Growth and Characterization of CIS Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering Deposition

Copper indium diselenide （CuInSe2） thin films were prepared by ion beam sputtering Cu, In and Se targets continuously on BK7 glass substrates and the three-layer film was then annealed in the same vacuum chamber. X-ray diffraction shows that the CuInSe2 thin films have a single chalcopyrite structure with preferential （112） orientation. Scanning electron microscopy reveals that the CIS thin films consist of uniform and densely packed grain clusters. Energy dispersive x-ray spectroscopy demonstrates that the elemental composition of CIS films approaches the stochiometric composition ratios of 1：1：2. Raman measurement shows that the main peak is at about 174cm^-1 and this peak is identified as the A1 vibrational mode from chaicopyrite ordered CulnSe2. Optical transmission and absorption spectroscopy measurement reveal an energy band gap of about 1.05 eV and an absorption coefficient of 10^5 cm^-1. The film resistivity is about 0.01 Ωcm.     

Composition-Dependent Characterization of Sb2Te3 Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering Deposition

The optimization of ion beam sputtering deposition process for Sb2 Te3 thin films deposited on BK7 glass substrates is reported. The influence of composition ratio on the thermoelectric properties is investigated. X-ray diffraction shows that the major diffraction peaks of the films match with those of Sb2 Te3. Hall effect and Seebeck coefficient measurement reveal that all the samples are of p-type. The Sb2 Te3 thin films exhibit the Seebeck coefficient of 190μVk^-1 and the electrical conductivity of 1.1 × 10^3 Scm^-1 when the atomic ratio of Sb to Te is 0.65. Carrier concentration and motility of the films increase with the increasing atomic ratio of Sb to Te. The Sb2 Tea film with a maximum power factor of 2.26×10^-3 Win^-1K^-2 is achieved when annealed at 400℃. Raman measurement shows that the main peaks are at about 120 cm^-1, 252 cm^-1 and 450 cm^-1, in agreement with those of V-VI compound semiconductors.     

应用CASSCF方法精确计算OH分子A~2∑~+态势能曲线

应用Gaussian03程序包中提供的完全活性空间自洽场(CASSCF)方法,采用多种标准基组对OH分子A~2∑~+态的几何结构进行了优化和势能曲线计算、并将计算结果拟合成了解析的Murrell-Sorbie函数.利用得到的解析势能函数进一步计算了该态的光谱常数,并与实验结果进行了比较.此外,本文还给出了一种新的活性空间的选择方法.     

光镊系统的组建及光阱效应的观察

光镊是美国科学家Arthur Ashkin于1986年发明的,现被用来操控微小粒子和作为微小力的传感器.随着光镊技术的不断发展,光镊在生物大分子的操控和生物大分子生命过程中动力学研究方面发挥着巨大作用.本文介绍了光镊的工作原理,以及如何利用实验室现有条件,以较低成本搭建了一个简化的光镊系统,并观察了光镊对几种微小粒子的捕捉情况,证实了光阱有一定的作用范围,且其捕获能力随微粒尺寸增大而减小.     

TAB/COF带载体和表面处理技术

概述了电子元件搭载用TAB/COF带载体的制造方法和构造,以及最新带载体的表面处理开发例。     

前向纠错技术中卷积交织器的FPGA实现

介绍了信道编码中所采用的前向纠错编码（FEC）方案中的重要技术——卷积交织器和解交织器的原理,并在此基础上提出了基于FPGA的卷积交织器的设计方案。丈中对卷积交织器设计的关键部分,即读写地址的产生方法进行了详细分析,给出了一种新的地址计算方法,并通过对FPGA内部EAB资源的双口RAM的存储单元的读写操作的合理控制,实现了卷积交织。该设计具有实现简单、占硬件资源少等优点。     

一种密集多径环境下UWB信号到达角的估计方法

研究了UWB信号在室内环境下的传播特性,针对密集多经现象对于UWB信号探测产生的影响,文章提出了一种基于MUSIC的到达角估计方法,并分析了不同信道条件下,估计准确性和分辨力性能变化的原因。仿真结果表明,当信噪比超过一定门限时,估计性能可以趋近CRLB。这种方法通过一定信噪比的代价,降低了多径效应产生的估计影响,对于有较高精度要求的探测定位,具有一定的参考价值。     

认知无线电应用讨论

讨论了当利用灰色频谱进行认知无线电通信时,第二用户对授权用户频谱所造成的干扰,并对这种干扰进行了计算。进一步分析中,以授权用户的信号干扰噪声比余量为基础,讨论并仿真了第二用户在保证授权用户正常通信时自身的信噪比受到来自授权用户的影响。结果表明,在灰色频谱区域进行认知无线电通信时,为改善第二用户信号干扰噪声比,其发射功率与通信距离将会是动态调整的。     

Win32环境下硬盘编辑器设计

提出了Win32环境下硬盘编辑器的设计方法,实现了硬盘所有扇区访问,编程实现了一个实用的硬盘编辑器,为特殊类应用提供了一个强大的工具,在该工具中增加了硬盘信息抹除功能,为信息保密提供了重要手段.     

强激光辐照硅光电探测器的损伤判别研究

光电探测器的激光损伤阈值是激光与物质相互作用的一个重要研究内容.论文在概述激光诱导光学元件损伤判断方法的基础上,研究了强激光辐照下,探测器响应度变化与被损伤程度的关系,提出了根据响应度变化判断探测器损伤程度的观点,实验研究证实了这种方法的合理性和可行性.