一种有效减少ADI-FDTD数值色散的方法

ADI—FDTD算法的数值色散效应较为明显，本文的研究表明一种通过添加各向异性媒质来修正相速误差，从而减少FDTD数值色散的方法，同样适用于ADI-FDTD，且收效更为显著。数值运算结果证明该方法能够简单有效地去除较宽频带范围内的色散。     

一个新颖的轮廓线跟踪算法

提出了一个新颖的基于隐马尔科夫模型与光流的轮廓线跟踪算法。曲线描绘由B样条形状空间向量来表达,能够捕捉全局和局部变形。提出应用沿曲线的光流计算来预测曲线在下一帧的位置,在预测曲线的基础上,提出应用隐马尔科夫模型来准确定位曲线的位置。隐马尔科夫模型提供了一种有效的概率手段来融合多种量测特征比如边缘,曲线平滑性,区域灰度或颜色统计信息等等,能够更准确的定位曲线位置。基于仿射形状空间的实验了表明本文所提出算法的有效性。     

线性调频的脉冲压缩雷达视频信号仿真

利用数字方法实现线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号具有诸多优点：信号模拟的精度高，灵活性好，幅度、相位补偿方便，可以模拟复杂情况，系统结构简单，可靠性高，可扩展性强。详细介绍了基于FPGA设计线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号的原理、结构、具体实现以及简要的性能分析。结果表明该方案性能良好，具有现实可实现性。     

数字下变频器GC1012B原理及配置方法

数字下变频技术是软件无线电的一项核心技术,其性能的好坏直接影响数字接收机的精度。GC1012B是美国TI公司推出的新型数字下变频器。文中从GC1012B的结构特点和内部功能框图出发,分析其工作原理,并介绍GC1012B几个主要寄存器的配置方法,从而实现对频率、滤波模式、增益大小等参数的设置。最后给出了一个具体配置实例作为参考。     

30.4 nm光电成像系统分辨率的初步实验研究

本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统，用于对波长为30．4nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像．结果获得了一宽度为3mm的狭缝的像，实验测得490μm的成像系统的空间分辨率，并分析了影响系统分辨率的各种因素及为提高系统分辨率所应采取的措施．     

The Combinatorics of Laguerre,Charlier, and Hermite Polynomials

This paper describes several combinatorial models for Laguerre, Charlier, and Hermite polynomials, and uses them to prove combinatorially some classical formulas. The so-called “Italian limit formula” (from Laguerre to Hermite), the Appel identity for Hermite polynomials, and the two Sheffer identities for Laguerre and Charlier polynomials are proved. We also give bijective proofs of the three-term recurrences. These three families form the bottom triangle in R. Askey's chart classifying hypergeometric orthogonal polynomials.     

具Hardy-Sobolev临界指数的奇异椭圆方程多解的存在性

运用变分方法研究了下面问题-Δpu=μupx(s)s-2u f(x,u),x∈Ω,u=0,x∈Ω,多重解的存在性,其中Ω是一个具有光滑边界的有界区域.     

头盔显示器的关键技术及有关设计问题综述

头盔显示器可以提高驾驶员的态势感知能力，红外传感器提供的信息，使驾驶员的态势感知能力大大加强，头盔显示器提供的红外图像，使恶劣的天气和黑夜不再成为驾驶员作战的障碍，概述了头盔显示器的发展过程和关键技术，介绍了当前空军用头盔显示器的技术问题，解决方法，设计示例。     

时间分辨光子计数系统的研究和应用

对由SPCM-AQR-14和MCS组成的时间分辨光子计数系统进行了研究,分析了SPCM和MCS的工作原理及主要特性.利用该系统对磷光物质和洋葱的延迟发光进行了测量,对它们的光子计数率曲线进行拟合,发现其光强衰减符合双曲线规律.     

Oxidation process of SiGe on SOI substrates

The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer moved to Si/SiO₂ interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).