分布式光纤拉曼放大器的增益平坦设计

介绍了在波分复用（WDM）系统中分布式光纤拉曼放大器（FRA）的理论分析模型。在此基础上，对增益平坦设计所需考虑的因素进行了分析；最后通过试验证明了它的有效性。     

线性调频的脉冲压缩雷达视频信号仿真

利用数字方法实现线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号具有诸多优点：信号模拟的精度高，灵活性好，幅度、相位补偿方便，可以模拟复杂情况，系统结构简单，可靠性高，可扩展性强。详细介绍了基于FPGA设计线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号的原理、结构、具体实现以及简要的性能分析。结果表明该方案性能良好，具有现实可实现性。     

数字下变频器GC1012B原理及配置方法

数字下变频技术是软件无线电的一项核心技术,其性能的好坏直接影响数字接收机的精度。GC1012B是美国TI公司推出的新型数字下变频器。文中从GC1012B的结构特点和内部功能框图出发,分析其工作原理,并介绍GC1012B几个主要寄存器的配置方法,从而实现对频率、滤波模式、增益大小等参数的设置。最后给出了一个具体配置实例作为参考。     

30.4 nm光电成像系统分辨率的初步实验研究

本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统，用于对波长为30．4nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像．结果获得了一宽度为3mm的狭缝的像，实验测得490μm的成像系统的空间分辨率，并分析了影响系统分辨率的各种因素及为提高系统分辨率所应采取的措施．     

碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究

对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.     

具Hardy-Sobolev临界指数的奇异椭圆方程多解的存在性

运用变分方法研究了下面问题-Δpu=μupx(s)s-2u f(x,u),x∈Ω,u=0,x∈Ω,多重解的存在性,其中Ω是一个具有光滑边界的有界区域.     

红外热像仪参数的双黑体测量装置

对红外热像仪参数双黑体测量装置的工作原理进行了介绍。装置采用双黑体及反射型靶标为温差辐射源，可实现黑体温度温差准直辐射的定期校准和红外热像仪参数测量量值的溯源，也可实现红外热像仪参数的可控性，以及对它进行稳定的、可复现的精确测量。推导出利用红外热像仪参数双黑体测量装置测量信号传递函数SiTF数学模型，分析了红外热像仪参数测量装置的客观因素——仪器常数，针对仪器常数对SiTF测量的影响进行了试验。试验结果表明，仪器常数对红外热像仪SiTF参数测量精度影响较大，并同时影响时域与空域NETD及3D噪声的准确测量。     

时间分辨光子计数系统的研究和应用

对由SPCM-AQR-14和MCS组成的时间分辨光子计数系统进行了研究,分析了SPCM和MCS的工作原理及主要特性.利用该系统对磷光物质和洋葱的延迟发光进行了测量,对它们的光子计数率曲线进行拟合,发现其光强衰减符合双曲线规律.     

Oxidation process of SiGe on SOI substrates

The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si_1−xGe_x (x is minimal) layer moved to Si/SiO₂ interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM).     

超细CaO粉炉内喷射脱硫的实验研究

本文对超细ＣａＯ粉炉内喷射脱硫进行了实验研究，分析了可能影响超细ＣａＯ粉炉内脱硫效率的多种因素，实验结果表明：使用预先锻烧生成的超细ＣａＯ粉在并不苛刻的反应条件下脱硫效果很好，颗粒大小、反应区温度、反应时间和Ｃａ／Ｓ比对炉内喷钙脱硫的效率有重要的影响．