高速小目标成像系统中的探测器选型问题

探测器作为成像系统设计的"眼睛",其性能直接关系到成像系统的优劣.以高速小目标成像系统为例,介绍了实际应用中探测器选型的方法.以一特定系统为例,重点从探测器扫描方式,探测器结构及信噪比等方面做了详细介绍,并最终确定Kodak的KAI-4021作为该系统的选择.在实际的系统设计中,探测器的选择还综合考虑了许多其他因素,未在文中详述.     

高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长，衬底为双面抛光的蓝宝石，缓冲层为AlN，n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层，i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN，p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面，光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段，响应区域为310~365 nm，在360 nm处响应率最大，为0.21 A/W，在考虑表面反射时，内量子效率达到82％；优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2，对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1；且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。     

平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究

通过闭管锌扩散制备了256元平面型铟镓砷(In0.53Ga0.47As)线列探测器,室温下焦平面平均峰值探测率为5.79×1011cmHz1/2W-1,不均匀性为31%,平均峰值响应率为0.33 A/W.并且通过拟合其伏安曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,基于这两个相互独立的参数可以对器件不同区域的性质加以考查,结果表明器件材料具有较好的均匀性,而器件的欧姆接触电阻偏大,且不均匀性达到39%,为工艺的改进提供了重要依据.     

微波反射光电导衰退技术在InGaAs台面结器件工艺中的应用

微波反射光电导衰退法是一种非接触式的半导体材料少子寿命表征手段,本文用微波反射光电导衰减法测试了台面InGaAs光电器件制备中各单项工艺(刻蚀、腐蚀、硫化)中InCaAs样品的少子寿命分布,结果表明,离子刻蚀使得样品少子寿命降低,非均匀性增大,而湿法腐蚀能够在一定程度上修复离子刻蚀带来的损伤,损伤区域中心的少子寿命增大,寿命分布也更加均匀,硫化钝化能够进一步提高损伤区域少子的寿命,却使寿命分布均匀性变差.可见,微波反射光电导衰减法可以简单无损地得到样品少子寿命分布,对工艺改进具有重要的指导意义.     

等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响

本文研究了等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响,求得了依赖于平面间耦合t的系统的有效维数的电导率修正。并且发现在计及等能谷间杂质散射时,电导率修正比只考虑谷内杂质散射时小一半,我们研究了层伏系统从二维过渡到三维的跨越维数效应,发现跨越行为依赖于谷间散射时间τ′,当t<1/τ(τ₀/τ′)^1/2时,系统具有二维行为,反之系统具有三维特征。 关键词：     

YAG激光扫描刻槽机

本文设计了一种新型扫描激光刻槽机。分析了刻槽机的激光扫描系统和机械传动系统。YAG激光刻槽机每分钟能刻20个电阻,扩阻率500～3000倍;槽宽50μm;阻值精度±0.5%(R<1mΩ),±1%(R>1MΩ)。     

苹果在不同贮存环境下细胞超微结构的观察

选用市场上常见的苹果品种：国光、花牛、富士作为材料，每一种苹果分成两份，一份在常温下保存，另一份放在0-4℃左右的冰箱内保存。保存前取样一次，后每隔10d取样一次，共4次取样，每次取样品为果皮和果肉各5-6个。常规透射电镜制样，JEM-1200EX电镜观察。     

三网合一的技术问题及其发展

三网合一是指在未来的数字信息时代,当前的计算机网将与电视网（含有线电视网）、电信网合而为一,并且合并的方向是传输、接收和处理全部实现数字化。１三网合一现阶段的主要技术问题以三网合一为基础的ＢＩＳＤＮ若能同时传输语音、视频、数据等各种信息,必须具有很宽的?..     

高密度信息三色显示

本文叙述了一种新的高密度信息激光光阀大屏幕三色显示系统,其分辨率为4×10~6象素,显示面积1.6×1.6m~2,双色图象重迭精度优于0.1％。     

n分量φ4模型薄膜的尺寸效应

我们用场论重整化群方法讨论了周期边界的n分量φ⁴模型薄膜的单纯尺寸效应,发现仅当维数满足d_<+1>时尺寸效应具有Fisher的标度形式,其他情况下它是不可标度的。同时也讨论了维数渡越现象及状态方程。 关键词：