首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   8231篇
  免费   1320篇
  国内免费   1260篇
化学   2893篇
晶体学   73篇
力学   386篇
综合类   130篇
数学   775篇
物理学   2391篇
无线电   4163篇
  2024年   64篇
  2023年   184篇
  2022年   268篇
  2021年   156篇
  2020年   141篇
  2019年   208篇
  2018年   155篇
  2017年   152篇
  2016年   180篇
  2015年   205篇
  2014年   399篇
  2013年   313篇
  2012年   443篇
  2011年   455篇
  2010年   296篇
  2009年   328篇
  2008年   488篇
  2007年   507篇
  2006年   483篇
  2005年   482篇
  2004年   517篇
  2003年   381篇
  2002年   277篇
  2001年   326篇
  2000年   306篇
  1999年   257篇
  1998年   235篇
  1997年   288篇
  1996年   290篇
  1995年   247篇
  1994年   251篇
  1993年   199篇
  1992年   235篇
  1991年   211篇
  1990年   185篇
  1989年   166篇
  1988年   80篇
  1987年   72篇
  1986年   50篇
  1985年   48篇
  1984年   51篇
  1983年   51篇
  1982年   42篇
  1981年   40篇
  1980年   24篇
  1979年   10篇
  1978年   9篇
  1963年   5篇
  1957年   6篇
  1955年   6篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
王飞鹏  夏钟福  邱勋林  沈军 《物理学报》2006,55(7):3705-3710
根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明,伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿,该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子,及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性;阐明了这两类俘获电荷的能阱分布,即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内,而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中. 关键词: 反极性电晕补偿充电法 铁电驻极体 充电电流 热刺激放电  相似文献   
22.
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.  相似文献   
23.
软件研发人员的考核一直是软件企业管理的难点,笔者在长期的研发管理实践与咨询实践中,总结了进行软件研发人员考核的一些基本原则:  相似文献   
24.
Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm.  相似文献   
25.
本文从室外给水设计规范出发,主要分析了从江河取水的取水泵站实际运行工况与设计规范之间存在的矜持,提出了利用变频调速实现能满足实际运行的经济性又可实现规范要求的可靠性和处理对策。  相似文献   
26.
有限冲激响应(FIR)滤波器设计遇到的难题是滤波要进行大量乘法运算,即使是在全定制的专用集成电路中也会导致过大的面积与功耗.对于用硬件实现系数是常量的专用滤波器,可以通过分解系数变为应用加、减和移位而实现乘法.FIR滤波器的复杂性主要由用于系数乘法的加法器/减法器的数量决定.而对于自适应FIR滤波器,大多数场合下可用数字信号处理器(DSP)或CPU通过软件编程的方法来实现,但是对于要求高速运算的场合,VLSI实现是很好的选择.基于这一考虑,可以用符号数的正则表示(CSD)码表示系数, 再利用可重构现场可编程门阵列(FPGA)技术实现.可重构结构的应用,能保证系统的其余部分同时处于运行状态时实现FIR滤波器系数的更新.文中利用CSD码和可重构思想,提出了用FPGA实现自适应FIR滤波器的一种方案.  相似文献   
27.
The polyacrylic acid functionalized polystyrene nanospheres were synthesized and self-assembled into irregular, densely packed monolayers in non-aqueous media. The polymer nanoparticles were chemically adhered to substrates. The morphologies of the resulting films were investigated. The impact of the volume fraction of alcohol in the mixed solvents on the particle adsorption and fabrication of nanosphere assembled films was examined.  相似文献   
28.
以前我们开展珠心算教学较多地采用集体教学或分组教学,取得了一定的效果。但随着我们教育观念的不断更新,面向全体、注意个体差异等教育思想被广大教师所理解和重视.由此,我们更多地关注那些有特殊要求的幼儿。在这样的思想驱使下,我们开始尝试如何利用幼儿园的区角活动进一步延伸和拓展珠心算教学,更好地培养幼儿的综合能力。  相似文献   
29.
林昌明 《家庭电子》1998,(11):21-21
本文介绍的对讲录音门铃电路具有音质好、声音响亮及连线少的特点,而且成本低,取材方便。该门铃由音频放大电路和按键检测、输出控制电路组成,如附图所示。其室外部分十分简单,仅有按钮开关、电容各两只和电阻、话筒、扬声器各一只。由于话筒MIC1和扬声器SP1均串接了一只电容,因而在平时是没有电流的,只有按下按钮SB1或SB2时才会有直流电流流通。电路的室内部分正是以检测该电流来判断按钮是否按下的。  相似文献   
30.
汤旦林,王松柏.几种国际通用统计软件的比较,数理统计与管理,1997,16(1),48~53.本文对七种著名的国际通用统计软件作了扼要的介绍,并从用户的角度对它们的性能进行了具体的比较  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号