属作为TFT的电极,刻蚀后的坡度角和关键尺寸差是重要的参数。明确影响坡度角和关键尺寸差的工艺参数,进而控制坡度角和关键尺寸差,这对工艺制程至关重要。本文探究了膜层结构、曝光工艺、刻蚀工艺对坡度角和关键尺寸差的影响,并对刻蚀工艺进行正交试验设计。实验结果表明:Al膜厚每减小60nm,坡度角下降约9°,关键尺寸差增加0.1μm。曝光工艺中,显影后烘烤会增加光阻粘附力,导致关键尺寸差减小0.1μm,同时坡度角增加约9°。刻蚀工艺中,过刻量每增加10%,坡度角下降3.3°,关键尺寸差增加0.14μm;正交试验结果表明,对关键尺寸差、刻蚀均一性、坡度角影响因素的重要性顺序是:液刀流量Air Plasma电压水刀流量。经上述探究表明,坡度角和关键尺寸差呈负相关关系,刻蚀程度增加,关键尺寸差增加,而坡度角则减小。可以通过调节工艺参数对坡度角和关键尺寸差进行控制。     

一种基于Ag-Sn等温凝固的圆片键合技术

研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片健合。相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度是280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后分离(De-Bonding)温度的圆片级键合方案。使用直径为100mm硅片,盖板硅片上溅射多层金属Ti/Ni/Sn/Au,利用Lift-off工艺来形成图形。基板硅片上溅射Ti/Ni/Au/Ag。硅片制备好后,将盖板和基板叠放在一起送入键合机进行键合。键合过程在N2气氛中进行,键合过程中不需要使用助焊剂。研究了不同键合参数,如键合压力、温度等对键合结果的影响。剪切强度测试表明样品的剪切强度平均在55.17MPa。TMA测试表明键合后分离温度可以控制在500℃左右。He泄漏测试证明封接的气密性极好。     

一种结构新型的双频双极化共口径微带天线

介绍了一种结构新型的双频双极化共口径缝隙耦合微带天线,天线工作的中心频率分别为2.1GHz(L波段)和8.6GHz(X波段),在两个工作频率采用了底馈的馈电方式.用时域有限差分法分别对L波段和X波段双极化的微带辐射单元进行了模拟分析,制作了L波段的2×2元即X波段的8×8元阵天线,同时给出了测量结果.     

基于GHZ态纠缠交换的量子确定性密钥分发方案

为了提高确定性密钥分发效率,提出了基于GHZ态纠缠交换的量子确定性密钥分发(Quantum deterministic key distribution,QDKD)方案,方案充分利用量子力学纠缠交换的原理,通信双方通过共享一对GHZ粒子态,在纠缠、测量操作后接收者Bob可根据发送者Alice发送的经典信息推断出确定密钥,该协议与其他基于GHZ纠缠态的QDKD方案不同之处在于,使用的两个GHZ粒子态制备操作且粒子分发操作由Bob完成,安全分析表明窃听者的窃听行为会被及时发现。所提出的方案是高效的,除去用于窃听检测的粒子,所剩的粒子全部用于信息传输,能够达到60%的密钥分发效率,且方案可操作性强.     

Web上分布式领域组件的框架表示

文章采用知识表示中的框架表示法,结合谓词产生式,语义网络等手段,提出了一个具有网络分布式及Ｗｅｂ化构造特性的领域构架及组件的表示方法ＦＲＤＤＣ。应用ＦＲＤＤＣ实现的ＡＮＤ－ＣＡＳＥ模型表现了ＦＲＤＤＣ的自然性,结构性,Ｗｅｂ可操作性,容纳柔性及知识表达能力。     

基于BF561的嵌入式机器视觉平台

介绍了基于BF561芯片的嵌入式机器视觉平台的硬件构成和实现.该系统充分利用双核DSP芯片BF561在图像处理中的优异性能.克服了传统基于图像采集卡和PC机的图像处理系统的实时性差、体积大和扩展性差等缺点,实现了图像的采集、处理和目标识别由DSP单独完成.     

OrCAD PSpice在模拟电子技术教学应用中的实践

讨论了传统模拟电子技术教学和实验设计的现状,以双极性结型晶体共射极放大器为例子,对OrCAD PSpice仿真技术在模拟教学中的应用进行了探讨。基于OrCAD PSpice仿真技术在很多方面能弥补传统教学的不足,指出先进的模拟电路仿真技术对于模拟电子教学具有重要意义。     

纯硅材料喇曼激光器及硅芯光纤的研究进展

硅材料在1.2～6.6μm波段有高透明和高喇曼增益的特性,易于在室温条件下激发出近中红外波段喇曼激光.详细阐述了硅激光的非线性转换效率的问题.介绍了采用纯硅材料作为增益介质的喇曼激光器的研究进展,并对研究现状进行了报道.预测硅芯光纤将作为新型大功率近中红外的喇曼激光器的增益介质.