不同浓度的尾砂胶结充填体破坏过程 声发射特性试验研究*

制备了3种不同质量浓度的充填体试件,进行了单轴压缩声发射试验,分析了不同浓度的充填体力学特性,重点研究了试件破坏过程中的声发射振铃计数、声发射累计撞击数与声发射累计能量的比值(r值)、主频及其相对高频信号激增响应系数特征。研究表明：随着浓度的增加,充填体的峰值强度与弹性模量呈增大趋势,充填体中出现的声发射累计振铃计数越多;r值先升高再持续减小到一个较低值,随着外载荷的增加,进入缓慢升高阶段,峰值前均保持在该阶段。充填体破裂前兆信息在声发射信号主频分布中呈现主频段增多现象,表现为由加载初期的1~2个主频段,在临界主破裂时增多到3~5个主频段;且随着浓度的增加,声发射信号主频频段分布越宽,声发射相对高频信号(160~180 kHz)的激增响应系数呈递减趋势。以上特征可为不同浓度的尾砂胶结充填体稳定性监测、预测提供依据。     

太周探测：从60年代四大天文发现说起(上)

介绍了高光谱用红外探测器的性能及使用情况,并将其与国外同类型高光谱红外探测器的关键指标(如信噪比、暗电流、读出噪声等)进行了对比测试分析。经过衬底去除工艺,短波探测器的光谱响应达到0.4~2.6 μm,平均量子效率超过75%,动态范围内响应线性度拟合曲线的R²值都大于 0.99,半阱信噪比可达到1600。该探测器的性能超过了国外报道的同类器件,满足我国高光谱应用需求。     

180元HgCdTe线列器件的冷屏效应与背景限性能

从理论上分析了１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列器件的冷屏效应，计算了１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列探测器每个光敏元所对应的平面视场角（ＦＯＶ）及其在３００Ｋ背景辐射下的背景限探测率，并将实际的１８０元ＨｇＣｄＴｅ线列探测器件每个光敏元的性能同理论进行了比较，结果表明１８０元长波红外ＨｇＣｄＴｅ线列探测器的性能已经接近室温背景的理论极限．     

Radiation Vulcanization of Magnetorheological Elastomers Based on Silicone Rubber

介绍了两种制备磁流变弹性体的硫化方法即高温硫化和辐射硫化. 研究中采用动态力学分析仪(DMA)测量了样品的动态力学特性.特别是对样品的磁流变效应和耐久性进行了详细的测试. 实验结果表明,经过辐射硫化的样品具有更大的零场模量和磁致模量,以及更好的磁流变效应和耐久性. 为了解释这些结果,文章对样品的体积形变和增塑剂渗出都作了详细的分析. 在硫化过程中样品的体积保持稳定是辐射硫化样品具有大磁致模量的重要原因,而增塑剂渗透性小也是辐射硫化样品具有高磁流变效应和耐久性的重要因素.     

光电系统对空目标探测距离评估方法研究

为估算光电系统的目标探测距离,研究了目标的红外辐射特性和在实验室内对系统灵敏度进行测试的方法。在系统设计阶段,可以利用系统设计参数估算光电系统目标探测距离;在系统样机研制完成后,可以利用系统灵敏度测试,对光电系统目标探测距离进行估算。经实际系统试飞试验表明目标探测距离评估方法是可行的。     

基于准分子激光加工技术的内嵌光纤型微流控器件的制备

为了方便、快速、低成本地检测样品,提出一种内嵌光纤型微流控芯片的制备方法.利用248 nm的KrF准分子激光在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基片上进行微加工,构建芯片结构,并嵌入腐蚀过的直径35μm的单模光纤,从而形成内嵌光纤型芯片.探讨了准分子激光加工参数以及嵌入光纤的方法.结果表明,用准分子激光加工芯片,可控性好、简便可靠、加工过程可实现无人化.内嵌光纤实现了光纤的相互对准以及光纤对流道中央的对准,可以灵敏地获取样品的光学信号.     

基于Hadoop的分布式财务异常数据分析系统设计

传统的异常数据监测算法依靠单台计算机对异常数据进行识别,识别速度慢,且无法满足对数据处理的精确性要求。针对上述问题,文中构建了Hadoop分布式财务异常数据分析模型。该模型采用Hadoop中的MapReduce框架作为并行计算框架,同时在数据异常检测算法方面引入了邻域关系的LOF算法,有效避免了数据集元素边缘可能会出现误判的情况。数值实验结果表明,文中所提算法的准确率相比其他3种同类算法提升了5%以上,且算法的总运行时间也明显缩短。由此可见,文中所提模型可快速、准确地检测出财务异常数据,保障医疗系统的平稳运行。     

WiMax与TDD-HSDPA的性能分析与比较

随着无线Internet用户的急剧增长和数据业务的快速增加，对下代无线网络系统提出了越来越高的要求。各运营商更是积极地部署各种宽带无线接入（BWA）技术；第三代无线移动通信技术（3G）就是其中的备选方案之一。同时，随着无限局域网（WLAN）802.11的成功商用，IEEE802.16以及对应的无线城域网（WMAN）空口也成为宽带无线接入技术的有利可选方案。在本文中，我们将对这两种技术提供详细的性能分析和比较。     

微波反射光电导衰减法测量InGaAs 吸收层的均匀性

外延材料的均匀性对制备大型线列和二维面阵焦平面阵列(FPA)探测器非常重要.用微波反射光电导衰减法(μ-PCD)分别在300 K和85 K温度下测量了用分子束外延技术生长的p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中掺杂InGaAs吸收层的载流子寿命分布图,并详细论述了这种测试技术的理论基础.在300 K和85 K时,平均寿命分别为168.2 ns和149.4 ns,结果与ZnS/n-InGaAs/n-InP的基本一致.寿命变温曲线表明,中等掺杂InGaAs载流子寿命在低温下变化较小.μ-PCD法可以非接触无损伤快速测量p-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结中InGaAs的寿命图,对于表征InGaAs吸收层的均匀性有潜在的应用,这对研制均匀性良好的InGaAs焦平面探测器非常重要.     

国外商用WCDMA网络给无线网络规划的启示

1引言 3G无线网络的规划与建设和2G无线网络的规划与建设有较大的不同，3G网络的规划和建设必须在2G网络的基础之上有新的突破。本文借鉴国外WCDMA商用网络无线网络规划和优化的经验来谈谈如何规划和建设中国的WCDMA网络，文中通过介绍国外WCDMA商用网络实际优化和规划的案例并结合WCDMA独有的技术特点来帮助我们更好地理解中国WCDMA无线网络规划的重要性。