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81.
针对大地线方程的复杂性及高效展绘难以实现的问题,以第三扁率n 改化大地问题正反解的计算公式,根据法截线方位角与大地方位角的数学关系提高大地方位角计算精度,并提出了等间距内插的大地线展绘方法;利用Mathematica 建立了精度自适应控制模型,提高了等间距内插的效率和精度;利用Mathematica 强大的绘图功能实现了不同距离和应用场景下不同地图投影的大地线展绘,挖掘了大地线展绘的应用价值。实验结果表明:该方法在精度可控的条件下能实现对任意长度大地线的高效率展绘,不同地图投影的大地线展绘在不同的应用场景下具有独特的意义。 相似文献
82.
利用FEM软件ANSYS对德国GSI的FAIR项目的超导二极铁的超导线进行了失超模拟.该模拟形象地给出导线的失超过程,通过APDL编程可以得到失超传播速度,失超时导体的端电压随时间的变化.文章还进一步研究了导线的最小失超传播区域MPZ,失超段初始温度和电流对失超传播速度的影响. 相似文献
83.
采用气相色谱法,建立了同时检测食品工业用大孔吸附树脂中的苯、1,2-二氯乙烷、甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、氯苯、苯乙烯、二乙烯苯、丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯等11种有机残留物的方法。色谱柱为DB-WAX毛细柱,检测器为氢火焰离子化检测器,该方法的专属性强,在所考察的浓度范围内线性相关系数均在0.99以上,最低检出限为0.002~0.008μg/mL,样品加标回收率为72.4~104.7%,稳定性、精密度和重现性的RSD分别为1.68~5.26%、1.57~6.83%、2.91~9.62%。本方法具有简便易行、准确、稳定、快速等特点。 相似文献
84.
BIAN Tian-bin YIN Xue-feng LIU Jin-hua 《高等学校化学研究》2010,(4):522-526
<正>A microfluidic system was developed for the synthesis of trigonal selenium(t-Se) nanowires,which was composed of a glass microchip coupled with a poly(methyl methacrylate)(PMMA) microchip.In the glass microchip, amorphous selenium(a-Se) colloid was prepared by reducing selenious acid with an excess amount of hydrazine at a temperature of 100℃.In the coupled PMMA microchip,a-Se was transformed into more stable t-Se seeds via sonication at room temperature.The residence time of the reactants in both microchips was optimized by varying the dimension and length of the microchannel each.The t-Se nanowires were formed by anisotropic growth of selenium crystallite during sonication and aging under the assistance ofβ-cyclodextrin(β-CD).Various stages of the nanowires' growth were investigated.The as-synthesized products were characterized by powder X-Ray diffraction(XRD),Raman spectroscopy,scanning electron microscopy(SEM),transmission electron microscopy(TEM) and selected-area electron diffraction(SAED). 相似文献
85.
随着不断深入的电力体制改革,电力市场化进程飞速发展,更多人开始关注如何才能更好更快地发展电力通信以及电力通信应该向着哪个方向发展。为此,文中首先分析了我国电力通信的现状,然后指出了我国电力通信中存在的问题,提出了发展的技术措施,而后对我国的发展战略进行了探讨,并在最后指出了我国电力通信市场开拓的策略。 相似文献
86.
87.
采用磁控溅射法制备La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜、sol-gel法制备Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)薄膜,在玻璃和Ti-Al/Si衬底上构架了LSCO/PZT/LSCO电容器,研究了衬底对LSCO/PZT/LSCO电容器结构和铁电性能的影响。研究发现:虽然生长在两种衬底上的PZT薄膜均为钙钛矿结构多晶薄膜,但是,生长在玻璃衬底上的LSCO/PZT/LSCO电容器具有更好的铁电性能。玻璃基LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度(Pr)为28×10–6C/cm2,矫顽电压(Vc)为0.96V;而硅基LSCO/PZT/LSCO电容器的Pr为25×10–6C/cm2,Vc为1.05V。 相似文献
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89.
90.