基于FPGA的CORDIC算法实现

针对传统CORDIC算法延时大,消耗资源多的缺点,在平行CORDIC算法的基础上提出了一种优化的平行算法,利用二进制转两极算法和微旋转角度编码对低部和高部的旋转方向进行预测,并在高部旋转中利用正反旋转抵消的策略来进一步减少旋转次数,提高运算速度。采用FPGA对提出的算法进行了硬件设计和验证,结果表明,计算迭代次数少,资源消耗少,精度较传统算法来说都有了明显改善。     

一种用于IR-UWB的数控环形振荡器设计

设计了一个应用于超宽带脉冲无线电（IR-UWB）通信系统的数控环形振荡器（DCRO）.DCRO采用3调谐,包括电压粗调谐和开关变容管精调谐,逐级提高调谐精度.提出了一种新型延时单元,采用多环路结构,提高了环形振荡器的振荡频率,降低了功耗.设计采用CSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体工艺,电源电压1.8V,使用SpectreRF仿真验证,数控环形振荡器的调谐范围为3～8.6GHz,调谐精度为2MHz,当工作频率在8.6GHz时,偏离主频10MHz处相位噪声为-112.4dBc/Hz,功耗为20mW.     

基于不对称互补的恒跨导全摆幅输入级

提出一种不对称互补的输入级结构,实现了在整个共模范围内的恒跨导.两种实现方法分别是:PMOS差分对截止时,NMOS差分时开始工作;NMOS差分对截止时,PMOS差分对开始工作,两个差分对有主辅之分.在SMIC的0.18/μm工艺条件下,设计仿真了这种输入级,使得电路结构简单,并能得到更平坦的跨导,适合用作恒跨导运算放大器的输入级.     

SOI基3C-SiC薄膜的光谱表征

本文探索在SOI基片上通过顶层Si直接与碳源反应,反向外延生长3C-SiC薄膜的工艺条件和技术。采用LPCVD技术,以CH4和H2混合气体为反应源,在SOI衬底上生长3C-SiC薄膜。采用X射线衍射分析仪、场发射扫描电子显微镜和傅里叶红外光谱来研究样品的结构和性质;并研究反应前、后样品电压-电容特性的变化。研究结果表明,通过反向外延的方法,能够在SOI基片反向外延生长得到3C-SiC薄膜,但目前的工艺条件有待进一步的改善。     

Re_3N的变温拉曼散射与高压同步辐射研究

本工作通过高压固相复分解反应(HPSSM)合成块体Re_3N。利用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和能量色散X射线分析(EDS)对高压样品进行结构表征与元素成分确定,结果表明利用HPSSM法合成的Re_3N具有较高的晶体质量。在77K到873K温度范围内利用拉曼散射研究Re_3N的晶格振动特性。基于三(四)声子耦合模型,研究Re_3N拉曼声子模频率的红移和拉曼峰的宽化现象,结果表明高温条件下Re_3N拉曼散射效应中三声子耦合过程占主导。高压同步辐射研究表明Re_3N具有很高的体弹模量(B0=417GPa),是一种潜在的超硬材料。     

全息干涉法在条形药包离面位移场研究中的应用

以新型红宝石激光照相装置为基础,进行动态全息实验系统研究及设计,实现了一次爆破加载获取四个动态过程爆破模型的位移场条纹图,用此研究了线型载荷爆破时质点离面位移振动的变化规律。研究表明:端部延长线方向离面位移值在全场所有剖面始终最小,发现在线型载荷离面位移场和应力场一样,同样存在端部效应现象;中垂线上的最大位移值在不同时间都高于其它计算剖面位移极值;瑞利波产生的位移衰减很慢。     

单波长光声光谱血氧饱和度检测技术研究

血氧饱和度(SO₂)为临床观察病情变化提供了有意义的指标。传统血氧饱和度检测研究工作多采用双光源和多光源光电容积脉搏波描记法实现无创检测来减少病人痛苦。通过研究生物组织对光的吸收和散射特性,将光谱学和光声技术相结合提出了一种无创式单光源检测血氧饱和度(SO₂)、脱氧血红蛋白浓度[HBR]和氧合血红蛋白浓度[HbO₂]的新方法。该方法基于血液对光信号的吸收和散射理论基础和光声信号呈现吸收线形关系建立单波长光声光谱血氧饱和度检测技术,不仅可以进行指标性参数分析还可以对组织成像。为了验证该技术可行性,在实验中采用单波长激光脉冲光源,以绿色和红色墨水的混合液体作为含有脱氧血红蛋白和氧合血红蛋白的血液模型注入软管模拟人体血液环境。其中红色墨水的含量类比于血液中含氧血红蛋白含量,从而可通过测量计算出红色和绿色墨水浓度来表征伪血氧饱和度(poseudo-SO₂)。实验结果表明,所测的伪血氧饱和度与实际浓度误差不超过6.97%,采用该方法量化血氧饱和度是可行的;同时利用实验结果,结合光声成像技术完成了对伪血液中单圆管截面成像。该方法替代多波长光谱分析的方法能显著降低激光系统和便携式实现成本。     

浅海中单个简正波的分析

在跃变层之下的等温层中进行了爆炸声传播实验,获得了频率0.32—1.0kH2的单个简正波的记录。通过对简正波脉冲传播时间的分析,确定所记录的波形为第一号简正波。根据第一号简正波的传播特性,分析得到了频率0.32—1.0千赫的小掠射角海底反射系数。     

SiGe/Si异质结缺陷的光致发光研究

本文用光致发光(PL)光谱对Si0.87Ge0.13/Si异质结的缺陷进行了研究。对PL光谱中与SiGe外延层应变驰豫产生的失配位错相关的D-Band进行了分析,发现应变驰豫同时在SiGe层和Si衬底中诱生了位错。由于在PL光谱中观察到了D1而没有观察到D2,因此D1,D2很可能并不对应于相同的位错。通过进一步的分析,我们推测引起SiGe/Si异质结的PL光谱中D-Band的位错的微观结构很可能和Si-Si相关。     

基于电流复用技术的LC压控振荡器

介绍了一种改进的LC压控振荡器.该电路采用电流复用技术维持有源负阻的相对稳定,有效增大了输出摆幅,同时没有尾电流上混频引入的1/f噪声,大大减小了相位噪声.另外,与常规VCO不同,采用开关阶跃电容结构,在一定程度上增大了可变电容的调节范围.采用TSMC 0.18 μmRF CMOS 1P6M工艺,仿真得到在1.25V基准电压下供电时,可有950～1050 MHz的线性调节范围,在中心频率1 GHz频偏1 MHz时的相位噪声为-129.3 dBc/Hz,功耗为4.1mW.