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在研究0.5μm多栅NMOS场效应管γ辐照总剂量效应实验时,发现部分多栅NMOS器件辐照前后的转移特性曲线出现交叉现象,相关的解释鲜见报道。经过分析提出假设:部分多栅NMOS在γ辐照实验过程中各栅极受到剂量不均匀的辐照,导致辐照前后转移特性曲线出现交叉现象。计算机仿真结果表明:受到剂量不均匀的辐照后,多栅NMOS各栅极氧化层陷阱电荷和硅-二氧化硅界面电荷浓度不一致,使各栅极阈值电压不同步漂移,导致器件跨导退化和转移特性曲线交叉。通过仿真验证能够说明,所提出的假设合理地解释了实验中的现象。 相似文献
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喷墨打印工艺是新兴的有机电子器件制造核心技术之一,而聚合有机半导体材料的选择从一定程度上决定了其可打印性和所制造器件的工作性能,因此变得极其重要。本文对PTAA(Polytriarylamine)这种聚合有机半导体材料进行了研究。用PTAA喷墨打印技术制备出了具有一定MOSFET器件特性的有机晶体管(OFET)并对其电学特性进行测试分析,利用红外光谱技术对PTAA材料在器件工作中所表现出的早期失效现象进行研究。 相似文献
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采用0.6μm DPDM工艺,设计出一款在静态功耗、失调电压、输出摆幅、输出功率、THD、速度和带宽等各方面性能都比较优良的AB类CMOS输出运算放大器,其主要应用于音频功放芯片。采用推挽式功率管输出,其主体部分采用折叠式共源共栅差分电路结构,偏置部分采用外部电流源供电,并使用共源共栅电流镜结构。供电电压为3~5 V,在5 V下的静态功耗为6 mW。能驱动32Ω耳机,其最大输出功率是90 mW。仿真结果表明,电路性能优良。 相似文献
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设计了一个在0.8μm BiCMOS工艺、低于1 V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61 V的基准电压。该电路结合当今电压基准主流技术及研究进展,采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器;采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法,实现了大于59 dB电源抑制比和-30~150℃范围内11.7 ppm/℃的温度系数。 相似文献
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在三维成像技术中,对图像进行傅里叶变换之后需要通过频谱移位将零频集中到中心位置。为了提高图像处理的运算速度,提出了一种结合频谱移位的二维傅里叶变换的FPGA实现方法,将频谱移位结合到二维傅里叶变换硬件系统中,在实现图像二维傅里叶变换的同时也完成了一半的频谱移位。采用ALTERA 系列EP4CE115F29C7芯片,针对256*256的图像实现设计,最高工作频率分别达到84.2MHZ;资源消耗为3849个LE。采用SignalTap II Logic Analyzer工具实时验证了模块的正确性。 相似文献
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受隧道内环境恶劣、相机防护等诸多因素制约,隧道现场爆破的高速图像采集与分析尚未实现,而这对精准控制爆破参数非常重要。以重庆某隧道为研究背景,在解决现场测试技术难题基础上,得到隧道爆破过程完整图像并同时获取爆破振动数据;据此分析了隧道爆破岩石破裂现象:炸药起爆15~18 ms后岩体移动,21 ms左右形成空洞并不断扩展后抛出;探讨了同对掏槽眼爆破协同作用时间与微差降振时间之间的矛盾,研究表明兼顾二者作用的起爆时差为8~50 ms;通过分析爆破裂隙扩展曲线特点并结合实测振动数据,确定起爆54 ms时形成第二临空面,较按过去方法确定的时间更精确,以此进行现场掏槽段位设计的降振效果良好;研究结果可为精准控制爆破提供参考。 相似文献