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11.
针对目前集成电路版图分析与设计课程存在教学方法老化、教学模式形式化等问题,本文以OBE-CDIO教育理念为指导,对”集成电路版图分析与设计”课程的课程教学模式、课程设计、项目式教学方式和课程考核方式等方面的改革进行有益的探索与实践。将工程教学认证中对学生的专业毕业要求作为制定教学目标的依据,将BB网络平台、ISO9001等现代化教学资源和质量标准融入课堂教学,采用OBE-CDIO能力教学理念指导课程设计,实现教学环节与考核环节的科学化与多元化,通过引入课程思政激发学生学习热情,树立社会主义核心价值观,全面地培养学生的综合版图分析与设计能力和素养。 相似文献
13.
Xinghua Li Yuqin Yang Junjie Miao Zhendong Yin Yijing Zhai Hongmei Shi Zengning Li 《Electrophoresis》2020,41(18-19):1584-1591
In the present research, field-amplified sample injection–CZE (FASI–CZE) coupled with a diode array detector was established to determine trace level sulfa antibiotic. Sulfathiazole, sulfadiazine, sulfamethazine, sulfadimethoxine, sulfamethoxazole, and sulfisoxazole were selected as analytes for the experiments. The background electrolyte solution consisted of 70.0 mmol/L borax and 60.0 mmol/L boric acid (including 10% methanol, pH 9.1). The plug was 2.5 mmol/L borax, which was injected into the capillary at a pressure of 0.5 psi for 5 s. Then the sample was injected into the capillary at an injection voltage of –10 kV for 20 s. The electrophoretic separation was carried out under a voltage of +19 kV. The capillary temperature was maintained at 20˚C throughout the analysis, and six sulfonamides were completely separated within 35 min. Compared with pressure injection-CZE, the sensitivity of FASI-CZE was increased by 6.25–10.0 times, and the LODs were reduced from 0.2–0.5 to 0.02–0.05 μg/mL. The method was applied to the determination of sulfonamides in river water and particulate matter samples. The recoveries were 78.59–106.59%. The intraday and interday precisions were 2.89–7.35% and 2.77–7.09%, respectively. This provides a simpler and faster method for the analysis of sulfa antibiotic residues in environmental samples. 相似文献
14.
陈彦名 《电信工程技术与标准化》2015,(5)
介绍了目前最炙手可热的REST架构风格,该风格顺应Web2.0的兴起,完美的匹配了云计算时代来临的可扩展要求,在各种应用场景中都得到了充分的表现。根据其技术特点,分析了该风格的API在移动通信网络管理中的应用,从网管系统内部、网管系统之间以及网管系统与上层APP应用之间等多方面对是否适用于REST风格以及如何在合适的位置使用REST API进行了分析。 相似文献
15.
Within the framework of the effective-mass approximation and the dipole approximation, considering the three-dimensional confinement of the electron and hole and the strong built-in electric field(BEF) in strained wurtzite Zn O/Mg0:25Zn0:75O quantum dots(QDs), the optical properties of ionized donor-bound excitons(D+, X)are investigated theoretically using a variational method. The computations are performed in the case of finite band offset. Numerical results indicate that the optical properties of(D+, X) complexes sensitively depend on the donor position, the QD size and the BEF. The binding energy of(D+, X) complexes is larger when the donor is located in the vicinity of the left interface of the QDs, and it decreases with increasing QD size. The oscillator strength reduces with an increase in the dot height and increases with an increase in the dot radius. Furthermore, when the QD size decreases, the absorption peak intensity shows a marked increment, and the absorption coefficient peak has a blueshift. The strong BEF causes a redshift of the absorption coefficient peak and causes the absorption peak intensity to decrease remarkably. The physical reasons for these relationships have been analyzed in depth. 相似文献
16.
乳腺疾病已严重危害女性身心健康,其中乳腺癌更位居全球范围内女性癌症发病率和死亡率首位,因此乳腺癌的早期发现意义重大。传统结构影像学早期检测疾病具有一定局限性,而红外热成像作为功能成像技术可为乳腺癌的早期筛查提供有效线索。因此本文主要就红外热成像在乳腺疾病的早期检测及预后评估的应用价值进行综述。 相似文献
17.
量子自旋液体是最近几年刚被人们证实除铁磁体、反铁磁体之外的第三种磁性类型,因其有望解释高温超导的运行机制、改变计算机硬盘信息存储方式而在物理、材料等领域备受关注。自旋阻挫作为量子自旋液体的最小单元可能是解开量子自旋液体诸多问题的钥匙,所以在磁学、电学研究领域再一次成为人们研究的热点。基于文献报道的三核铜配合物[Cu3(μ3-OH)(μ-OPz)3(NO3)2(H2O)2]·CH3OH(1),我们合成了三维金属有机框架配合物{[Ag(HOPz)Cu3(μ3-OH)(NO3)3(OPz)2Ag(NO3)]·6H2O}n(2)(HOPz=甲基(2-吡嗪基)酮肟),并从自旋阻挫的角度对二者磁性质进行对比和详细分析。磁化率数据表明自旋间有很强的反铁磁相互作用和反对称交换。通过包含各向同性和反对称交换的哈密顿算符对两者磁学数据进行拟合并研究其磁构关系,所获最佳拟合参数为:配合物1:Jav=-426 cm^-1,g⊥=1.83,g∥=2.00;配合物2:Jav=-401 cm^-1,g⊥=1.85,g∥=2.00。 相似文献
18.
We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel. 相似文献
19.
20.