用排序网实现ATM信元淘汰

本文探讨了修改排序网实现信元淘汰的方法（简称Ｂ网）。比较了Ｂ网和［１］中淘汰网（简称Ｋ网）的复杂性和时延。给出了集线比λ＝Ｌ／Ｎ的临界值λ０（Ｎ），并证明当λ＞λ０（Ｎ）时Ｂ网有较小复杂性和较小时延。     

离子束刻蚀位相型Ronchi光栅研究

本文报道了采用紫外光刻和离子束刻蚀方法制作位相型Ｒｏｎｃｈｉ光栅的工艺技术，并对其衍射特性进行了讨论，同时给出实验结果。     

宽频带快响应激光功率计

(一)检测元件是一片厚0.2毫米的经阳极氧化和发黑处理了的绝缘铝片,氧化铝薄膜厚大约为10微米,利用一台DMR-1分光光度计测出它的吸收系数在从紫外(1900(?))到红外(2.5微米)几乎是完全平坦的。该特性表明,它不需加任何波长校准片就可用于全波段,误差小于4％。 (二)在受光面的背后,利用光刻掩膜作模R,蒸镀上15对串接的热电偶膜,膜厚约1微米。它所产生的热电动势为:     

溅射气体中氩气含量对Y1Ba2Cu3O7-δ薄膜结构和Tc的影响

采用倒筒直流磁控溅射系统在不同溅射气体组分下(氩氧比不同)原位沉积Y1Ba2Cu2O7-δ(YBCO)薄膜.样品的XRD分析发现在Ar含量过高和过低的溅射气氛下沉积的薄膜存在极少量的BaCuO2第二相, 同时显示薄膜的c轴长度, (006), (007)对(005)峰强度比随着溅射气体中Ar含量的变化而发生改变.通过薄膜超导零电阻温度检测发现, YBCO薄膜的超导零电阻温度Tc随之发生改变.这说明在磁控溅射沉积YBCO薄膜过程中, 溅射气体中Ar气含量影响薄膜各元素的化学计量比, Ar含量过高和过低导致沉积YBCO薄膜晶体结构发生畸变, 恶化超导电性.     

基于CDRM的IPTV DRM方案的研究与设计

一 引言 随着数字内容产业的快速发展，越来越多的数字内容产品，如音乐、电影、电子图书、图片、游戏和软件等，正在通过网络传播和交易。然而，由于数字化信息很容易被复制、修改和传播，网上传播的数字内容产品存在着大量的盗版和侵权问题，并日益严重，给数字内容产品价值链中的各方都造成了巨大的经济损失。     

Y1Ba2Cu3O7—8超导体层错的高分辨电镜研究

我们在运用高分辨电子显微术,在T_c为90K通过固态反应制备的YBaCuO超导体中观察到两种类型的层错,其层错面均为(001)面。结构象衬度及晶体周期性分析表明层错均为附加Cu-O链插入包含基本Cu-O面的两层Ba-O层之间所致,两种层错分别具有位移矢量R_1=[0,/2,c/b]和R_2=[a/2,b/2,c/b]。图1为[100]带轴的高分辨象,图中显示了R_1型层错并标出了层错附近原子排列情况,结构模型在[100]方向的投影如图4A区所示。图2是与图1同一样品稍不同区域不同欠焦量的[100]带轴高分辨象。图中B区沿水平方向晶格参数与A区相同,故A、B两区具有相同的晶带轴B区显示的层错与A区不同,具有位移矢量R_2,图中标出了原子排列情况,结构模型如图4B区所示。(001)层错可以穿过整个晶粒,也可中止在其中。在层错中止处,存在伯格斯矢量和层错位移矢量相同的不全位错。图     

Gamma 算子在 Lp (1≤p ≤∞)空间带权同时逼近的强逆不等式

该文利用修正的带权 K- 泛函K²σ f, t²)_w,p, 考虑Gamma算子在L_p~ (1≤p ≤∞)空间带权同时逼近, 给出了它的 B -型强逆不等式.