非洲爪蟾卵提取物中200nm膜泡与环形片层及核被膜上核孔复合体形成的关系

将ＬａｍｂｄａＤＮＡ引入活化的非洲爪蟾卵提取物中，在由磷酸肌酸与磷酸肌酸激酶构成的ＡＴＰ再生系统的参与下，在这种非细胞体系中能够围绕由ＬａｍｂｄａＤＮＡ诱导形成的染色质重建核被膜结构，同时在染色质外出现类似核被膜结构的环形片层。在这两种膜结构中核孔复合体的形成都与直径２００ｎｍ左右的单层圆形小膜泡密切相关，这些小膜泡可以附着在染色质表面或独立于染色质之外相互融合成扁平囊状的双层膜片层，双层膜进一步融合形成核孔，与此同时，核孔复合体在核孔上完成装配。     

基于免疫算法的组合预测方法

利用免疫算法搜索全局最优解能力,提出了一种其于免疫算法的组合预测权系数确定的新方法,并给出了具体算法.仿真实验结果表明了免疫算法在组合预测方面具有很好的可行性和有效性.     

中国香港电信盈科公司近期经营业绩分析

中国香港电信与盈科数码动力有限公司合并以后更名为电信盈科。它由一家以技术为主的电信公司转型为亚太地区、特别是两岸三地的商界及个人客户提供服务的综合通信服务供应商，主要提供电话服务、互联网、商企电贸服务、数据中心、客户联络中心、环球通信服务和基建业务。分析了2001-2002年上半年其电信、商企电贸、基建以及与Telstra结盟等业务市场的经营情况。     

一种智能卡口令认证方案的分析与改进

袁,吕提出了一种智能卡口令认证方案.在他们的方案中,用户能随意更改口令,远程系统不需要存储用户的口令表或验证表,并能防止重放攻击.作者指出袁-吕方案不能抵抗假冒攻击,并进行了改进.     

具有复合埋层的新型SIMON材料的制备

采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较 ,发现氮氧分次注入可以得到更好的结构和性能     

The best uniform convergence rate of linear empirical bayes estimators

In this paper the thought on the uniform convergence of an empirical Bayes estimator or linear empirical Bayes (l.e.B.) estimator is advanced. Under two different models the l.e.B. estimators of the parameter are constructed respectively. It is proved that the convergence rates and uniform convergence rates of these l.e.B. estimators are all one with respect to the corresponding prior families. It is shown that the uniform convergence rate one is the best, under mild assumptions imposed on the conditional density of the sample.     

动态模糊随机信息处理的数学方法

本文系统地概述了我们近年来提出的动态模糊随机信息处理的数学方法,内容包括模糊随机变量、模糊随机过程和模糊随机微分方程的基本解法等方面的基本概念、基本定义和某些重要的定理,以及动态系统的模糊随机响应与可靠性分析的方法等。这些方法是为我们研究工程实际问题的需要逐步发展起来的,对于处理某些类型的问题简便实用。     

Monolithic SiGe Up‐/Down‐Conversion Mixers with Active Baluns

The purpose of this paper is to describe the implementation of monolithically matching circuits, interface circuits, and RF core circuits to the same substrate. We designed and fabricated on‐chip 1 to 6 GHz up‐conversion and 1 to 8 GHz down‐conversion mixers using a 0.8 µm SiGe hetero‐junction bipolar transistor (HBT) process technology. To fabricate a SiGe HBT, we used a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) system to grow a base epitaxial layer, and we adopted local oxidation of silicon (LOCOS) isolation to separate the device terminals. An up‐conversion mixer was implemented on‐chip using an intermediate frequency (IF) matching circuit, local oscillator (LO)/radio frequency (RF) wideband matching circuits, LO/IF input balun circuits, and an RF output balun circuit. The measured results of the fabricated up‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 6 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. Also, the down‐conversion mixer was implemented on‐chip using LO/RF wideband matching circuits, LO/RF input balun circuits, and an IF output balun circuit. The measured results of the fabricated down‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 8 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz.     

基于数字化二次曝光干涉的光学元件波前畸变测量

将傅立叶变换条纹分析方法与二次曝光全息干涉计量相结合，提出了数字化二次曝光干涉术，用于测量光学元件引入的波前畸变。文中给出了理论分析，模拟与光学实验结果证实提出的方法具有高精度、快速的波前测量特点，可应用于激光系统中光学元件的波前畸变在线检测。