设计和表征一个65nm抗辐射标准单元库

提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。     

密集建筑物下隧道开挖微振控制爆破方法与振动分析

为适应城市密集建筑物下隧道爆破对振动的高安全要求, 研究用普通爆破器材进行振速精确控制的爆破技术和参数确定方法。以渝中隧道为研究背景, 在开发准确延时非电雷管的基础上, 利用傅立叶函数和MATLAB软件拟合了不同药量单孔爆破振动波形, 分析了1~50 ms不同间隔下振动叠加的量化数据; 讨论了各微差间隔时间的降振效果; 在指定振速的情况下, 确定单孔药量和微差起爆时间; 实测并分析了现场使用雷管各段微差间隔特点, 据此进行针对性的爆破设计和采用逐孔掏槽爆破进行振速控制。现场应用表明:隧道爆破振速始终小于1.00 cm/s, 在此振速下避免振动叠加的最优单孔药量为1.2 kg, 爆破振速峰值位于主掏槽的第1段或第2段雷管起爆后, 且与理论分析结果吻合较好; 逐孔起爆60 ms后振速下降50%以上。研究表明:在高安全指标下, 以非电雷管实施精确控制爆破是可以实现的。     

影响GaN基蓝光LED能带结构与光谱特性关系的仿真研究

本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明:光谱会随着注入电压的增加而产生蓝移现象,并出现0.365μm处的紫外光发光峰;发光效率在正向电流较小时增长很快,随着正向电流进一步增加而逐渐趋于饱和;随着量子阱中In组分和量子阱阱层厚度的增加,发光光谱出现红移现象,并且发光效率下降。仿真结果对GaN基InGaN/GaN量子阱结构蓝光LED的设计和优化提供一定的依据。     

电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.     

杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究

提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度, 但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响, 本文对低温分子束外延技术（LT-MBE）生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析, 发现样品中存在大量的As反位缺陷（AsGa）、Mn的间隙位缺陷（MnI）、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷, 这些缺陷都会影响外延层的光谱特性, 同时也会影响器件的电学性能。     

成都地区太阳紫外UV-B辐射的测量与分析

本文报道成都地区紫外UV-B辐射的系统测量与分析。成都地区地面紫外UV-B辐射存在明显的日变化、月变化、月际变化特征:晴天紫外UV-B辐射早晚小,中午大,日最大值为3.65 W/m2,日最小值为0.4167 W/m2;UV-B辐射月最大值为3.67 W/m2,最小值为1.67 W/m2,月变化达1.7 W/m2;2006年7月正午紫外UV-B辐射比2005年12月高出3.63 W/m2。夏季晴天正午地面UV-B辐射最大值为3.93W/m2,远小于中国其他城市的辐射量。而成都位于四川盆地,以多云多雾天气为特征,不同云雾量对紫外辐射有不同程度的衰减,因此成都地区地面实际的紫外辐射相对较弱。     

SiC热氧化SiO_2层结构的光谱学表征

C原子的存在,不仅影响SiC热氧化SiO2层与SiC间的界面态,也直接影响SiO2层的结构和致密性。本文用红外光谱对SiC和Si热氧化生长SiO2层进行了研究,分析和讨论SiO2/SiC和SiO2/Si的红外反射光谱特征峰,以及不同的热氧化条件和退火过程对这些谱峰的影响,对SiC热氧化SiO2层质量的光谱学表征进行了初步探讨。     

磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究

用密度梯度量子模型定量研究了磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的击穿特性，考虑了复合沟道内碰撞电离以及沟道量子效应，重点研究了器件击穿电压随In_0.7Ga_0.3As沟道厚度的变化关系，提出了提高击穿电压的方法，采用商用器件模拟软件Sentaurus模拟了器件的开态击穿电压，对比了实验和模拟的结果. 研究表明：适当减小In_0.7Ga_0.3As沟道层的厚度可以在保持器件饱和电流基本不变的前提下大幅度提高开态击穿电压，这对于提高InP基HEMT的功率性能具有重要意义. 关键词： 磷化铟 高电子迁移率晶体管 密度梯度模型 击穿     

成都地区天空光光谱的测量与分析

本文报道成都地区天空光光谱的测量与分析。测量了不同方位不同倾角的天空光谱,测量结果表明,同一天中天空光光谱分布基本保持不变,不同时段,不同方位和不同倾角的天空光光谱强度不同。与天顶角为零的天空光谱(天顶光谱)比较,不同方位和不同倾角的天空光谱中包含了大气吸收的有用信息,可用于大气污染状况的研究与分析。     

电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱

对用电子能量为1.7, 0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究. 对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1nm的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.