高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究

不同电荷态低速离子(Ar^q+,Pb^q+)轰击Si(110)晶面,测量不同入射角情况下的次级粒子的产额. 通过比较溅射产额与入射角的关系,证实沟道效应的存在. 高电荷态离子与Si相互作用产生的沟道效应说明溅射产额主要是由动能碰撞引起的. 在小角入射条件下,高电荷态离子能够增大溅射产额. 当高电荷态离子以40°—50°入射时,存在势能越高溅射产额越大的势能效应. 关键词： 高电荷态离子 溅射 沟道效应     

一类不确定延迟神经网络的自适应投影同步

研究了一类参数不确定的延迟神经网络的投影同步,基于Lyapunov稳定性理论,设计了一种新型的自适应控制方法.该方法能同时实现一类参数不确定延迟神经网络的参数识别和投影同步.数值模拟证明了该方法的有效性. 关键词： 延迟神经网络 Lyapunov稳定性理论 参数识别 投影同步     

S掺杂对锐钛矿相TiO2电子结构与光催化性能的影响

采用基于第一性原理的平面波超软赝势方法研究了掺杂不同价态S的锐钛矿相TiO₂的晶体结构、杂质形成能、电子结构及光学性质.计算结果表明硫在掺杂体系中的存在形态与实验中的制备条件有关;掺杂后晶格发生畸变、原子间的键长及原子的电荷量也发生了变化,导致晶体中的八面体偶极矩增大; S 3p态与O 2p态、Ti 3d态杂化而使导带位置下移、价带位置上移及价带宽化,从而导致TiO₂的禁带宽度变窄、光吸收曲线红移到可见光区.这些结果很好地解释了S掺杂锐钛矿相TiO₂在可见光下具有优良的光催化性能的内在原因.根据计算结果分析比较了硫以不同离子价态掺杂对锐钛矿相TiO₂电子结构和光催化性能影响的差别. 关键词： 2')" href="#">锐钛矿相TiO₂ S掺杂 第一性原理 光催化性能     

p-GaN层厚度对GaN基p-i-n结构紫外探测器性能的影响

研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明：较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效率,但是同时也增加了器件的暗电流.进一步的分析表明,金属和p-GaN之间的结电场是出现这种现象的根本原因.在实际的器件设计中,应该根据实际需要选择p型层的厚度. 关键词： GaN 紫外探测器 量子效率 暗电流     

竖直微槽的倾角对相变换热影响的研究

本文对带有倾斜角的矩形毛细微槽竖直板的相变传热及两相流特性进行了实验研究.通过对比各种倾斜角度的微槽板的相变换热强度,得到了相变换热强度与微槽倾角有很大关联和最佳倾斜角度为 10°的实验结果,用薄膜理论和气泡对液体润湿特性的影响对实验结果进行了分析.     

有机化合物ZnTBP/CA/PhR的非线性光吸收谱测定

测定了新型光功能有机材料锌 四苯并卟吩 巴豆酸 苯氧树脂 (Zn Tetrabenzoporphin CrotonicAcid/PhenoxyResin ,简称ZnTBP/CA/PhR)体系薄膜样品在可见光范围内的吸收谱 ,定点测量了其主要吸收谱带在激光作用下的变化情况 ,实验观察到此种材料显著的饱和及反饱和吸收现象 ,还首次观察到它的再反饱和过程。文章定性分析了变化过程中的物理机制 ,讨论了ZnTBP/CA/PhR的非线性吸收特性在光子学领域的一些应用     

细胞培养基的吸收光谱研究

使用日本岛津UV 310 1分光光度计分别测量培养了宫颈癌细胞 (Hela)和鼻咽癌细胞 (CNE)的RP MI 16 4 0培养基和DMEM高糖培养基的紫外吸收光谱 ,分析了培养基中蛋白质的紫外吸收特性。RPMI16 4 0培养基的 2 2 7nm吸收峰在培养细胞生长过程中位移至 2 2 2或 2 18nm ,2 78nm的吸收峰位移至 2 80nm ;而DMEM高糖培养基 2 2 4nm吸收峰在培养细胞生长过程中位移至 2 2 1nm附近 ,2 78nm吸收峰基本没有位移。这些位移说明培养基中芳香族氨基酸中各种氨基酸如色氨酸和酪氨酸的含量有变化。也就是说 ,癌细胞在生长过程中对色氨酸和酪氨酸的消耗不是按等量比的。实验也说明Hela和CNE在生长过程中 ,对RPMI 16 4 0培养基和DMEM高糖培养基中氨基酸的消耗是不同的。实验结果为癌细胞生长过程中所需培养基中氨基酸的含量提供了依据     

2-噻吩乙醛酸-邻菲罗啉-铕配合物的合成、结构表征及荧光性能的研究

合成了铕与 2 噻吩乙醛酸 (HL)和邻菲罗啉 (phen)的配合物 ,用元素分析、电导率、红外光谱和核磁共振谱测定了配合物的分子式为 [EuL2 phen·(H2 O) 3 ]NO3 ;配合物中的Eu(Ⅲ )离子与 2 噻吩乙醛酸和水分子中的O原子以及邻菲罗啉中的N原子配位。在室温下测定了配合物的激发和发射光谱 ,配合物中Eu(Ⅲ )离子的5D0 7F1和5D0 7F2 跃迁分别位于 5 92和 6 18nm。该固体配合物于室温下被紫外光激发可以发出强的特征红色荧光。IR光谱中 ,2 噻吩乙醛酸的特征吸收峰νCO (1719cm-1) ,νC—O(12 32cm-1) ,δO—H(90 9cm-1)在形成配合物后消失。在配合物中出现—COO-的反对称νas(16 4 2cm-1)和对称νs(14 0 8cm-1)伸缩振动吸收峰。在1HNMR谱图中 ,2 噻吩乙醛酸环上的 3个氢原子的化学位移形成配合物后移向高场 ,邻菲罗啉环上 4种不同环境的质子峰的化学位移形成配合物后向低场移动。从TG曲线可以看出 ,此配合物在常温至 2 5 0℃以下是稳定的。     

准坐标下完整力学系统的非Noether守恒量——Hojman定理的推广

利用时间不变的无限小变换下的Lie对称性，研究准坐标下完整力学系统的一类新守恒量.建立系统的运动微分方程，给出无限小变换下的Lie对称性确定方程.将Hojman定理推广，并举例说明结果的应用. 关键词： 准坐标 完整力学系统 Lie对称性 非Noether守恒量 Hojman定理     

Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散

对以本征Si及重掺杂ｐ型和ｎ型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究，并通过退火，增大Fe，Si之间的扩散，分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明，层状结构良好的制备态的多层膜，Fe，Si之间也存在一定程度的扩散，它是影响层间耦合的 主要因素，远远超过了半导体意义上的重掺杂，使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现，在一定范围内增大Fe，Si之间的扩散，即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化，Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变. 关键词： Fe/Si多层膜 层间耦合 界面扩散