微波宽带超大功率合成技术

介绍了系统内微波宽带超大功率合成原理、合成效率分析、微波宽带行波管功率合成的设计方法以及功率合成的幅相不一致性对合成效率的影响,并提出了行波管选择和行波管电源设计的要点和新思路,给出了一种实用的大功率合成系统的原理框图,介绍了一种微波宽带功率合成系统的调试方法,给出了测试数据以及数据分析,为微波宽带功率合成技术应用开辟了一条有意义的途径。     

SERVQUAL模型在医疗行业的应用设计研究

本文探讨了感知服务评价模型-SERvQuAL模型在医疗行业的适用性,结合医疗服务特点,建立了以沟通性为前导变量的SERVQUAL的医疗感知服务质世理论模型.     

多层In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点 的变温光致发光研究

测量了自组织多层In     

挠性杆弯曲刚度测量的研究

挠性杆是挠性加速度计的关键零件,本文针对挠性杆尺寸细小,难以进行弯曲刚度测量的问题进行了分析。提出了一种新的测量方法,采用视觉传感器实时自动取样并计算挠性杆单端夹持时另一端的下垂角度,进而计算挠性杆的弯曲刚度。理论计算和测试结果表明,该方法可有效解决小尺寸挠性杆弯曲刚度监测中的精度低、操作困难、效率低下等问题。     

Complete Solution of Sun Tracking for Heliostat

A general solution of sun tracking for an arbitrarily oriented heliostat towards an arbitrarily located target on the earth is published. With the most general form of solar tracking formulae, it is seen that the used azimuth-elevation, spinning-elevation tracking formulae etc. are the special cases of it. The possibilities of utilizing the general solution and its significance in solar energy engineering are discussed.     

A Hierarchy of Integrable Lattice Soliton Equations and New Integrable Symplectic Map

Starting from a discrete spectral problem, a hierarchy of integrable lattice soliton equations is derived. It is shown that the hierarchy is completely integrable in the Liouville sense and possesses discrete bi-Hamiltonian structure. A new integrable symplectic map and finite-dimensional integrable systems are given by nonlinearization method. The binary Bargmann constraint gives rise to a Bäcklund transformation for the resulting integrable lattice equations. At last, conservation laws of the hierarchy are presented.     

快速响应高压电源在KTP晶体极化反转中的应用研究

分析了KTP晶体电导率的特性,设计与研制出一种新型的高压脉冲放大器,可将任意信号发生器产生的信号线性放大,响应速度快,最高输出电压为4000V,最大输出电流为30mA,功率可达100W.用其在KTP晶体上进行多次极化反转实验,取得良好的实验结果.     

LBO晶体超光滑表面抛光机理

胶体SiO2抛光LBO晶体获得无损伤的超光滑表面,结合前人对抛光机理的认识,探讨了超光滑表面抛光的材料去除机理,分析了化学机械抛光中的原子级材料去除机理.在此基础上,对胶体SiO2抛光LBO晶体表面材料去除机理和超光滑表面的形成进行了详细的描述,研究抛光液的pH值与材料去除率和表面粗糙度的关系.LBO晶体超光滑表面抛光的材料去除机理是抛光液与晶体表面的活泼原子层发生化学反应形成过渡的软质层,软质层在磨料和抛光盘的作用下很容易被无损伤的去除.酸性条件下,随抛光液pH值的减小抛光材料的去除率增大;抛光液pH值为4时,获得最好的表面粗糙度.     

Cu3N薄膜及其研究现状

Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一.Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值.Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或红褐色,空间点群Pm3m.Cu3N薄膜在室温下相当稳定并且热分解温度较低(300℃左右),热分解前后薄膜的光学反射率有较大差别,这可使Cu3N薄膜用作一次性光记录材料.此外,Cu3N薄膜还可用作在Si片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的阻挡层、自组装材料的模板等.     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…