聚能射流的断裂时间

从描述聚能射流失稳的一维近似方程出发，导出了聚能射流断裂时间的近似公式。这个近似公式定量显示了屈服应力、本构关系、粘度和径向收缩效应等对射流断裂时间的影响，在４个不同的特殊近似下，可以自然演化为近１０年来所发表的几个半经验解析公式，并且在合理的参数范围内，公式给出的断裂时间曲线覆盖了射流断裂时间的全部实验点。     

化学束外延

本文介绍了化学束外延(CBE)的发明和发展,论述了CBE的原理和设备。文中还介绍了最近提出的一种生长机理。     

用基函数神经网络实现多阈值图象分割

本文介绍了一种用基函数神经网络实现多阈值图象分割的新方法。它从函数逼近的角度研究基于灰度直方图的多阈值分割问题，提出了一种模糊反向传播学习算法，采用该算法的高斯基函数网络能够准确检测直方图中包含的子区域和它们的分布函数，而且速度很快。实验表明本文的方法在实际图象分割中是有效的。     

A high-current and high-temperature 6H-SiC thyristor

A 6H-SiC thyristor has been fabricated and characterized. A forward breakover voltage close to 100 V and a pulse switched current density of 5200 A/cm² have been demonstrated. The thyristor is shown to operate under pulse gate triggering for turn-on and turn-off, with a rise time of 43 ns and a fall time of less than 100 ns. The forward breakover voltage is found to decrease by only 4% when the operating temperature is increased from room temperature to 300°C. It is found that anode ohmic contact resistance dominates the device forward drop at high current densities     

字节全加器及其在无线电测控系统中的应用

对全加器概念进行了推广，并在此基础上给出了使用字节全加器网络的无线电抗干扰算法。通过在实际的无线电测控系统中的应用，结果表明该算法具有良好的无线电抗干扰效果。     

半绝缘砷化镓中碳含量对热稳定性的影响

本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×10~(16)cm~(-3)时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×10~(15)cm~(-3)时,通常表现出良好的热稳定性。     

A Unified Approach to Submicron DC MOS Transistor Modeling for Low-Voltage ICs

A unified single-equation approach for the MOS transistordrain current modeling for energy-efficient submicron MOS circuitsis presented. Instead of three sets of separate equations forthe triode, saturation, and weak inversion regions, only a continuousexpression which is valid to describe the behavior of drain currentand the derivatives in all operation regions can be realizedby using a combination of hyperbola, sigmoid, and interpolationmethods. The model expression can predict accurate results forthe current, output conductance, and transconductance with continuousand smooth characteristics. The simulation results agree wellwith experimental data.     

光外差系统噪声等效功率的一种测量方法

本文介绍了利用工作于Bragg衍射的Ge晶体声光调制器作为外差系统中的频移器来测量外差系统的噪声等效功率(NEP)的方法。该方法具有测试系统简单、信号光功率、偏频可调的优点。实验测试与理论分析吻合。