一种微电阻率扫描仪信号分析和处理方法

针对新型的微电阻率成像扫描仪使用的幅度调制信号的特点,提出一种载波相位和调制波幅度的计算方法,重点研究载波相位提取。首先从理论上系统地介绍了基于带通采样和数字正交解调的载波相位和调制波幅度的测量方法,然后通过LabVIEW仿真验证,该方法能实现常温和高温条件下幅度调制信号的载波相位和调制波幅度的高精度测量。     

La掺杂PZST反铁电陶瓷电场诱导热释电现象

研究了Ｌａ掺杂ＰＺＳＴ反铁电陶瓷在不同偏置电场下的场诱热释电特性。在０～１２０°Ｃ温度范围内，热释电的峰值和峰位可以用电场的大小来控制，热释电系数达到１０－７Ｃ／ｃｍ２·Ｋ。     

光孤子误码测量的实验系统

在国内最先进行了孤子通信的误码测量,成功的将２．５Ｇｂ／ｓ的孤子传输了５２ｋｍ,经过连续２小时测量无误码。     

基于流行度分类的流媒体分段策略

对流媒体内部、外部流行度的特点以及流媒体外部流行度与缓存替换次数的关系进行了分析,并在此基础上,针对流媒体的缓存替换通常集中在某一小段流行度范围的特点,提出了一种基于外部流行度分类的流媒体分段方法,令替换频繁的视频采用较小的分段,而其他替换不频繁的视频采用较大的分段,从而提高缓存空间的利用率.实验结果表明,与均匀分段相比,提出的流媒体分段方法可以用更少的分段数目达到相同的命中率.     

近红外波段二维环形光子晶体

提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体,主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs上构成.发现带隙不依赖于入射方向,很少的几排即可在透过谱上产生带隙.六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱显示有一个完全带隙存在,带宽-带隙中心比率高达11%.     

APT多维度分析和防御研究

“APT多维度分析及防御研究”需要遵循两大原则,即“广谱检测”和“精准定位”的策略。所谓“广谱检测”就是设计的检测方法不局限适用于某一特定的类型的僵尸网络、木马或者蠕虫。“精准定位”就是要求检测结果具有较高的准确性,不仅能确定有无,还要定位感染主机。为了满足上面两个原则,需要将多种检测方法整合到一起,多种检测方法在功能上互相补充,在结果上互相印证,才能获得较理想的结果。     

Terahertz Transmission Imaging with 2.52 THz Continuous Wave

In this article, two terahertz transmission imaging systems are built with a 2.52 THz continuous wave laser and two types of sensors. One is array scanning system using a 124×124 pyro-electric array camera as the detector; the other is a point-wise scanning system utilizing a Golay cell as the detector. The imaging speed and quality is briefly analyzed. Terahertz （THz） imaging results demonstrate that the array scanning system has higher imaging speed with lower resolution. The point-wise scanning system has higher imaging quality with lower speed.     

GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试

介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明:常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为(2.47±0.04)×10-9Pa-1,高于Si的压阻系数(7.23±3.62)×10-10Pa-1。同时测试了HEMT在-40~50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa-1/℃的速率减小。     

Effects of vacancy structural defects on the thermal conductivity of silicon thin films

Vacancy structural defect effects on the lattice thermal conductivity of silicon thin films have been investigated with non-equilibrium molecular dynamics simulation.The lattice thermal conductivities decrease with increasing vacancy concentration at all temperatures from 300 to 700 K.Vacancy defects decrease the sample thermal conductivity,and the temperature dependence of thermal conductivity becomes less significant as the temperature increases.The molecular dynamics result is in good agreement with the theoretical analysis values obtained based on the Boltzmann equation.In addition,theoretical analysis indicates that the reduction in the lattice thermal conductivity with vacancy defects can be explained by the enhanced point-defect scattering due to lattice strain.     

新型Sb基二类超晶格红外探测器

InAs/Ga(In)SbⅡ类超晶格材料由于特殊的二型能带结构,可以通过人造低维结构获得类似于体材料的带间吸收,从而获得较高的量子效率;另外,通过调节材料参数调节能带结构,器件响应波段可调;通过能带结构设计抑制俄歇复合,获得较小的暗电流和较高的器件性能。因为以上特有的材料性能和器件特性,Sb基二类超晶格在国际上被认为是第三代红外焦平面探测器的优选材料。对二类超晶格材料的设计和器件特性进行了研究,设计了峰值波长4μm的nBn结构的中波红外探测器,在没有蒸镀抗反膜的条件下,77 K温度下测试得到的峰值探测率为2.4×1011cm Hz1/2W-1,计算得到的量子效率为47.8%,峰值探测率已经接近目前的碲镉汞中波红外探测器器件性能。研究结果充分显示了二类超晶格优越的材料和器件性能。