掺C的MgB2块材在静态Ar气氛下成相的研究

我们制备了掺碳二硼化镁系列样品MgB2-xCx(x=0、0.02、0.05、0.1、0.13、0.15、0.17),得到了x=0.02、0.05、0.13、0.15、0.17等样品在高温烧结过程的升温阶段的R～T曲线(简称为HT R～T曲线).发现这些样品的成相温度比不掺碳的MgB2样品的成相温度要低一些,处于500℃附近.我们也对x=0.0、0.05、0.1、0.13、0.15、0.17这一系列样品的X光图谱,低温M～T曲线,R～T曲线进行了测量和讨论.     

中高压变频器的一体化集成结构

本文介绍一种布局紧凑、柜体单元之间连线方便的中高压变频器的一体化集成结构,变频器功率单元采用模块化设计、抽屉式快速插拔、变频器功率单元和变压器串联通风等结构,便于功率单元的生产、储备、安装、扩展、维修和运输。     

S波段光纤放大器的研究

文章介绍了掺铥光纤放大器(TDFA)和增益位移掺铥光纤放大器(GS-TDFA)的基本工作原理.分析了不同的泵浦波长选择.随后,作者提出了一种使用半导体激光器泵浦两级高掺杂掺铥光纤的增益位移放大器方案.采用此方案的光纤放大器在30 nm工作带宽上光增益大于20 dB,饱和输出功率大于17 dBm,噪声指数为5.9～6.2 dB.