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High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 相似文献
93.
94.
利用集值映射切导数与半可微概念,给出了无约束与具约束的集值向量优化问题局部真有效解与局部强有效解的最优性条件。 相似文献
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广义拟变分不等式解集的稳定性及本质连通区的存在性 总被引:3,自引:3,他引:0
在赋范线性空间下.讨论广义拟变分不等式解集的稳定性,证明了满足一定连续性和凸性条件的广义拟变分不等式问题构成的空间M中,大多数(在Baire分类意义下)广义拟变分不等式问题的解集是稳定的,并证明了M中每一个广义拟变分不等式的解集至少存在一个本质连通区。 相似文献
96.
提出了一种利用简并Ⅴ型三能级原子与相干态光场(大失谐条件下)Raman相互作用实现类自旋的腔场Greenberger-Home-Zeilinger(即GHZ)态的新方案。 相似文献
97.
98.
具有交易成本的证券组合投资决策研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文利用均值-方差模型,分析了有交易成本的证券投资组合的决策问题,给出了风险资产和无风险资产的最优投资比例与交易成本关系的一个有意义的结论。 相似文献
99.
陈晓雷 《南昌大学学报(理科版)》2004,28(2):130-132
证明了一致u0-凹算子A满足一定条件时,迭代列xn=Axn-1(n=1,2,…)能以很快的速度收敛于算子方程Ax=x的正解x*. 相似文献
100.
本文运用信息保存法对低速二维的流动现象进行模拟,考察了低速条件下的有限平板绕流以及微槽道气体流动问题。研究表明:在对低速流动的模拟过程中,运用IP法在能够获得较好的结果的同时,具有比DSMC方法更高的计算效率。 相似文献