用于VLSI的SiO_xN_y薄膜的界面陷阱

采用雪崩热电子注入技术研究了用于VLSI的快速热氮化的SiO_xN_y薄膜界面陷阱。给出这种薄介质膜禁带中央界面陷阱密度随氮化时间的变化关系,观察到这种薄膜存在着不同类型的密度悬殊很大的电子陷阱。指出雪崩热电子注入过程中在Si/SiO_xN_y界面上产生两类性质不同的快界面态陷阱,并给出这两种陷阱在禁带中能级位置及密度大小关系;同时还给出禁带中央界面陷阱密度随雪崩注入剂量呈现弱“N”形变化关系,并对实验结果进行了讨论。     

单晶硅化物及其应用

本文评述了单晶CoSi_2和NiSi_2的结构特点、各种制备方法、器件应用和发展前景。采用分子束外延(MBE)和“内延”法(Mesotaxy)制备的单晶硅化物质量,电学性能和热稳定性较好。由于首次得到理想的突变的金属——半导体接触,使对金属——半导体接触的理论分析成为可能。硅/单晶硅化物/硅结构在实际应用中非常重要,如单晶硅化物作集电极埋层,能降低集电极串联电阻,克服重掺杂埋层的横扩和自掺杂问题,提高了电路工作速度,减小了器件面积。埋层硅化物也可作为微波传输线的地线,是实现高频集成电路互连的好方法。而采用该结构制备的高速器件——金属基区晶体管(MBT)和穿透基区晶体管(PBT),具有很好的应用前景。     

Convergence of the fractional step Lax-Friedrichs scheme and Godunov scheme for the isentropic system of gas dynamics

A convergence theorem of the fractional step Lax-Friedrichs scheme and Godunov scheme for an inhomogeneous system of isentropic gas dynamics (1<5/3) is established by using the framework of compensated compactness. Meanwhile, a corresponding existence theorem of global solutions with large data containing the vacuum is obtained.Partially supported by U.S. NSF Grant # DMS-850403     

在DBU存在下酞菁锰配合物的合成及溶剂影响

在强有机碱１，８－二氮杂双环［５，４，０］十一－７烯（简称ＤＢＵ）存在下，ＭｎＣｌ２与邻二氰基苯在某些二元醇溶剂中可高效合成Ｍｎ（Ⅱ）Ｐｃ（Ｐｃ表示酞菁），同时研究了不同溶剂对合成产物的物种及产率的影响和不同氧化态锰的酞菁配合物在一些醇溶剂中的互变现象     

K2NiF4型结构的A2－xSrxBO4(A＝La, Dy, B＝Mn, Fe, Co, Ni)希土复合氧化物的合成

以典型的轻希土镧和重希土镝及碱土金属锶作为Ａ位离子，以过渡金属锰、铁、钴、镍作为Ｂ位离子，合成了Ｋ２ＮｉＦ４型结构的Ａ２－ｘＳｒｘＢＯ４希土复合氧化物，采用粉末Ｘ射线衍射技术考察了反应条件等因素对生成Ｋ２ＮｉＦ４型四方（Ｔ）结构上析影响，实现结果表明，四方结构的形成不仅与几何因素有关，而且与各组分的物理化学性质有关。各个不同的组成，生成四方相的温度范围也有所不同。适当地提高反应温度以及延长灼烧时间     

配合物的生成热和配体的质子化热之间的直线焓关系——Ⅶ.Ni(Ⅱ)-2,2′-联吡啶-N-(间位取代苯基)氨基乙酸三元体系

有关Ni(Ⅱ)-N-(间位取代苯基)氨基乙酸二元体系的直线焓和直线熵关系,前文已有报道,本文报告Ni(Ⅱ)-2,2′-联吡啶-N-(间位取代苯基)氨基乙酸(Ni(Ⅱ)-biPy-m-RPhG:R=CH_3,H,CH_3O,Cl)三元体系的生成热研究,发现在此三元体系中亦存在良好的直线焓和直线熵关系。     

顶空气相色谱法测定延生护宝液中甲醇残留量

本文用顶空气相色谱法，以ＧＤＸ－１０１为固定相，测定了延生护宝液中甲醇残留量，方法的回收率在８５．９％－１０１．６％之间，变异系数０．３％，最小检出量１．０ｍｇ／Ｌ。