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121.
In this paper, a Ka-band thin film microstrip line(TFMS) filter with multi-layer structure on silicon substrate is introduced. The simulated results show that it is possible to design compact millimeter-wave filter on silicon substrate with process compatible to current VLSI technology. 相似文献
122.
123.
立方相GaN的持续光电导 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 . 相似文献
124.
硅表面上的纳米量子点的自组织生长 总被引:1,自引:1,他引:0
纳米半导体量子点以其所具有的新颖光电性质与输运特性正在受到人们普遍重视。作为制备高质量纳米量子点的工艺技术 ,自组织生长方法倍受材料物理学家的青睐。而如何制备尺寸大小与密度分布可控的纳米量子点更为人们所注目。因为这是关系到纳米量子点最终能否器件实用化的关键。文中以此为主线 ,着重介绍了各种 Si表面 ,如常规表面、氧化表面、台阶表面以及吸附表面上 ,不同纳米量子点的自组织生长及其形成机理 ,并展望了其未来发展前景 相似文献
125.
网络虚接口对特殊数据包的处理起着很大的作用。文章介绍了网络虚接口的概念,在对传统的网络接口比较分析的基础上,设计和实现了一个基于量Linux的用于对发送数据包的内容进行特殊处理的网络虚接口。 相似文献
126.
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 相似文献
127.
128.
Lianshan Yan Yeh C. Yang G. Lin L. Chen Z. Shi Y.Q. Willner A.E. Yao X.S. 《Lightwave Technology, Journal of》2003,21(7):1676-1684
We demonstrate the first programmable group-delay module based on polarization switching. With a unique binary tuning mechanism, the device can generate any differential group delay value from -45 to +45 ps with a resolution of 1.40 ps, or any true-time-delay value from 0 to 45 ps with a resolution of 0.7 ps. The delay varying speeds for both applications are under 1 ms and can be as fast as 0.1 ms. We evaluate both the dynamic and static performances of the device while paying special attention to its dynamic figures of merit for polarization-mode dispersion emulation and compensation applications. Our experiment shows that the device exhibits a negligible transient-effect induced power penalty (<0.2 dB) in a 10-Gb/s nonreturn-to-zero system. 相似文献
129.
We study maps from a 2‐surface into the standard 2‐sphere coupled with Born‐Infeld geometric electromagnetism through an Abelian gauge field. Such a formalism extends the classical harmonic map model, known as the σ‐model, governing the spin vector orientation in a ferromagnet allows us to obtain the coexistence of vortices and antivortices characterized by opposite, self‐excited, magnetic flux lines. We show that the Born‐Infeld free parameter may be used to achieve arbitrarily high local concentration of magnetic flux lines that the total minimum energy is an additive function of these quantized flux lines realized as the numbers of vortices antivortices. In the case where the underlying surface, or the domain, is compact, we obtain a necessary sufficient condition for the existence of a unique solution representing a prescribed distribution of vortices antivortices. In the case where the domain is the full plane, we prove the existence of a unique solution representing an arbitrary distribution of vortices and antivortices. Furthermore, we also consider the Einstein gravitation induced by these vortices, known as cosmic strings, establish the existence of a solution representing a prescribed distribution of cosmic strings cosmic antistrings under a necessary sufficient condition that makes the underlying surface a complete surface with respect to the induced gravitational metric. © 2003 Wiley Periodicals, Inc. 相似文献
130.
Horng-Shyang Chen Shun-Lee Liu C. C. Yang Yean-Woei Kiang 《Optics Communications》2003,220(4-6):383-388
We report the reduced waveguiding efficiency for the signals around 1560 nm as the injection current of an GaAs/AlGaAs multiple quantum well laser diode (lasing wavelength at 840 nm) with a ridge-loading waveguide configuration increased. This reduction trend stopped when the injection current reached the threshold condition of the laser diode. The decreased waveguide transmission and the more expanded mode profile indicated the variation of the effective refractive index gradient in the lateral dimension with injection current. This variation was due to the refractive index decrease with increasing carrier density even below band gap. A slab waveguide model was used to simulate the lateral mode profile variation with injection current. The refractive index differences between the guiding layer and claddings in the slab waveguide model provided estimates of refractive index contrasts of the laser diode at a concerned wavelength under various injection conditions. 相似文献