Stability of Julia sets for a quadratic random dynamical system

For a sequence (cⁿ) of complex numbers, the quadratic polynomials f_cn:= z² + C_n and the sequence (F_n) of iterates F_n: = f_cn ο ⋯ ο f_c1 are considered. The Fatou set F(C_n) is defined as the set of all such that (Fⁿ) is normal in some neighbourhood of z, while the complement J(C_n) of F(c_n) (in ) is called the Julia set. The aim of this paper is to study the stability of the Julia set J(C_n) in the case where (c_n) is bounded. A problem put forward by Brück is solved.     

采用数字MMDS技术完成“村村通”工程建设任务

乌海市位于自治区西部，总面积1750平方公里。黄河经市区由南向北流过，地形复杂，山脉交错，给广播电视传输和覆盖带来困难。乌海地区总人口44万，其中90％左右居民集中在海勃湾、乌达、海南三个区的区政府所在地以及若干工矿区内，农业、农业人IZl基本分布在沿黄河两岸70多公里的地带。由于三区政府所在地及主要工矿区全部处于乌海市无线广播电视覆盖和有线电视网络传输范围内，故“村村通”工作的重点是覆盖沿黄河两岸农业地区。     

WiMax与TDD-HSDPA的性能分析与比较

随着无线Internet用户的急剧增长和数据业务的快速增加，对下代无线网络系统提出了越来越高的要求。各运营商更是积极地部署各种宽带无线接入（BWA）技术；第三代无线移动通信技术（3G）就是其中的备选方案之一。同时，随着无限局域网（WLAN）802.11的成功商用，IEEE802.16以及对应的无线城域网（WMAN）空口也成为宽带无线接入技术的有利可选方案。在本文中，我们将对这两种技术提供详细的性能分析和比较。     

微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.     

国外商用WCDMA网络给无线网络规划的启示

1引言 3G无线网络的规划与建设和2G无线网络的规划与建设有较大的不同，3G网络的规划和建设必须在2G网络的基础之上有新的突破。本文借鉴国外WCDMA商用网络无线网络规划和优化的经验来谈谈如何规划和建设中国的WCDMA网络，文中通过介绍国外WCDMA商用网络实际优化和规划的案例并结合WCDMA独有的技术特点来帮助我们更好地理解中国WCDMA无线网络规划的重要性。     

有关测量误差概念的几个问题──教学笔记（之一）

有关测量误差概念的几个问题──教学笔记（之一）龚镇雄，刘俊刁（北京大学物理系１００８７１）（惠州大学物理系５１６０１５）１．关于“误差”一词误差即测量误差，是测量值与真值之差．由于真值是客观存在的，但又不能绝对准确地“测定”它．因此，“误差”一词只在...     

X光预电离重复脉冲准分子激光器的研究

本报告介绍用X光预电离的重复脉冲XeCl激光器的实验研究。在一个放电体积约100厘米~3的激光管上获得单脉冲能量200毫焦耳以上。在混合气体(HCl Xe Ne)为静态条件下,正常运转的重复率为10～20次/秒,准连续运转的激光平均功率已达1瓦以上。 X光源是用小型脉冲闪管,它是直径5厘米、长15厘米的石英管。用钨作为阳极靶,阴极     

二元相位计算全息图

本文提出了对物体傅里叶变换频谱的实部或者虚部编码制作计算全息图的方法,并且指出这种全息图可以在相位编码方向上采用多路技术,使其具有一图多用的功能.文中给出了实验结果.     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段，本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺（刻蚀、腐蚀、硫化）中InCaAs样品的少子寿命分布，结果表明，离子刻蚀使得样品少子寿命降低，非均匀性增大，而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤，损伤区域中心的少子寿命增大，寿命分布也更加均匀，硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命，却使寿命分布均匀性变差。可见，微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布，对工艺改进具有重要的指导意义。