ST8105A实现AD688AQ测试

针对在数模混合测试仪器ST8105A上实现AD688测试的需要,通过对仪器的软硬件资源与器件测试需求的软硬件资源进行分析比对,将两者的资源进行匹配并进行合理的优化分配使用,利用已有的测试仪器的软件API对测试仪器硬件的控制测试,实现了AD688测试需要的适配器设计及软件编程,并完成测试,达到对测试仪器软硬件资源熟悉掌握并可熟练运用的目的.     

3G手机视频客户端上网免流量原理及实现

通过对3G手机视频客户端上网免流量的原理分析,结合中国联通"WO+视频"流量产品,给出3G手机视频客户端上网免流量系统的设计和实现。     

基于图像检索的大豆食心虫虫害高光谱检测

为减轻虫害对大豆的影响,首先使用相应的高光谱仪器进行样本采集,样本分为4类：包括带有微小虫卵的,带有幼虫的,有啃食痕迹的和完全正常的大豆各20颗;然后提出了一种基于三维图像检索(3D-R-D, 3D Resnet18 DCH)的大豆食心虫的高光谱检测方法。该方法从视频检索的应用中得到启发,考虑到视频不同帧之间和高光谱不同层之间存在类比关系,使用了在大规模视频检索数据集下训练而成的分类模型,将它作为预训练3D卷积模型进行训练。和已知的文献方法相同,使用公开的光谱数据集进行正式训练和微调,从而得到能进行特征提取的3D卷积网络,用图像检索来实现间接分类,通过利用样本之间的特征距离,实现在全新类别上的分类。为能适应任务,将模型最后的分类层变成了图像检索常用的hash层,从而得到了代表特征的二进制码。该方法不但完成了对不同情况下大豆种类的检测,还解决了训练时样本不足的问题。为探寻一种好的相似度匹配损失函数,对比了多种较新的方法,最后发现使用融入柯西分布的损失函数,实验效果最佳,最终模型的分类精度达86%±1.00%,和在大豆食心虫检测上最新的小样本方法对比,3D-R-D方法提高了3.5%左右的精...     

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530'和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.     

太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟

波导层结构设计是制备太赫兹(THz)量子级联激光器的关键问题之一.本文基于德鲁得(Drude)模型,利用时域有限差分(FDTD)法,对Si/SiGe量子级联激光器的波导层进行优化设计,从理论上对传统的递变折射率波导、单面金属波导、双面金属波导以及金属/金属硅化物波导横磁模(TM模)的模式损耗和光场限制因子进行了对比分析.结果表明,金属/金属硅化物波导不但可以减小波导损耗,而且有很高的光学限制因子,同时其工艺也比双面金属波导容易实现,为Si/SiGe太赫兹量子级联激光器波导层的设计提供了一定的理论指导.     

高能物理计算与互联网的发展

高能物理（也称粒子物理）是研究物质微观性质及宇宙起源的基础科学,不管是理论研究还是实验研究,历来都涉及大规模的科学计算与网络的挑战。就高能物理实验而言,其特点就是实验装置巨大,几乎每个实验都是国际合作。高能物理实验产生的海量数据需要高性能计算机进行处理,同时需要先进的网络在国际范围内进行数据交换。计算机网络技术为高能物理提供了重要支撑,同时高能物理也极大地推动了计算机网络技术的创新发展。     

散斑位移法测量激光高斯光束的空间分布

提出一种测量激光光束高斯空间分布特征的新方法——散斑位移法。该方法利用光传播的菲涅尔衍射公式和光场的统计规律,给出散斑场光强在散射体位移前后的高斯光束相关函数的表达式。测出相关函数在光路上某一位置的数值,并由此同时求出高斯光束的束腰位置和大小。     

多点时序MCG数据的处理和利用

在简易磁屏蔽室中，用单通道的高温超导rf SQUID梯度计构成心磁图（MCG）测量系统，依照MCG测定部位的约定，测得数例成人胸前多点MCG．不计心动周期随时问的变化，用数据分析软件对这些MCG数据进行分析处理，得到包括了空间信息、可直观展示心脏电磁活动的二维心磁图谱（例如等磁图、时序等磁图、电流箭头图和时序电流箭头图等）     

NiSOF／γ—Al2O3对丙烯齐聚反应的催化行为

ＮｉＳＯ４／γ－Ａｌ２Ｏ３的酸性强烈影响其催化丙烯齐聚的活性。ＣＯ中毒实验和ＥＳＲ表征证明，在反应过程中有Ｎｉ＾＋产生，并成为反应的活性中心。推测ＮｉＳＯ４／γ－Ａｌ２Ｏ３上丙烯齐聚反应除通过酸中心上酸催化进行外，还通过Ｎｉ＾＋上配位催化进行。     

采用硅片粘合和内向腐蚀法制作的CMOS／SOI器件的辐射响应

研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一些MOS器件,并测试了它们在辐射前后的电特性。采用TEM进行的分析表明。、这种BESOI膜无缺陷。CMOS器件具有很高的迁移率和很低的漏电流(小于1.0pA/微米)。这些器件的上表面和边缘的氧化层的辐射响应与体硅器件相近。在10兆拉德(SiO_2)剂量的辐射下,正电荷俘获和界面陷阱产生分别为-0.8和0.8V。