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971.
Zhaoguo Chen 《应用数学学报(英文版)》1988,4(1):1-12
If we fit a-vector stationary time series using observationsx(1), ...,x(T) with AR models
, then the spectral densityf() of {x(t)} can be estimated byf
k
(T)
()=(2)–
A
k
(T)
(e
–)–1
k
(T)
A
k
(T)
(e
–i)–, where
are estimates of the variance matrix of(t), the residuals of the best linear prediction. By extending some results for the scalar case, this paper treats the asymptotic properties of the estimates in the multichannel case. 相似文献
972.
973.
Numerical simulation of annular-phased arrays of dipoles forhyperthermia of deep-seated tumors 总被引:1,自引:0,他引:1
We have used the finite-difference time domain (FDTD) method to calculate the SAR distributions from an annular-phased array of eight dipole antennas coupled through water "boluses" in anatomically based three-dimensional models of the human body. We evaluated the effect of tapered bolus chambers, frequency (100-120 MHz), dipole length (17-30 cm), and phase and amplitude of power to the various dipoles on the ability to focus energy in the region of deep-seated tumors in the prostate and the liver. Assuming tumor conductivity and permittivity to be similar or slightly higher than surrounding normal tissues, calculations indicate that adjustment of the noted parameters should result in considerable improvement in focusing of SAR distributions in tumor-bearing regions. If such calculations can be shown to correctly predict empirical measurements from complex inhomogeneous (although not necessarily anatomically correct) phantoms, they may be useful for hyperthermia treatment planning based on patient-specific anatomic models. 相似文献
974.
用于VLSI的SiO_xN_y薄膜的界面陷阱 总被引:3,自引:1,他引:2
陈蒲生 《固体电子学研究与进展》1992,12(4):336-341
采用雪崩热电子注入技术研究了用于VLSI的快速热氮化的SiO_xN_y薄膜界面陷阱。给出这种薄介质膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的变化关系,观察到这种薄膜存在着不同类型的密度悬殊很大的电子陷阱。指出雪崩热电子注入过程中在Si/SiO_xN_y界面上产生两类性质不同的快界面态陷阱,并给出这两种陷阱在禁带中能级位置及密度大小关系;同时还给出禁带中央界面陷阱密度随雪崩注入剂量呈现弱“N”形变化关系,并对实验结果进行了讨论。 相似文献
975.
本文评述了单晶CoSi_2和NiSi_2的结构特点、各种制备方法、器件应用和发展前景。采用分子束外延(MBE)和“内延”法(Mesotaxy)制备的单晶硅化物质量,电学性能和热稳定性较好。由于首次得到理想的突变的金属——半导体接触,使对金属——半导体接触的理论分析成为可能。硅/单晶硅化物/硅结构在实际应用中非常重要,如单晶硅化物作集电极埋层,能降低集电极串联电阻,克服重掺杂埋层的横扩和自掺杂问题,提高了电路工作速度,减小了器件面积。埋层硅化物也可作为微波传输线的地线,是实现高频集成电路互连的好方法。而采用该结构制备的高速器件——金属基区晶体管(MBT)和穿透基区晶体管(PBT),具有很好的应用前景。 相似文献
976.
977.
978.
Convergence of the fractional step Lax-Friedrichs scheme and Godunov scheme for the isentropic system of gas dynamics 总被引:3,自引:0,他引:3
A convergence theorem of the fractional step Lax-Friedrichs scheme and Godunov scheme for an inhomogeneous system of isentropic gas dynamics (1<5/3) is established by using the framework of compensated compactness. Meanwhile, a corresponding existence theorem of global solutions with large data containing the vacuum is obtained.Partially supported by U.S. NSF Grant # DMS-850403 相似文献
979.
980.