用R—DCIV方法研究MOST过渡层影响

为了研究MOS晶体管中过渡层对于电学特性的影响,通过采用电子一空穴复合的直流电压电流特性方法,改变MOST过渡层不同的参数,画出其界面电子一空穴复合的直流电流电压特性曲线,分析比较有无过渡层曲线的变化情况来讨论MOST的电学性质。通过分析得出过渡层对于晶体管的影响较小,在工业生产可以接受的误差范围之内,因此在工业生产中不必再刻意考虑过渡层对MOS晶体管造成不利影响。     

GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析

介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。     

基于USB HID类数据通信的直流电源监控设计

为了实现直流电源的监控,提出了一种具有USB HID数据通信功能的直流电源设计方案。详细论述了基于STM32 USB固件库(USB-FS Device library V3.3)的自定义HID类下位机的实现,介绍了如何在VC2010集成开发环境中编写多线程上位机程序并运用PlotLab(一个快速信号绘图和可视化的VCL组件)显示实时波形,最后再以实验开发板和PC实现了HID数据通信,证明了此监控设计方案的可行性。     

InP基功率HEMT结构材料分子束外延生长研究

从 3个层面研究了分子束外延 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In P功率 HEMT结构材料生长技术。首先 ,通过观察生长过程的高能电子衍射 (RHEED)图谱 ,确立了 Ga0 .47In0 .53As/ In P结构表面层的 MBE RHEED衍射工艺相图 ,据此生长的单层 Si-doped Ga0 .47In0 .53As(40 0 nm) / In P室温迁移率可达 6960 cm2 / V· s及电子浓度 1 .3 3 E1 7cm- 3。其次 ,经过优化结构参数 ,低噪声 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In P HEMT结构材料的 Hall参数达到μ30 0 K≥ 1 0 0 0 0 cm2 / V· s、2 DEG≥ 2 .5 E1 2 cm- 2 。最后 ,在此基础之上 ,降低 spacer的厚度、在 Ga0 .47In0 .53As沟道内插入 Si平面掺杂层并增加势垒层的掺杂浓度获得了功率 Al0 .48In0 .52 As/ Ga0 .47In0 .53As/ In PHEMT结构材料 ,其 Hall参数达到μ30 0 K≥ 80 0 0 cm2 / V· s、2 DEG≥ 4 .0 E1 2 cm- 2 。     

WCDMA中变步长功率控制过程

本文提出了一种可应用于WCDMA中的变步长功率控制策略,这种功控策略根据TPC命令的"历史",将功率控制过程划分为Markov状态,分析信道衰落步长的概率密度,每一状态对应一个确定的步长值,从而可以确定功率控制步长集中的步长数,我们选用概率密度最大的数值,同时考虑硬件可以分辨的最小步长在0.5dB左右,确定步长集.再用仿真的方法,确定状态和步长的对应关系.发射机依据当前的TPC命令决定应该增大还是减小发射功率,依据当前TPC命令和"历史"上的TPC命令选择合适的功率步长,进而确定发射功率.     

二元光学元件——微透镜

介绍了二元光学的产生和发展,着重阐述了二元光学元件之一的微透镜的设计、制作和测试方法以及它们的主要应用。     

散射通信中的校频技术研究

由于对流层散射信道存在严重的衰落现象,故而传统的锁相环机制在散射通信中往往难以奏效。针对此问题,提出了基于提载滤波器幅频特性的校频技术和基于CORDIC算法的校频技术,详细阐述了这2种技术的工作原理及具体实现方案,并对这2种校频技术分别进行了评估,给出了基于CORDIC算法的校频技术在信道模拟仪上的测试数据和结论。     

基于TMS320F2812的双电源供电电路设计实现

电源供电电路设计对DSP系统的可靠应用具有十分重要的意义。针对TI公司DSP芯片TMS320F2812的双电源供电电路,结合双电源供电芯片和上电复位芯片的应用特点,实现了1．9V的核电源和3．3V的I／O电源的双电源供电电路,并对电路中主要芯片的应用电路作了相应分析。在上电次序上,本设计满足I／0电源和核心电源的上电先后顺序要求。经验证双电源启动电路完全满足启动要求,所有设计电路工作稳定可靠,本设计为DSP应用系统稳定工作提供了有效的保障。     

基于Sagnac干涉仪的级联型梳状滤波器

密集波分复用(DWDM)系统光信道数量的增加,使得与DWDM技术有关的各种光学滤波器技术成为当前光纤通信领域的研究热点.高双折射(HiBi)光纤环具有易于制作、性能稳定以及良好的滤波特性等特点,近年来受到广泛关注;通过增加Sagnac环内HiBi光纤和偏振控制器的个数,或者采用多个HiBi光纤Sagnac环的级联形式,...     

Ob ject-Based Classification Metho d for PolSAR Images with Improved Scattering Powers and Contextual Features

This paper proposes a new object-based classification method for Polarimetric synthetic aperture radar (PolSAR) images, which considers scattering powers from an improved model-based polarimetric decomposition approach, as well as the spatial and textural features. With the decomposition, the scattering ambiguities between ori-ented buildings and vegetation are reduced. Furthermore, various contextual features are extracted from the ob ject and incorporated into the K-nearest neighbors (k-NN) based classification. To reduce the feature redundancy, a new Supervised locally linear embedding (S-LLE) dimen-sionality reduction method is introduced to map the high dimensional polarimetric signatures into the most compact low-dimensional structure for classification. Experimental results with Airborne synthetic aperture rada (AIRSAR) C-band PolSAR image demonstrate the superior perfor-mance to other methods.