基于频域方法的三维物体分层重现

基于频域方法实现了数字记录和再现三维物体离轴全息图.通过频谱对应关系求得各个面的频谱分布,使用数字滤波方法,成功地消除了零级衍射和共轭像;通过改变再现距离,分别获取了三维物体各个截面的再现像.     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

无催化纳米氧化锌的制备及其光学性质研究

本文采用无催化剂直接蒸发高纯Zn粉,在800℃氧气氛条件下,在Si(111)衬底上生长得到以四角状为主的纳米ZnO(T-ZnO)。T-ZnO纳米线每个角约互成110°,长度约为1.5μm,直径100nm左右;Raman分析表明E2(H)普遍存在于各形态的ZnO;光致发光光谱表明,T-ZnO纳米线的光致发光除了与材料性质有关,还与杂质缺陷有关,蓝绿光带是ZnO的缺陷产生的。     

微乳液中球形及棒状SrTiO3纳米粒子的控制合成

以氢氧化锶和钛酸四丁酯为原料, 在水溶液/Triton X-100/环己烷/正己醇反相微乳液体系中制备了直径约为20～80 nm的钛酸锶球形纳米粒子和长约300～1200 nm、直径约为30～150 nm的钛酸锶纳米棒. 用XRD, ICP, TEM, SAED和SEM对样品的结构、成分和形貌进行了表征; 用DLS分析了样品的粒度分布. 结果显示, 水与表面活性剂的物质的量比(ω₀)、反应物浓度、陈化时间等因素都能影响钛酸锶纳米粒子的形貌和尺寸. 所得钛酸锶的锶钛物质的量比约为1.0, 粒度分布较窄, 为立方相单晶结构.     

利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路

传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。     

GaMnAs薄膜洛伦兹振子模型参数提取以及材料缺陷分析

利用改进的遗传算法从GaMnAs外延薄膜的远红外反射光谱中提取了GaMnAs薄膜的洛伦兹振子模型参数,发现GaAs掺入Mn后,ωTO向低频方向移动,ωLO基本保持不变,ε∞和εs均减小,γ有很大变化.并通过XRD以及近红外谱发现Mn的掺入会引入缺陷,这种缺陷会影响晶格质量,导致γ发生很大变化.     

高温高压固态复分解反应法生长氮化镓的应变性质研究

本文采用高温高压下固态复分解反应法生长氮化镓.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、激光拉曼光谱仪对其进行分析,结果表明生成了六角纤锌矿结构的氮化镓晶体.该样品在宏观上受到了张应力的作用,退火后,宏观的应变状态由张应变向压应变转变;晶体微观应力减小,晶粒尺寸变大,晶体质量变好.     

AN EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF TURNING-POINT CONVERGENCE-ZONES IN A DEEP SOUND CHANNEL IN THE SOUTH CHINA SEA

in October 1983,an experiment was carried out to investigate the characteristics of turning-point convergence-zones and of underwater sound propagation in a deep sound channel in the SouthChina Sea by using explosive sound sources.In this paper,we present the experimental results forthe source depths of 200 m and 500 m.By using the theory on the turning-point convergence-zoneand parabolic approximation,the measured data are analysed.For low-frequencies the measuredpositions and convergence-gains of zones coincide with calculated results quite well.     

在硅片上电沉积不同形貌的ZnO纳米结构的研究

采用简单的电化学沉积方法,通过调节电解液浓度和pH值,在硅衬底上实现了ZnO纳米结构的形貌控制。通过X射线衍射、扫描电镜和光致发光谱等表征手段对不同形貌的ZnO纳米结构进行了研究。研究发现,通过调节沉积条件,可以获得纳米棒、纳米簇丛和纳米片等不同形貌的ZnO纳米结构。其中,溶液pH值是纳米ZnO从一维结构到二维结构转变的关键因素。当pH值为12时,所获得的纳米ZnO为二维片状结构。光致发光谱显示二维ZnO纳米片的紫外本征峰相对于一维ZnO纳米棒发生了明显的蓝移,并且可见区的发光峰大大降低。这一结构将在光电器件、传感器等领域有很好的应用前景。