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131.
XiangBaoMENG HuiLI QingLI ZhongJunLI 《中国化学快报》2004,15(7):777-778
An unusual reductive ring-opening reaction of phthalimide with sodium hydride in anhydrous DMF was observed for the first time. The presumed mechanism was described in detail. 相似文献
132.
Zhong Hong YAN Chun Hao YANG Xi Han WU Yu Yuan XIEDivision of Chemistry Shanghai Second Medical University Shanghai Sate Key Laboratory of Drug Research Shanghai Institute of Materia Medica Shanghai Institutesfor Biological Sciences Shanghai 《中国化学快报》2004,(4)
The first and facile synthesis of (±)syringaresinol was described. 相似文献
133.
JianXinCAO YiFengWANG GuoFangLAI ShiDeLUO 《中国化学快报》2004,15(7):797-800
From the dried aerial part ofParepigynumfuningesis Tsiang et P. T. Li (Apocynaceae),a new cardiac glucoside, named parefuningoside (1) had been isolated. Its structure was determined by means of hydrolysis and spectral analysis. 相似文献
134.
在这篇文章中,我们讨论了李双代数胚之间的态射,得到了一些李双代数胚之间态射的性质.研究了泊松群胚在泊松流形上的泊松作用,以及这个泊松作用与被作用流形的切李双代数胚到作用泊松群胚的切李双代数胚之间的态射的关系,得到了一些有用的结论。 相似文献
135.
136.
137.
}MSo浸种对大麦种子萌发及若干性状的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
本文报道二甲亚矾(DMSO)浸种影响大麦“早熟3号”种子的萌发以及浸种后种子的渗漏和呼吸强度等的变化.结果表明:在24℃条件干浸种,。.1%和5芳的DMSO明显促进种子的萌发,5劣DMSO浸种的促进作用尤为明显.然而这种影响效应在zs c条件下浸种则完全相反,对种子萌发有抑制作用,表现明显的温度效应. 相似文献
138.
139.
M. Zandian J. G. Pasko J. M. Arias R. E. De Wames S. H. Shin 《Journal of Electronic Materials》1995,24(5):681-684
Measurements of 77K RoA and 300K reverse bias dynamic impedance (RdA) products at one volt reverse bias has been carried out to assess the degree of correlation of this figure of merit. Planar
P-on-n heterostructures were grown on near lattice-matched CdZnTe substrates with Hg1-xCdxTe (0.20< x <0.30) by molecular beam epitaxy. These devices were passivated with CdTe and doped with indium and arsenic as
n- and p-type dopants, respectively. Current-voltage characteristic of these devices exhibit thermally generated dark currents
at small and modest reverse bias. We have observed that RoA values of these long wavelength infrared P-on-n heterostructure photodiodes at 77K correlate with room temperature RdA values. Diode arrays with high room temperature RdA values at one volt reverse bias also have high RoA values at 77K. Similarly, low RdA values at room temperature indicate poor performance at 77K where deviation from diffusion current occurs at reverse bias
of 0.2 to 1 volt at room temperature. The results presented here, for a small samples of devices, demonstrate that room temperature
measurements of current-voltage characteristics to evaluate Hg1-xCdxTe (0.22< x <0.28) diode performance and array uniformity at lower temperatures can be used. This provides an acceptable criteria
for further study at lower temperatures. 相似文献
140.