驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。     

适用于激光跟踪仪转站的改进平差方法

激光跟踪仪的转站误差直接影响数据质量。最小二乘（LS）方法只考虑观测向量误差,加权总体最小二乘（WTLS）方法忽略转站模型的特点,两种算法均存在一些不足。针对激光跟踪仪坐标转换模型的特点,提出了结构约束总体最小二乘（SCTLS）方法。该方法能够顾及坐标观测值的相关性,提取误差矩阵的特殊结构,从而保证相同元素的改正数是一致的。同时对待估参数附加限制条件,保证旋转矩阵具有正交性。使用拉格朗日乘数法严密推导算法的求解步骤,给出了精度评定的公式。仿真结果显示SCTLS法的估计参数偏差小于WTLS法,准确性更高;采用合肥光源控制网中的实测数据计算,验证SCTLS法的精度更高。与LS和WTLS算法相比,所提算法更加严密,能够有效减小转站中的误差积累。     

手机软件自动化测试的接口方式

介绍了手机软件自动化测试的三种接口方式,分析并比较了这三种接口方式的优缺点,对如何使用三种接口方式搭建自动化测试系统,提出了一些参考意见。     

多种物质的远红外吸收研究

根据散射理论,描述了多种物质对红外入射的吸收问题。首先通过计算单个粒子的有关参数,推导出了一定条件下气悬体粒子随参量变化时的透射关系,进而计算出一定入射波长条件下某些远红外材料的最低透射率,从绘制的透射率曲线看出,每个连续的透射率曲线都有一个最小值。显然,选择对应的粒子直径可以为烟幕加工提供理论上优化的依据。最后给出了实验结果。     

C60的发现,制备,结构,性质及其潜在应用前景

Ｃ６０是碳的一种新的同素异型结构．本文综述了Ｃ６０的发现与制备方法，Ｃ６０形成的机制与其绪构特征，以及Ｃ６０的性质与其潜在的广阔应用前景．重点介绍用红外（ＩＲ）谱，１３Ｃ核磁共振（ＮＭＲ）谱和Ｘ射线衍射（ＸＤ）谱研究Ｃ６０结构的结果，及掺杂Ｃ６０固体的高温超导电性及其结构的最新研究进展．     

MgAPO-11 分子筛的合成、表征及其催化正己烷裂解反应的动力学研究

以二异丙基胺为有机模板剂,采用静态水热法合成了具有不同镁含量的镁铝磷酸盐分子筛MgAPO-11,并利用X射线衍射、扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱、魔角旋转核磁共振和电感耦合等离子体原子发射光谱等方法对其进行表征.当0相似文献   

铜配合物在Y型分子筛超笼中的组装及其催化苯酚羟化活性

 详尽介绍了通过分步法，在Y型分子筛超笼中制备铜（II）- 1，10菲咯啉和8-羟基喹啉配合物（简称CuPhen/Y，CuOx/Y）的过程；活性评价结果显示同Cu/Y相比，以H2O2为氧化剂，CuPhen/Y，CuOx/Y具有特殊的催化苯酚羟化功能。     

Sr／Ca比变化对红色荧光粉Ca1-xSrxS：Eu^2＋的影响

在CO气氛下采用固相反应法合成了发红光的Ca1-xSrxS:Eu^2 荧光粉，研究了基质阳离子Sr／Ca比变化对其晶体性质及发光性能的影响。结果表明，随着Sr／Ca比的减少，荧光粉的晶胞参数逐渐降低；同时，由于受电子云膨胀效应和晶体场影响，发射主峰向长波方向移动，红色比逐渐增大，色纯度提高。     

高压下C60晶体玻璃化行为的理论研究

通过构造C_(60)分子间的相互作用，研究了在不同压力下C_(60)晶体中的取向有序结构．利用计算出来的两个取向之间的能量差和相隔势驿，研究了热平衡时取向占有几率和玻璃化转变温度的压力相关性．结果与实验符合．     

锰掺杂的钙钛矿型钛铌酸盐基复合阴极高温电解水蒸气

通过在氧化还原稳定的钙钛矿材料钛铌酸盐的B位晶格中掺杂具有氧化还原活性的锰元素提高固体氧化物电解池复合电极电催化性能．研究发现,锰元素成功取代钛铌酸盐B位的Ti／Nb．掺杂后的样品的离子电导率在800℃下的氧化气氛和还原气氛下的离子电导率分别提高了约1和0．5个数量级．基于掺杂后的钛铌酸盐基复合阴极,氧离子传导型固体氧化物电解池电解水蒸汽的电流效率在有和无还原气体保护下分别提高了25％和30％．