全文获取类型
收费全文 | 160857篇 |
免费 | 39516篇 |
国内免费 | 37454篇 |
专业分类
化学 | 75183篇 |
晶体学 | 2453篇 |
力学 | 7883篇 |
综合类 | 1877篇 |
数学 | 16113篇 |
物理学 | 71476篇 |
无线电 | 62842篇 |
出版年
2024年 | 1054篇 |
2023年 | 2430篇 |
2022年 | 3777篇 |
2021年 | 3773篇 |
2020年 | 3935篇 |
2019年 | 4662篇 |
2018年 | 4540篇 |
2017年 | 5954篇 |
2016年 | 6054篇 |
2015年 | 7868篇 |
2014年 | 8348篇 |
2013年 | 10832篇 |
2012年 | 11921篇 |
2011年 | 13149篇 |
2010年 | 15868篇 |
2009年 | 16203篇 |
2008年 | 10298篇 |
2007年 | 9529篇 |
2006年 | 8913篇 |
2005年 | 8145篇 |
2004年 | 8045篇 |
2003年 | 6047篇 |
2002年 | 5733篇 |
2001年 | 5876篇 |
2000年 | 5164篇 |
1999年 | 3971篇 |
1998年 | 2949篇 |
1997年 | 2616篇 |
1996年 | 2911篇 |
1995年 | 3238篇 |
1994年 | 3250篇 |
1993年 | 3436篇 |
1992年 | 2911篇 |
1991年 | 2533篇 |
1990年 | 2100篇 |
1989年 | 2212篇 |
1988年 | 2088篇 |
1987年 | 1291篇 |
1986年 | 1347篇 |
1985年 | 938篇 |
1984年 | 1081篇 |
1983年 | 471篇 |
1982年 | 967篇 |
1981年 | 808篇 |
1980年 | 841篇 |
1979年 | 589篇 |
1978年 | 574篇 |
1977年 | 652篇 |
1976年 | 1054篇 |
1972年 | 547篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 2 毫秒
71.
阐述目前国内常见的建设城域网的技术并深入分析比较几种技术的优势和劣势 ,并就CWDM技术的发展和应用方案实例作了简要描述 相似文献
72.
73.
连续波半主动雷达制导空空导弹截获跟踪距离计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了连续波半主动雷达制导导弹导引头工作电磁环境和对武器系统攻击区的影响,建立了热噪声和杂波干扰环境下导引头截获距离方程,分析推导了直波泄漏干扰,地杂波干扰的计算公式,并在此基础上给出了导弹允许攻击区计算公式。 相似文献
74.
A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi2 nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n+-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO2 and 300 nm Si3N4. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi2 layer and a subsequent out-diffusion process to form the n+-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated. 相似文献
75.
通过对有线电视系统干扰信号产生原因的理论分析,提出在实际操作中的解决方案,以期达到使有线电视系统信号的输出更稳定、电视画面更清晰的目的。 相似文献
76.
77.
空时分组码技术结合信道编码、调制和天线分集技术,当发送天线一定时,他的解码复杂度正比于发送速率,在3G标准中,该技术有着重要的地位。对空时分组码及相关知识进行了介绍,并对可变速率的空时分组码设计进行了探讨,最后展望了空时分组码技术的应用前景。 相似文献
78.
79.
80.
超级电容在手机电源中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
超级电容又称法拉电容,是指其容量为法拉级的电容。文章介绍了应用超级电容作为手机电池的总体思路并重点介绍了其充电电路、升压电路和控制电路的设计。该电池具有充电快、寿命长、免维护并且环保等特点。 相似文献