自适应有源噪声控制的滤波-LMAD算法

本文研究了稳定非高斯环境下的自适应有源噪声控制问题，提出了滤波－ＬＭＡＤ（ｌｅａｓｔｍｅａｎａｂｓｏｌｕｔｅｄｅｖｉａｔｉｏｎ）算法及归一化滤波－ＬＭＡＤ算法，仿真结果表明，与常用的滤波－ＬＭＳ算法和归－化滤波－ＬＭＳ算法相比，本文提出了算法收敛速度更快。     

一种性能良好的高锰酸根离子选择电极

在异源四倍体棉种中现已鉴定出２２个芽黄突变体、２６个芽黄基因，其中Ｖ１与Ｖ７、Ｖ２之间存在着部分同源关系。重叠牙黄基因Ｖ１６Ｖ１７的遗传主式独特，单体１测验的分离世代Ｆ２和ＢＣ恢复产生了黄化的单体株。鉴于杂中子生产现状，俄系统阐述了以芽黄作为指示性进行棉花杂种优势利用的可行性。     

Si/SiGe epitaxial-base transistors. I. Materials, physics, andcircuits

A detailed review of SiGe epitaxial base technology is presented, which chronicles the progression of research from materials deposition through device and integration demonstrations, culminating in the first SiGe integrated circuit application. In part I of this paper, the requirements and processes for high-quality SiGe film preparation are discussed, with emphasis on fundamental principles. A detailed overview of SiGe HBT device design and implications for circuit applications is then presented     

MIS型单晶硅液晶光阀

详细介绍了一种新颖、快速响应的金属－绝缘层－半导体构成的MIS型单晶硅液晶光阀的结构、工作机理、制作工艺和性能参数测试。液晶采用45°扭曲向列型混合场效应工作模式。所得到的光阀的极限分辨率为40lp／mm，口径40mm，最大对比度＞100：1，在930nm（△λ＝40nm）写入光灵敏度为20μW／cm2，响应时间为15ms。报道了该光阀在大屏幕投影显示中的应用。     

1477 nm LD泵浦掺铒光纤放大器的研究

报道了采用１４７７ｎｍ激光二极管（ＬＤ）泵浦的掺铒光纤放大器的实验结果。研究了放大器的增益和时域特性。对１５２０ｎｍ的信号光，获得了２３ｄＢ的增益，泵浦效率为２．２８ｄＢ／ｍＷ。低频脉冲信号经过放大器后未发生波形畸变。     

鱼类耳石扫描电镜样品制备与观察

本文介绍了一种鱼类耳石样品的扫描电镜制样方法，通过对草鱼耳石进行包埋，抛磨，并用合适的腐蚀剂处理，用ＳＥＭ成功地观察了耳石的日轮及超微结构，该方法简便易行，保证所观察耳石样品的微观结构完整与清晰。     

w-DENSITY AND w-BALANCED PROPERTY OF WEIGHTED GRAPHS

§ 1　IntroductionAll graphsconsidered in this paperare finite undirected ones withoutloops ormultipleedges.Our terminology and notation are standard exceptas indicated.A good reference forany undefined terms is[1 ] .Let G be a graph with vertex set V( G) and edge set E( G) .The density of G is definedbyd( G) =ε( G)ν( G) ,whereν( G) andε( G) denote| V( G) | and| E( G) | ,respectively.G is said to be balanced iffor each subgraph H of G we have d( H )≤ d( G) ,where V( H ) is assum…     

惯性约束中子测温的误差研究

综合分析了ＩＣＦ（惯性约束）中子测温系统的误差与其参数的关系，这些参数包括靶核温度，探测的中子数、靶到探测器的距离、探测器的响应函数以及闪烁体厚度等，考虑到中子与探测器的相互作用，探测器的响应与靶的烧蚀过程，在此基础上提出了新的统计误差计算方法，该方法对于改善中子测温的相对误差并应用于闪烁体的设计具有重要意义。     

Cr^4＋：YAG,Cr^4＋：Mg2SiO4近红外荧光辐射温度特性研究

测量了Ｃｒ＾４＋，ＹＡＧ、Ｃｒ＾４＋，Ｍｇ２ＳｉＯ４晶体在室温和液氮温度下的荧光光谱，吸收光谱和激发态寿命，讨论了温度变化时，两种晶体中Ｃｒ＾４＋近红外辐射积分强度变化与激光发态寿命变化的关系，得出结论：在７７Ｋ￣３００Ｋ范围内，Ｃｒ＾４＋的＾３Ｔ２能级荧光辐射截面本身受温度影响不大，Ｃｒ＾４＋辐射荧光的变化，主要是由无辐射弛豫速率随温度变化而引起的。