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101.
PowerBuilder的主要特色是方便有效的访问和管理数据库。PB技术对数据库的管理是通过三个重要的环节实现的。一是创建一个好的数据库;二是编制应用程序创建数据窗口;三是建立数据窗口与数据库的连接。 相似文献
102.
A new integrated magnetic full wave DC/DC power converter that provides flexible transformer design by incorporating an independent output inductor winding is introduced. The transformer is implemented on a traditional three-leg magnetic core. The inductor winding can be separately designed to control the output current ripple. The cross-sectional area of the inductor core leg can be reduced dramatically. The operation and performance of the proposed circuit are verified on a 100 W prototype converter. 相似文献
103.
104.
Zhen‐Feng Chen Hong‐Li Zhou Hong Liang Yan Li Ren‐Gen Xiong Xiao‐Zeng You 《应用有机金属化学》2003,17(11):883-884
The centrosymmetric binuclear structure of [Pb2(H‐Norf)2(ONO2)4]shows the geometry around each lead(II) atom to be distorted trigonal bipyramidal with Pb–O distances ranging from 2.357(3) to 2.769(4) Å. Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
105.
本文介绍了可在微机上实现大规模电信网践模拟的实用化软件SIMUNET,及基所采用的无时钟事件追踪法。该软件可用规划中的电信网络和实际网路的模拟及性能评价,也可用于不同流量控制算法的评价。文中给出一个评价实例。 相似文献
106.
BAHADURASYMPTOTICEFFICIENCYINASEMIPARAMETRICREGRESSIONMODEL¥LIANGHUA;CHENGPINGAbstract:TheauthorSgiveMLEθ1MLofθ1inthemodelY=θ... 相似文献
107.
Chung S.S. Shui-Ming Cheng Lee R.G.-H. Song-Nian Kuo Mong-Song Liang 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1997,44(12):2220-2226
This paper reports a simple I-V method for the first time to determine the lateral lightly-doped source/drain (S/D) profiles (n- region) of LDD n-MOSFETs. One interesting result is the direct observation of the reverse-short-channel effect (RSCE). It is observed that S/D n- doping profile is channel length dependent if reverse short-channel effect exists as a result of the interstitial imperfections caused by Oxide Enhanced Diffusion (OED) or S/D implant. Not only the lateral profiles for long-channel devices but also for short-channel devices can be determined. One other practical application of the present method for device drain engineering has been demonstrated with a LATID MOS device drain engineering work. It is convincible that the proposed method is well suited for the characterization and optimization of submicron and deep-submicron MOSFETs in the current ULSI technology 相似文献
108.
介绍了扩频通信有效的MSK信号特点及声表面波MSK抽头延迟线构成方式,给出了声表面波32位MSK抽头延迟线的实验结果。 相似文献
109.
VHDL逻辑综合及FPGA实现 总被引:2,自引:1,他引:1
运用VHDL语言描述了一个12×12位的高速补码阵列乘法器。重点是运用VHDL逻辑综合优化该乘法器,并进行了乘法器的XilinxFPGA实现、功能仿真和时序仿真。经选用XC4005PC-84-4芯片进行验证,证明了其正确性 相似文献
110.
Photoluminescence spectra of a series of MBE-grown Hg1-xCdxTe samples with the same mole fraction of about x≈0.39 have been measured at different temperatures from 5 to 100 K. By aid of the temperature and exciting laser power dependence of photoluminescence peak energy and relative intensity, as well as of the comparison with other measurements, four main structures dominating in the photoluminescence spectra are attributed to band to band, DoX, AoX and DoAo transitions. A deep donor state level located at about 8.5meV below the bottom of the conduction band has been observed and is determined to be due to the arsenic-occupied mercury vacancies. Two acceptor levels located at about 14.5 meV and about 31.5 meV above the top of the valance band have also been found from the measuements, which are identified as the mercury vacancies and As in anion site, respectively. 相似文献