数据挖掘中的数据分类算法综述

在数据挖掘的过程中,使用到很多分类算法,可见分类算法在数据挖掘中占有非常重要的地位。数据分类算法有很多种,各有不同的优缺点,因此,通过对不同算法特性的研究,有助于后期对算法进行相应的改进,确保新的分类算法能够具备更好的实用性能。数据分类算法的性能优良,不仅可以提高数据挖掘的功能性和实用性,还可以确保使用者对算法具备更多的选择性,基于此,对数据挖掘中不同的数据分类算法进行了研究和分析。     

非线性光学晶体材料GaSe激光参数的模拟计算

对红外非线性光学晶体GaSe的非线性性质进行了研究.计算模拟了1.064 μm、2.05 μm、2.79 μm泵浦情况下Ⅰ、Ⅱ类相位匹配情况下GaSe晶体的相位匹配角、有效非线性系数、走离角、允许角和泵浦波波长的关系.同时计算了晶体激光光参量震荡和倍频波波长和相位匹配角、有效非线性系数、走离角、允许角的关系.对计算结果进行了分析比较.所得结果对于GaSe晶体用于特定波长激光器设计新波段提供了理论依据.     

一种图像清晰度评价方法

图像清晰度评价在图像分析和识别中具有重要的意义.对于同一内容的图像,清晰图像的边缘相对模糊图像具有较大的灰度变化率的特征.提出了一种以图像边缘灰度变化率为指标的图像清晰度评价方法,即以每一行灰度值连续下降间隔像素点数最多的边缘灰度变化率代表这一行的灰度变化率,计算出图像所有行灰度变化率均值为评价指标.分析了清晰图像与模糊图像某行边缘灰度变化规律,设计了这种新的图像清晰度评价方法的实现流程.以红外图像和一般的可见光和运动模糊图像为对象,进行了该方法与相邻像素灰度方差法和方差法对比研究.实验结果表明:该方法能更好地满足单调性和无偏性,具有更高的灵敏度.     

一种高可靠并行环网的研究与实现

为了满足工业以太网的高可用性和不间断运行要求,通过对以太网单环结构的可靠性分析,设计了一种高可靠并行环网和冗余处理算法,并可在Linux平台下实现。实验表明,单网故障时,并行环网可无缝切换,收发终端间的丢包率为0。     

RTS与帧分段机制在地空数据链中的应用与改进

将IEEE802．11的RTS／CTS握手机制与MSDU帧分段机制引入地空数据链,建立了基于改进Markov链的地空数据链MAC层协议模型。以最大饱和吞吐量为性能参数推导出合理的RTS阈值和分段阈值算法。分析表明该方法能够提高无线通信效率,降低了误帧率,解决了隐藏终端等问题。     

纸基柔性RFID标签金属天线制备

纸张基材具备的多孔特性使其表面的液体材料产生了渗透、扩散等现象,因此在纸基的表面利用化学镀形成RFID标签金属天线极为困难。针对这个问题,文中采用氯化亚锡胶体溶液对纸张表面进行处理以避免转印油墨渗透。为进一步提高RFID标签天线金属层的导电性和附着力,采用壳聚糖溶液处理纸张基板表面以引入对催化离子具有吸附性的功能基团。SEM、XRD、EDS和附着力测试证明,文中所制备RFID标签天线的金属层表面具有致密、结晶度高、附着力良好、电阻率低(2.58×10 ^-8 Ω·cm)且机械性能良好(1 000次弯曲)等优点。     

一种基于单片机的半导体激光器电源控制系统的设计

介绍了一种以C8051F高速单片机为核心的半导体激光器驱动电源的控制系统。半导体激光器的工作电流是通过恒流源及光功率反馈控制的,其中恒流源采用达林顿管作为调整管,他可调整大范围的输出电流,可为半导体激光器提供稳定、连续的电流,并且具有慢启动和保护电路等功能。     

基于MSP430单片机的USB接口固件编程的研究

基于MSP430系列单片机的系统设计,已经遍布电子产品的每一个领域。以MSP430单片机开发的系统与计算机的通信,可以使得信息数据更好更快的被处理。基于PDIUSBD12芯片,在MSP430F169单片机系统中,设计了用于MSP430进行USB数据传输的固件程序。通过实验结果及其分析,文中的设计能够满足MSP430F169系统USB传输的需求。     

六维加速度传感器动力学方程的矩阵解法

并联式六维加速度传感器动力学方程的强耦合、非线性,给加速度六分量实时、稳定、精确的解耦带来困难。通过引入辅助角速度,系统的欧拉动力学方程由二阶非线性微分方程组化简为一阶线性非定常微分方程组。通过两次利用矩阵解法来分别获得载体辅助角速度和姿态四元数的数值解,从而求解出载体的角运动参量。将角运动参量代入系统牛顿动力学方程中可获取载体的线运动参量,继而实现了加速度六分量的完全解耦。动力学仿真试验表明,在5s内,利用矩阵解法获得的线加速度及角加速度误差分别在0.2%和0.1%以内,充分说明了所推导矩阵解法的正确性及有效性。     

(Bi,Yb)4Ti3O12薄膜退火研究

采用溶胶-凝胶旋涂法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地沉积出(Bi,Yb)4Ti3O12[Bi3.4Ybo.6Ti3O12,BYT]铁电薄膜.系统地研究了退火温度对BYT铁电薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能(剩余极化强度)的影响.揭示了退火温度对BYT薄膜的晶体结构、表面形貌以及铁电性能有着明显的影响,给出了最佳退火温度为700℃左右.