ZnCoO稀磁半导体的室温磁性

采用固相反应法，将ZnO和Co₂O₃粉末按不同的成分配比混合，制备了稀磁半导体Zn_1-xCo_xO (x=0.02,0.06,0.10)材料.并使用H₂气氛退火技术对样品进行了处理，得到了具有室温铁磁性的掺Co氧化锌稀磁半导体.利用全自动X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、高分辨透射电子显微镜和超导量子干涉器件磁强计对样品的结构、晶粒的尺寸、微观形貌以及磁性等进行了测量和标度. 关键词： 稀磁半导体 氧化锌 掺杂 固相反应法     

数控机床加工程序微机管理系统

本文概况阐述了ＦＰ４ＣＣ，ＦＰ５ＣＣ，Ｍ２１２５等几种数控机床的程序管理及传输方法，在实际生产应用中大大提高了效率，降低了成本。     

Er1-xDyxNi2B2C体系中超导和磁性的共存和相互作用

本在2K～20K温区内系统地研究了Er1-xDyxNi2B2C体系中超导转变温度Tc的反铁磁转变温度TN随Dy掺杂含量x的变化．实验发现x=0．3和x=0．8附近的样品具有复杂的磁结构．这些洋品有两个磁转变温度(TN’和TN)．对于该体系发现了两个主要的特征：1)在x=0．3附近，超导被抑制，TN’出现一个小的峰值；2)在x=0．8附近，Tc出现一个低谷，TN’出现一个大的宽峰．TN’在x=0．3和x=0．8附近的异常来源于改系统中超导和磁性的共存和相互作用。     

GSM提供更多更好的移动数据业务（上）

ＧＳＭ提供更多更好的移动数据业务（上）ＨａｎｓＰｅｔｔｅｒＮａｐｅｒ＂ＢｅｔｔｅｒＭｏｂｉｌｅＤａｔａＳｅｒｖｉｃｅｓｗｉｔｈＧＳＭ＂，Ｃｅｌｌｕｌａｒ＆ＭｏｂｉｌｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ￥／／对无线数据业务的要求日益增长，膝上型和掌上型计算机变...     

Magnetic Field Dependence of the Critical Current of Bi2Sr2CaCu2O8＋δ-Based Intrinsic Josephson Junctions

Well-characterized surface intrinsic Josephson junctions (IJJs) on Bi2Sr2CaCu2O8 δ single crystals are fabricated by in situ cryogenic cleavage of the crystals and immediate evaporation of A u films on the crystal surface. Magnetic field dependences of the critical currents of the surface and inner I33s are carefully measured. We find that the     

GaAs/Si外延层的TEM研究

外延生长半导体材料中的微缺陷对其性能及应用有着关键性的影响,为此微观缺陷的研究的必要性就显得更突出了。而透射电子显微学恰是进行微缺陷研究的重要手段。本工作就Si衬底上外延生长Ga As开展研究。实验样品有两类:(1)在Si衬底上直接生长Ga As;(2)在Si衬底上先生长一定量的Ga AsIn Ga As超晶格作为缓冲层,而后再生长Ga As。实验结果表明两类样品中的Si衬底晶体完整度很好,外延层中存在着大量的晶体缺陷,但缺陷性质不完全类同。对于第(1)类样品缺陷以位错为主,同时有一些微孪     

玉米水淹后气孔的形态变化

高等植物气孔的开闭,主要取决于水份供应、叶子的温度、光照和二氧化碳溶度。传统的见解认为,水份供应的影响是十分明显的,当植物缺水时其气孔变小,缺水严重时气孔常常完全关闭;反之,水份供应充足时气孔则开放。但是,通过本实验可所看到,在温度、光照和二氧化碳浓度不变的条件下,当供水过多时,植物叶子的气孔不但不开放,而是随时间长久越来越关闭。我们以玉米为材料,用土培养两个星期的幼苗开始水淹,水位高度为土层之上2—3cm,每天上午十时左右取样。通过扫描电镜观察到,随着水淹时间的增长,玉米叶子上的气孔逐渐关闭(如图A—F)。     

用马尔可夫场模型改善遥感图象区域分割的研究

<正> 引言划分区域边界(或分割)是遥感数字图象处理的基本问题之一。其方法大致有两类:一是直接寻求区域的边界;二是在区域分类的基础上实现分割。考虑到实际遥感图象在区域内部或边界上的复杂性,以及人们通常对于所研究的区域会有较多的先验知识,因此,我们着重研究建立在监督分类基础上的区域分割方法。在分类时原则上要充分利用遥感图象的多光谱信息以及实际类别在空间分布的结构特征,要求能够区分出多种类别。     

HfO_2高k栅介质漏电流机制和SILC效应

利用室温下反应磁控溅射的方法在 p- Si(1 0 0 )衬底上制备了 Hf O2 栅介质层 ,研究了 Hf O2 高 k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流 (SIL C)效应 .对 Hf O2 栅介质泄漏电流输运机制的分析表明 ,在电子由衬底注入的情况下 ,泄漏电流主要由 Schottky发射机制引起 ,而在电子由栅注入的情况下 ,泄漏电流由 Schottky发射和 Frenkel-Poole发射两种机制共同引起 .通过对 SIL C的分析 ,在没有加应力前 Hf O2 / Si界面层存在较少的界面陷阱 ,而加上负的栅压应力后在界面处会产生新的界面陷阱 ,随着新产生界面陷阱的增多 ,这时在衬底注入的情况下 ,电流传