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131.
将LambdaDNA引入活化的非洲爪蟾卵提取物中,在由磷酸肌酸与磷酸肌酸激酶构成的ATP再生系统的参与下,在这种非细胞体系中能够围绕由LambdaDNA诱导形成的染色质重建核被膜结构,同时在染色质外出现类似核被膜结构的环形片层。在这两种膜结构中核孔复合体的形成都与直径200nm左右的单层圆形小膜泡密切相关,这些小膜泡可以附着在染色质表面或独立于染色质之外相互融合成扁平囊状的双层膜片层,双层膜进一步融合形成核孔,与此同时,核孔复合体在核孔上完成装配。 相似文献
132.
图的划分问题曾引起图论界的广泛关注,在文献[4]中讨论了k-单圈划分,本文进一步研究基于k-单圈划分的优化问题,即在一个赋权图中求一个最小权可k-单圈划分的支撑子图,以及对一个不存在k-单圈划分支撑子图的图,如何添最少的边使得它有k-单圈划分的支撑子图。 相似文献
133.
基于免疫算法的组合预测方法 总被引:3,自引:0,他引:3
利用免疫算法搜索全局最优解能力,提出了一种其于免疫算法的组合预测权系数确定的新方法,并给出了具体算法.仿真实验结果表明了免疫算法在组合预测方面具有很好的可行性和有效性. 相似文献
134.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
135.
中国香港电信与盈科数码动力有限公司合并以后更名为电信盈科。它由一家以技术为主的电信公司转型为亚太地区、特别是两岸三地的商界及个人客户提供服务的综合通信服务供应商,主要提供电话服务、互联网、商企电贸服务、数据中心、客户联络中心、环球通信服务和基建业务。分析了2001-2002年上半年其电信、商企电贸、基建以及与Telstra结盟等业务市场的经营情况。 相似文献
136.
137.
138.
Tao Bo 《数学学报(英文版)》1992,8(1):46-59
In this paper the thought on the uniform convergence of an empirical Bayes estimator or linear empirical Bayes (l.e.B.) estimator
is advanced. Under two different models the l.e.B. estimators of the parameter are constructed respectively. It is proved
that the convergence rates and uniform convergence rates of these l.e.B. estimators are all one with respect to the corresponding
prior families. It is shown that the uniform convergence rate one is the best, under mild assumptions imposed on the conditional
density of the sample. 相似文献
139.
动态模糊随机信息处理的数学方法 总被引:1,自引:1,他引:0
本文系统地概述了我们近年来提出的动态模糊随机信息处理的数学方法,内容包括模糊随机变量、模糊随机过程和模糊随机微分方程的基本解法等方面的基本概念、基本定义和某些重要的定理,以及动态系统的模糊随机响应与可靠性分析的方法等。这些方法是为我们研究工程实际问题的需要逐步发展起来的,对于处理某些类型的问题简便实用。 相似文献
140.
Sang‐Heung Lee Seung‐Yun Lee Hyun‐Cheol Bae Ja‐Yol Lee Sang‐Hoon Kim Bo Woo Kim Jin‐Yeong Kang 《ETRI Journal》2005,27(5):569-578
The purpose of this paper is to describe the implementation of monolithically matching circuits, interface circuits, and RF core circuits to the same substrate. We designed and fabricated on‐chip 1 to 6 GHz up‐conversion and 1 to 8 GHz down‐conversion mixers using a 0.8 µm SiGe hetero‐junction bipolar transistor (HBT) process technology. To fabricate a SiGe HBT, we used a reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) system to grow a base epitaxial layer, and we adopted local oxidation of silicon (LOCOS) isolation to separate the device terminals. An up‐conversion mixer was implemented on‐chip using an intermediate frequency (IF) matching circuit, local oscillator (LO)/radio frequency (RF) wideband matching circuits, LO/IF input balun circuits, and an RF output balun circuit. The measured results of the fabricated up‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 6 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. Also, the down‐conversion mixer was implemented on‐chip using LO/RF wideband matching circuits, LO/RF input balun circuits, and an IF output balun circuit. The measured results of the fabricated down‐conversion mixer show a positive power conversion gain from 1 to 8 GHz and a bandwidth of about 4.5 GHz. 相似文献