XeCl准分子激光对聚对苯二甲酸乙二酯的表面接枝改性

用XeCl准分子激光照射聚对苯二甲酸乙二酯 (PET)薄膜 ,并同时进行表面接枝 ,提高薄膜表面亲水性。研究了激光能量和脉冲次数对照射和接枝后PET薄膜表面亲水性的影响 ,对比了激光照射烧蚀和接枝薄膜的表面性质差异 ,并分析了激光照射和接枝后样品重量变化的影响因素 ,提出了一种新的接枝率计算公式     

LD抽运免调试谐振腔被动调Q的固体激光器

将免调试谐振腔应用于二极管抽运固体激光器 ,采用Cr4 + ∶YAG晶体被动调Q ,准连续二极管侧向非均匀抽运Nd∶YAG激光棒 ,传导冷却 ,KTP腔外倍频 ,具有结构紧凑、抗失调能力强的特点。获得了远场近似平顶高斯分布的激光输出 ,输出波长 0 5 3μm ,能量 5 2 2mJ pulse ,稳定性 0 5 % ,电 光转换效率 3 4 % ,脉宽～ 6ns,重复频率 10～ 4 0Hz,发散角 2 8mrad。     

纳米Al2O3粉体材料激光烧结成型基础试验研究

基于激光烧结快速成型技术 ,利用CO2 激光对纳米Al2 O3 粉体材料进行激光烧结成型的试验并用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪等对烧结样品进行分析。结果表明 ,在适当的工艺参数下 ,对Al2 O3 粉体的激光烧结可获得一定形状的、致密的陶瓷块体 ,块体内部晶粒保持在纳米尺度     

HART协议物理层设备的测试（II）

本文介绍HART协议物理层设备的测试要求、测试设备、测试方法及测试时的一些特别说明。     

基于Gabor展开的水下目标激光探测的信号检测与识别

针对水下目标激光探测的信号检测与识别的问题 ,通过对回波信号的Gabor展开进行分析 ,建立了局部窗口多重相关的峰值检测方法 ,以及利用系数矩阵的迹和特征值描述目标的反射性能 ,实现了对目标的分类识别。实验表明 ,上述方法对目标的有效检测率达 93 0 % ,分类识别有效率达 83 2 %。     

MEMS技术对火控系统的影响

结合火控系统的发展趋势 ,说明了MEMS技术在火控系统中的应用 ,分析了MEMS技术在机械结构、系统性能以及体系结构等方面对火控系统的影响     

基于LonWorks技术的电表抄表采集模块的硬件设计

主要是完成了基于LonWorks技术的电表抄表采集模块的表头信号采样模块和抄表采集器2个部分的硬件设计，并且完成了AT89C51和MCl43150Neuron芯片之间的通讯接口的设计。     

USB数据传输中CRC校验码的并行算法实现

文章介绍了用于USB总线数据传输的CRC校验的原理和算法，并且采用并行电路实现USB2．0中的CRC产生和CRC校验，与传统的串行电路实现相比，并行电路实现方法虽然在芯片面积上大于串行电路实现，但由于降低了时钟频率，电路更容易综合实现，并且大大降低了功耗，有利于低功耗电路设计。     

偏晶向(111)硅片闪耀光栅的设计

利用硅单晶的特殊结构可以设计出不同角度的闪耀光栅，再使用MEMS的紫外光刻、各向异性腐蚀等常规工艺就可以完成硅闪耀光栅的制作。设计了一种利用偏转晶向(111)硅片制作小角度闪耀光栅的方法，避免了利用其它晶向的硅片制作闪耀光栅的缺点。利用这种方法制作了线宽为4μm的硅闪耀光栅，使用原子力显微镜(AFM)进行了光栅表面形貌测试，得到平均表面粗糙度为110．94nm，试验结果表明制作的硅光栅样片具有良好光学特性的反射表面和光栅槽形。     

用于MEMS器件的高性能运算放大器的IC设计与测试

根据特定电容式微传感器后续处理电路的高性能要求。设计一个运算放大器芯片，设计中采用了美国MOSIS公司提供的n阱0.35μm cmos工艺的SPICEBSIM3mos管模型。手算估计芯片的参数，然后采用了两种能系统反映芯片特性的测量电路对设计进行了性能测量。并根据测试结果对设计微出相应调整，从最终测试结果来看。设计的运算放大器具有很好的静态和动态性能。