}MSo浸种对大麦种子萌发及若干性状的影响

本文报道二甲亚矾(DMSO)浸种影响大麦“早熟3号”种子的萌发以及浸种后种子的渗漏和呼吸强度等的变化.结果表明:在24℃条件干浸种，。.1%和5芳的DMSO明显促进种子的萌发，5劣DMSO浸种的促进作用尤为明显.然而这种影响效应在zs c条件下浸种则完全相反，对种子萌发有抑制作用，表现明显的温度效应.     

广播发射集散控制系统

本文介绍了广播发射台利用计算机技术、网络技术、遥控遥测技术、现代测试手段，对设备进行自动化控制与管理；实现设备技术指标自动测试，发射台无人值班、有人留守，建立机器的计算机档案制度，确保安全优质播出的方法和经验。     

羰基镍分析报警仪

羰基镍分析报警仪运用化学发光原理构成，不仅适用于羰基镍生产车间现场的检测和报警，也适于实验室的研究工作。检出限达0.037mg/m^3(0.5ppb），响应时间2min。     

黄酮类天然产物13C NMR数据的计算机检索和辅助解析(Ⅱ)黄酮类天然产物的13C NMR数据规律及其在智能解析中的应用

本文通过对大量的黄酮类化合物¹³C NMR图谱的分析和研究,总结了不同类型的黄酮类化合物的¹³C NMR图谱特征及化学位移规律.对影响黄酮类化合物结构骨架上不同位置碳原子化学位移的因素进行了分析,建立了用于黄酮类天然产物¹³C NMR图谱智能解析的知识库.     

Study on the dispersion characteristic of the plasma-loaded relativistic BWO

The dispersion characteristic of the plasma-loaded relativistic backward wave oscillator has been analyzed. The theoretical model has been established and the numerical calculations accord with the experimental results, which provides some useful suggestions on the designing of slow-wave structure of BWO.     

The Effects of Scaling and Bias Configuration on Operating-Voltage Constraints in SiGe HBTs for Mixed-Signal Circuits

This paper presents a comprehensive picture of operating-voltage constraints in SiGe heterojunction bipolar transistors, addressing breakdown-related issues as they relate to technology generation, bias configuration, and operating-current density. New definitions for breakdown voltage, adopted from standard measurements, are presented. Practical design implications and physical origins of breakdown are explored using calibrated 2-D simulations and quasi-3-D compact models. Device-level analysis of ac instabilities and power performance, which is relevant to mixed-signal circuit design, is presented, and implications of the relaxed voltage constraints for common-base operation are explored.     

存储媒体的媒体内同步反馈控制算法

本文提出了一种存储媒体的媒体内同步反馈控制算法，该方案是建立在缓冲区占用率控制基础上，通过周期性地检查缓冲区的占用情况来检测失步，并将其反馈给发送方，由发送方对发送帧速率进行调整。文章给出了接收方所需缓冲区的设计准则及发送帧速率的调整方法，并分析了算法中各参数对同步性能的影响。实验表明该方案能够处理由于网络传输时延特性变化引起的失步，与其它反馈控制方案相比具有更低的数据丢弃率，从而使接收端播放平滑连续，具有良好的视频播放质量。     

非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析

在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 退火温度为550℃时,大部分(约80%)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm 退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为15μm.     

电子束光刻中的辐照损伤

本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。