激光水下成像技术及其进展

介绍了近年发展起来的三种主要的激光水下成像方法，即常规水下激光成像、高分辨率水下激光三维成像和偏振激光成像，分析了它们各自的工作原理、特点以及各自的发展状况。     

微带型Wilkinson功分器设计与实现

小型低功耗器件是射频电路设计的研究热点,而微带技术具有小型化低功耗的优点,为此在介绍微带型Wilkin-son功分器工作原理的基础上,使用基于矩量法的ADS软件设计、仿真和优化计算相关数据参数,并制作了一个微带功分器实例,最后对加工的样品进行实测,获得与仿真值吻合较好的预期结果。     

射频电缆组件组装工艺浅谈

近年来国内外射频电缆组件的发展很快,射频电缆组件的性能不断提高,对射频电缆组件组装工艺也提出了更高的要求.射频电缆组件组装过程多是手工操作,产品的一致性及性能很难控制,要求有良好的工艺保证,为此介绍了射频电缆组件组装工艺,包括电缆的裁剪及剥皮、内导体的连接、外导体的连接和电气性能的测试;探讨了在组装过程中应注意的问题,以及针对内导体焊接易出现虚焊问题进行研究.     

Existence of the uniformly minimum risk equivariant estimators of parameters in a class of normal linear models

In this paper, we study the existence of the uniformly minimum risk equivariant (UMRE) estimators of parameters in a class of normal linear models, which include the normal variance components model, the growth curve model, the extended growth curve model, and the seemingly unrelated regression equations model, and so on. The necessary and sufficient conditions are given for the existence of UMRE estimators of the estimable linear functions of regression coefficients, the covariance matrixV and (trV)^α, where α > 0 is known, in the models under an affine group of transformations for quadratic losses and matrix losses, respectively. Under the (extended) growth curve model and the seemingly unrelated regression equations model, the conclusions given in literature for estimating regression coefficients can be derived by applying the general results in this paper, and the sufficient conditions for non-existence of UMRE estimators ofV and tr(V) are expanded to be necessary and sufficient conditions. In addition, the necessary and sufficient conditions that there exist UMRE estimators of parameters in the variance components model are obtained for the first time.     

双掺(Tm3+,Tb3+)LiYF4激光器1.5 μm波长激光阈值分析

由速率方程推出了双掺（Tm^3 ,Tb^3 ）离子准四能级系统的激光阈值解析式，讨论了Tm^3 和Tb^3 离子之间的相互作用。分析了1.5μm波长附近的激光阈值和Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数及晶体长度的关系。结果表明，对于对应Tm^3 离子^3H4→^3F4跃迁的约1.5μm波长的激光，激活离子Tm^3 的掺杂原子数分数过大时，交叉弛豫作用将使系统阈值迅速增加。Tb^3 离子的加入，一方面能抽空激光下能级，起到降低阈值的作用；另一方面亦减少了激光上能级的寿命，使阈值升高。故Tb^3 离子有最佳掺杂原子数分数。对于Tm原子数分数为y=0.01的Tm:LiYF4晶体，Tb^3 离子的最佳掺杂原子数分数为0.002左右，同时表明，激光阈值与晶体长度有关。最佳晶体长度与Tm^3 、Tb^3 离子的掺杂原子数分数以及晶体的衍射损耗和吸收损耗有关。     

经济实用的DSP电源解决方案

笔者介绍了两种低纹波的DSP电源解决方案:一为采用MAX1793和大电流EMI静噪滤波器NFM41P;二为改进的去耦p型滤波电路和大电流EMI静噪滤波器NFM41P。并对方案的特点及其实现进行了详细的解析。试验结果表明:所述方案的纹波小,仅100 mV左右;成本低,仅几十元;适用范围广,通过改变MAX1793芯片的输出电压,可将本方案移植到TI的C5000,C6000系列,且还可用于其他的脱机工作系统。     

可配置非幂方分频器的全新设计方法

本文采用基于计数空间完全划分和周期插入控制计数过程方法设计了非幂方分频器,采用这种全新思路设计的非幂方分频器分频范围很宽,分频输出对后续分频支持好,非常适用于通讯接口中的波特率时钟设计.此外,这种设计思路对系统定时电路和节拍控制电路设计也有一定的借鉴意义.     

LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究

研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了ＬＤＤ结构参数对器件击穿特性的影响，并结合实验结果对Ｎ＾－区的注入剂量，长度及引入的串联电阻进行了优化设计。     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。