聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔/TiO2纳米复合材料的光物理性能研究

通过原位强碱诱导下的脱氯化氢缩合聚合法制备了一系列不同纳米TiO2含量的聚(2-甲氧基-5-辛氧基)对苯乙炔/纳米二氧化钛(PMOCOPV/TiO2)光电复合材料。红外光谱和拉曼光谱证实了在纳米TiO2表面的包覆层为PMOCOPV。紫外-可见吸收光谱表明随着TiO2含量的增加PMOCOPV/TiO2纳米复合材料的吸收强度提高。高分辨透射电镜观察发现PMOCOPV/TiO2是具有核-壳结构的纳米复合粒子,直径约30 nm,其中PMOCOPV包覆层的厚度约为8~10 nm。荧光光谱研究表明,PMOCOPV/TiO2纳米复合材料的最大发射波长随着TiO2含量的增加发生红移,荧光寿命约为1 ns,且随着TiO2含量的增加荧光强度和荧光寿命得到显著提高,并通过PMOCOPV/TiO2纳米复合材料中的激子离化和电荷传输过程以及复合材料中的电势能级探讨了PMOCOPV/TiO2的荧光量子效率和荧光强度增加的机理。     

亚健康态胸痹的红外热图特征探讨

本研究通过对自述胸闷或发作性心胸疼痛,而客观检查未见阳性发现的人群作为研究对象,采用红外热成像检查,探索亚健康态胸痹的红外热图特征.方法:选择符合条件的受试者,将健康组、亚健康态胸痹组及胸痹组共260例进行胸部红外热图对比分析.结果:(1)亚健康态胸痹组的症状表现程度与红外热图异常变化相符;(2)各组间、各区域的红外热图改变,具有显著的统计学意义.结论:胸部红外热图可作为判断亚健康态胸痹的客观依据之一.     

毛细管区带电泳法测定霍香正气胶囊中和厚朴酚的含量

目的:建立霍香正气胶囊中和厚朴酚含量测定的毛细管区带电泳(CZE)法.方法:采用甲醇溶解样品超声制备供试液;运行缓冲液为40mmol/L硼砂溶液,检测波长254nm.结果:和厚朴酚线性范围0.013-0.20mg/mL,r=0.9917(n=5),厚霍香正气胶囊中和厚朴酚的含量为0.1479mg/粒.结论:此方法快速简便,可用于评价霍香正气胶囊的质量.     

高频地波雷达下的多目标跟踪数据处理

根据高频地波雷达监测海上低速移动目标的要求及该类雷达的特点,提出了一种与高频地波雷达目标跟踪相适应的多目标跟踪数据处理方案。在该方案中对BTC(bayes tracking confirm)方法与BTT(bayes tracking termination)方法进行了改进,解决了上述两种方法在高频地波雷达实际应用中存在的问题。提出了贝叶斯准则与次数判定相结合的跟踪起始和终结方法。模拟结果表明,该方案能够稳定、有效地实现高频地波雷达密集回波下的多目标跟踪。     

微波烧结Al_2O_3陶瓷的研究

简要介绍了微波烧结的特点,对 Ａｌ２ Ｏ３ 陶瓷的微波烧结过程进行了介绍和分析,并同常规烧结进行了对比实验,在此基础上得出了一些结论,为陶瓷微波烧结提供了实验依据     

腔中捕获原子团间的纠缠态

利用单模腔场与捕获原子团的相互作用,提出原子团之间最大纠缠态的制备方案.数值上给出原子团间的纠缠度随白噪声强度的变化关系.计算出系统的热纠缠及其存在的临界温度.     

硅基毫米波共面波导可缩放神经网络模型

随着微电子工艺技术的发展,硅基CMOS器件的截止频率已经达到毫米波频段,使硅基微波单片集成电路实现成为可能。因此,建立硅基毫米波频段共面波导结构模型使准确设计硅基微波单片集成电路成为必要。文章提出了一种基于神经网络技术的共面波导结构(CPW)毫米波可缩放模型,采用3层神经网络结构,根据共面波导的测试结果,用神经网络来学习其物理变量和测试的相应S参数空间映射关系。仿真与测试结果比较表明:基于神经网络方法建立的毫米波共面波导可缩放模型对不同几何参数CPW能够快速和准确地给出对应的CPW的S参数结果。     

MAX1480B在电阻焊控制器上的应用

介绍MAX1480B的主要技术参数指标、引脚排列和工作原理等,描述了基于80C592单片机的电阻焊控制器与基于89C52单片机的编程监视器间以MAX1480B构成的RS485通信通道的硬件和软件设计,给出了系统设计中需要注意的问题。     

聚合物栅绝缘层厚度对并五苯有机场效应管性能的影响

采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为栅绝缘层,制备了并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测量了不同厚度的PMMA的介电特性,并详细分析了栅绝缘层厚度对器件性能的影响。其中,采用260nm厚的PMMA栅绝缘层的OFET具有比采用其它厚度的器件更优越的性能,其场效应迁移率、阈值电压与开关电流比分别达到3.39×10-3 cm2/Vs、-19V和103。     

峰值电流模式降压DC／DC变换器芯片设计

设计了一种基于UMC 0.6μm BCD工艺的降压DC/DC转换芯片.采用固定频率脉宽调制(PWM)、峰值电流模式控制结构以提供优良的负载调整特性和抗输入电源扰动能力;在电流检测输出加斜坡补偿消除峰值电流模式次谐波振荡;设计增益较高、带宽较大的电压反馈误差放大器以提供大的负载调整率和提高负载的瞬态响应能力;设计高单位增益带宽的PWM控制器以适应高开关频率工作的要求,同时提高转换效率.系统仿真结果表明,在4~20 V的输入电压范围内,芯片的开关频率为600 kHz,开关电流限制值为1.8 A,典型应用下转换效率高达90%,并具有良好的抗输入扰动和负载调整能力、快速的瞬态响应能力、小的输出纹波等特点.