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141.
Feng G.-L. Rao T.R.N. 《IEEE transactions on information theory / Professional Technical Group on Information Theory》1993,39(1):37-45
A simple decoding procedure for algebraic-geometric codes C Ω(D ,G ) is presented. This decoding procedure is a generalization of Peterson's decoding procedure for the BCH codes. It can be used to correct any [(d*-1)/2] or fewer errors with complexity O (n 3), where d * is the designed minimum distance of the algebraic-geometric code and n is the codelength 相似文献
142.
本文用多因子方差分析模型和多重比较分析了服装穿着时的主观热感觉与服装品种、环境条件、穿着者的活动状态与籍贯之间的关系。通过主成分回归建立了用生理指标预测主观热感觉的模型,从而得出一种定量地评价服装属性的方法。 相似文献
143.
激光光束质量诊断技术的进展 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了激光光束质量诊断技术近年来的进展,以及国际标准化组织推荐的聚集光束测量法,指出了该技术的发展方向。 相似文献
144.
利用垂直阵列构作了一类Cartesian认证码,计算了它们的参数,并且在编码规则按等概率分布选取时,成功的模仿攻击和成功的替换攻击概率也被算出。 相似文献
145.
146.
The detailed characterization of multifunctional hybrid organosilazane/organosilylamine telechelic oligomers by IR and 1H, 13C and 29Si NMR spectroscopy in one and two dimenions has been undertaken. The specific multifunctional oligomers, comprising NH/NH2 or SiCl functionalities depending on the monomer feed-ratio, were prepared from mono- and di-functionally reacted dichlorodimethylsilane (DDS) and mono-, di-, tri- and tetra-functionally reacted ethylenediamine (EDA). Varying the feed-ratio afforded control of the microstructures of the oligomers and the preparation of oligomers with, in some cases, conterminously located silicon–chlorine (SiCl) groups. The combination of the NMR methods with the IR technique has enabled the detailed microstructural characterization of the oligomers and the identification of the functionalities therein. This approach and the knowledge gained from the DDS/EDA system has been applied to the microstructural characterization of other hybrid organosilazane/silylamine preceramic telechelic oligomers. 相似文献
147.
TiO_2粉体性能对PTC热敏电阻性能的影响 总被引:6,自引:1,他引:5
TiO_2的纯度、粒度及粒形对BaTiO_3系PTCR的性能影响很大,对所用TiO_2加以选择非常重要,国产和日本产TiO_2原料在粉体性能上存在差异。 相似文献
148.
149.
150.
Feng M. Scherrer D. Kruse J. Apostolakis P.J. Middleton J.R. 《Electron Device Letters, IEEE》1995,16(4):139-141
We present experimental evidence that the noise figure (NF) and associated gain equal to those achieved with GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors (GaAs p-HEMT's) can also be accomplished by ion implanted GaAs metal-semiconductor field-effect transistors (GaAs MESFET's). These measured noise figure results as a function of low temperature for GaAs MESFET's and p-HEMT's clearly suggest that the transport properties of the two-dimensional electron gas in HEMT's and p-HEMT's do not make a significant contribution to the noise reduction at high frequency operation of these devices 相似文献