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71.
立方相GaN的持续光电导 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 Ga N中 ,持续光电导效应与其中的六方相 Ga N夹杂有关系 ,而与黄光发射没有关系 .文中提出 ,立方相 Ga N与其中的六方相 Ga N夹杂之间的势垒引起的空间载流子分离是导致持续光电导现象的物理原因 .通过建立势垒限制复合模型 ,解释了立方相 Ga N的持续光电导现象的物理过程 ,并对光电导衰减过程的动力学作了分析 .对实验数据拟合的结果证明以上的模型和推导是与实验相符的 . 相似文献
72.
A. BOURHIM 《数学年刊B辑(英文版)》2004,25(3):369-382
In this note, the local spectral properties of unilateral operator weighted shifts arestudied. 相似文献
73.
The notion of a fuzzy retract was introduced by Rodabaugh (1981). The notion of a fuzzy pairwise retract was introduced in 2001. Some weak forms and some strong forms of α-continuous mappings were introduced in 1988 and 1997. The authors extend some of these forms to the L-fuzzy bitopological setting and construct various α-fuzzy pairwise retracts. The concept of weakly induced spaces in the case L = [0,1] was introduced by Martin (1980). Liu and Luo (1987) generalized this notion to the case that L is an arbitrary F-lattice and introduced the notion of induced L-fts. Several results are obtained, especially, for L-valued pairwise stratification spaces. 相似文献
74.
75.
方德清 Yamaguchi T. 郑涛 Ozawa A. Chiba M. Kanungo R. Kato T. Morimoto K. Ohnishi T. Suda T. Yamaguchi Y. Yoshida A. Yoshida K. Tanihata I.< 《中国物理 C》2004,28(Z1)
实验测量了83A MeV 14,15C的核反应总截面(σR)及15C产生14,15C和14C产生13C的动量分布(P//). 分析得到了15C产生14C和13C的动量分布半高宽(FWHM)分别为71±9MeV/c和223±28MeV/c, 而14C产生13C的FWHM为195±21MeV/c. 从15C和14C产生13C的FWHM与Goldhaber模型的预言基本一致. 而15C产生14C的FWHM却要比该模型计算小得多. 同时观测到15C的σR比相邻核有反常增加. 在Glauber模型框架中, 对实验测得的P//和σR进行了探讨. P//和σR的分析结果同时显示15C的最后一个中主要处于s1/2态, 具有中子晕结构. 相似文献
77.
78.
在微波传输中,波导的维护保养十分重要,为防止波导进入潮湿空气或渗漏进雨水而影响传输,必须使波导内保持一定气压的干燥空气。微波收发讯机设计气泵均为交流220V供电。当微波站采用风力发电机或太阳能供电时,则不能保证交流220V供电。使用逆变器,对于交流220V、2.4A的空气压缩机用电动机,启动电流较大、小功率逆变器带不动,大功率逆变器对蓄电池组负担较大,且不直解决。只有在开启自备柴油发电机组时,方能进行正常充气。因此,不能保证波导管内的正常气压。雨季潮湿空气易进入波导管内,造成锈蚀。高寒季节尤为室内外连接处易造… 相似文献
79.
1 继电器触点的故障现象及其原因继电器工作时的可靠性与寿命,在很大程度上取决于触点工作的好坏,因此,对这个问题必须予以充分注意。对触点工作的基 相似文献
80.
布里兹曼法碲镉汞(Hg1—xCdxTe)晶体生长过程热场的数值分析 总被引:3,自引:3,他引:0
用控制容积法对布里兹曼碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶体生长过程热场分布进行了计算。介绍了控制容积公式的推导和边界条件的处理,并对所得结果进行了分析。虽然碲镉汞晶体生长时热场受系统的影响情况错综复杂,但从本文的研究结果中仍可看出一些明显的规律,可供从事该方面研究工作时参考。 相似文献