高速小目标成像系统中的探测器选型问题

探测器作为成像系统设计的"眼睛",其性能直接关系到成像系统的优劣.以高速小目标成像系统为例,介绍了实际应用中探测器选型的方法.以一特定系统为例,重点从探测器扫描方式,探测器结构及信噪比等方面做了详细介绍,并最终确定Kodak的KAI-4021作为该系统的选择.在实际的系统设计中,探测器的选择还综合考虑了许多其他因素,未在文中详述.     

高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长，衬底为双面抛光的蓝宝石，缓冲层为AlN，n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层，i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN，p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面，光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段，响应区域为310~365 nm，在360 nm处响应率最大，为0.21 A/W，在考虑表面反射时，内量子效率达到82％；优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2，对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1；且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。     

平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究

通过闭管锌扩散制备了256元平面型铟镓砷(In0.53Ga0.47As)线列探测器,室温下焦平面平均峰值探测率为5.79×1011cmHz1/2W-1,不均匀性为31%,平均峰值响应率为0.33 A/W.并且通过拟合其伏安曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,基于这两个相互独立的参数可以对器件不同区域的性质加以考查,结果表明器件材料具有较好的均匀性,而器件的欧姆接触电阻偏大,且不均匀性达到39%,为工艺的改进提供了重要依据.     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差.可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义.     

建立动态导航中的电子地图数据结构模型

本文通过研究动态导航电子地图数据结构模型,提出适合数据差分更新的动态导航电子地图数据结构的技术解决方案,为基于卫星的导航定位系统的终端数据库设计提供必要的技术基础。     

“空间四点定球”的探索

在平面几何中,不在同一直线上的三点可以确定一个圆:若三点连线组成三角形,且三角形的三边己知,则此三角形的外接圆的半径可以求出。在空间中不在同一平面内的四点可以确定一个球,若四点连线组成四面体,且四面体的六条棱长已知,那末此四面体的外接球半径是否可以求出?本文对此问题进行探索。设四面体D—ABC中,BC=a、AC=b、AB=c其相对棱DA、DB、DC的长分别为a、b、c,求DABC的外接球的半径。解:在平面ABC中过A作AE⊥BC于E,在平面DBC中过D作DF⊥BC于F,则平面ABC与平面DBC所成二面角的平面角,是异面直线DF与AE所成的角,或此角的补角,由于棱长已知,所以各个     

等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响

本文研究了等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响,求得了依赖于平面间耦合t的系统的有效维数的电导率修正。并且发现在计及等能谷间杂质散射时,电导率修正比只考虑谷内杂质散射时小一半,我们研究了层伏系统从二维过渡到三维的跨越维数效应,发现跨越行为依赖于谷间散射时间τ′,当t<1/τ(τ₀/τ′)^1/2时,系统具有二维行为,反之系统具有三维特征。 关键词：     

CSPD-1溶液物理显影研究

本文介绍了命名为CSPD-1溶液物理显影处理工艺,用于中国全息干板的实验研究结果;全面地总结了实验操作中的技术关键问题;对观察到的新工艺优越性产生的机制,作了初步的理论讨论。     

YAG激光扫描刻槽机

本文设计了一种新型扫描激光刻槽机。分析了刻槽机的激光扫描系统和机械传动系统。YAG激光刻槽机每分钟能刻20个电阻,扩阻率500～3000倍;槽宽50μm;阻值精度±0.5%(R<1mΩ),±1%(R>1MΩ)。     

全息发光二极管——光纤耦合器的理论设计

本文提出了一种新型的耦合器-全息发光二极管-光纤耦合器，进行了理论设计，给出了设计方法及设计结果。结果表明：这种新型的耦合器可显著增加耦合效率。