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在氢化丁苯共聚物13C-NMR谱脂肪碳部分谱带归属的基础上,根据各谱带的主要来源,推导出六个二单元浓度的计算公式。计算出二单元、一单元的相对含量,各结构单元的数均序列长度、嵌段含量和其它结构参数。加氢前后的1H-和13C-NMR谱的组成计算结果基本一致。初步探讨了作为粘度指数改进剂的氢化丁苯共聚物微观结构与性能的关系,为合成提供了依据。 相似文献
93.
自由电子激光的预群聚 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了自由电子激光预群聚产生的辐射,表明预群聚不仅可以提高效率而且使低增益得到增强,从而在理论上解释了由射频直线加速器驱动的自由电子激光预群聚器(prebuncher)的作用。同时还指出,预群聚有在不增加电子束能量情况下缩短激光波长和降低对电子束质量要求等作用。 相似文献
94.
报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器,用于双波长稳频CO2激光器的控制得到令人满意的结果。 相似文献
95.
Storage performance-metrics and benchmarks 总被引:2,自引:0,他引:2
Chen P.M. Patterson D.A. 《Proceedings of the IEEE. Institute of Electrical and Electronics Engineers》1993,81(8):1151-1165
The metrics and benchmarks used in storage performance evaluation are discussed. The technology trends taking place in storage systems, such as disk and tape evolution, disk arrays, and solid-state disks, are highlighted. The current popular I/O benchmarks are then described, reviewed, and run on three systems: a DECstation 5000/200 running the Sprite Operating System, a SPARCstation 1+ running SunOS, and an HP Series 700 (Model 730) running HP-UX. Two approaches to storage benchmarks-LADDIS and a self-scaling benchmark with predicted performance-are also described 相似文献
96.
本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施,特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ULSI加工对离子注入的要求。 相似文献
97.
98.
99.
Zhengmao Ye Campbell J.C. Zhonghui Chen Eui-Tae Kim Madhukar A. 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》2002,38(9):1234-1237
An InAs/AlGaAs quantum-dot infrared photodetector based on bound-to-bound intraband transitions in undoped InAs quantum dots is reported. AlGaAs blocking layers were employed to achieve low dark current. The photoresponse peaked at 6.2 /spl mu/m. At 77 K and -0.7 V bias, the responsivity was 14 mA/W and the detectivity, D*, was 10/sup 10/ cm/spl middot/Hz/sup 1/2//W. 相似文献
100.
Yuhua Cheng Chih-Hung Chen Matloubian M. Deen M.J. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(3):400-408
High-frequency (HF) AC and noise modeling of MOSFETs for radio frequency (RF) integrated circuit (IC) design is discussed. A subcircuit RF model incorporating the HF effects of parasitics is presented. This model is compared with the measured data for both y parameter and fT characteristics. Good model accuracy is achieved against measurements for a 0.25 μm RF CMOS technology. The HF noise predictivity of the model is also examined with measured data. Furthermore, a methodology to extract the channel thermal noise of MOSFETs from HF noise measurements is presented. By using the extracted channel thermal noise, any thermal noise models can be verified directly. Several noise models including the RF model discussed in this paper have been examined, and the results show that the RF model can predict the channel thermal noise better than the other models 相似文献