SiC MESFET工艺技术研究与器件研制

针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制.通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72 eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1 mA下击穿电压达到了65 V,40 V下反向漏电流为20μA.为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiCMESFET具有195 mA/mm的饱和电流密度,-15 V的夹断电压.初步测试该器件有一定的微波特性,2 GHz下测试其最大输出功率为30 dBm,增益大于5 dB.     

纤毫毕现、演绎2.35：1奢华境界 TW5500问世中国

2009年11月EPSON发布了达到200000：1全球最高对比度的TW4500和TW3500，目前这两款机器已经成为中国同档次全高清家用投影机中最炙手可热的型号。TW3500常常一机难求。     

淳美视觉享受极致晶彩体验——索尼2010年BRAVIA液晶电视新品惊艳登场

自诞生之日起，素尼BRAVIA品牌就凭借画质技术与设计艺术相辅相成的不凡气质，成为领先液晶电视市场的翘楚品牌。今天，索尼（中国）有限公司再推液晶电视豪华阵容，     

X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT

使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω·cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果.     

Weierstrass-Mandelbrot函数的非单调类性

非单调类性质在连续函数研究中起着重要作用．众所周知，Weierstrass函数具有非单调类性质．本文证明了Weierstrass-Mandelbrot型函数具有非单调类性质．     

GWBasic高分辨率屏幕图形的获取方法

怎样在WindowsXP系统下的Word文档中，嵌入DOS环境下的GWBasie高分辨率屏幕图形，使用户原有资源得以方便利用，是WindowsXP系统中一个非常具体的应用问题。该文针对此问题提出了可行的解决方案，并以实现该方案的应用实例进行了交流。     

非等温TG- DTG法确定2,2'- 联吡啶- 对甲氧基苯甲酸铕(Ⅲ)热分解反应的机理函数和动力学参数

采用TG-DTG和DTA技术研究了2,2'-联吡啶-对甲氧基苯甲酸铕(Ⅲ)在静态空气中的非等温热分解过程及动力学,根据TG曲线确定了热分解过程中的中间产物及最终产物,运用微分法与积分法对非等温动力学数据进行分析,推断出第一步的动力学方程为dα/dt=Aexp(-E/RT)2(1-α)1/2.